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 Awards List
－2019~－
Publication
- X. Li, and A. Toriumi,
"Stepwise internal potential jumps caused by multiple-domain polarization
flips in metal/ferroelectric/metal/paraelectric/metal stack"
Nature Communications 11, 1895 (2020),
doi: https://doi.org/10.1038/s41467-020-15753-4
- T. Yajima, T. Nishimura, T. Tanaka, K. Uchida, and A. Toriumi,
"Modulation of VO2 Metal–Insulator Transition by Ferroelectric HfO2
Gate Insulator"
Adv. Electronic Dev. 6, 1901356 (2020),
doi: https://doi.org/10.1002/aelm.201901356
- X. Luo, T. Nishimura, T. Yajima, and A. Toriumi,
"Understanding of Fermi level pinning at metal/germaniun interface
based on semiconductor structure"
Appl. Phys. Express 13, 031003 (2020),
doi: https://doi.org/10.35848/1882-0786/ab7713
- M. Xie, T. Nishimura, T. Yajima, and A. Toriumi,
"Reaction of GeO2 with Ge and crystallization of GeO2 on Ge"
J. Appl. Phys. 127, 024101 (2020),
doi: https://doi.org/10.1063/1.5120886
- T. Nishimura, X. Luo, S. Matsumoto, T. Yajima and A. Toriumi,
"Almost pinning-free bismuth/Ge and /Si interfaces"
AIP Advances 9, 095013 (2019),
doi: https://doi.org/10.1063/1.5115535
- X. Li, Y. Noma, W. Song, T. Nishimura, and A. Toriumi,
"Interface reaction kinetics in SiGe oxidation"
Appl. Phys. Lett. 115, 232901 (2019),
doi: https://doi.org/10.1063/1.5109746
- U. Schroeder, M. Materano, T. Mittmann, P.D. Lomenzo, T. Mikolajick, and
A. Toriumi,
"Recent progress for obtaining the ferroelectric phase in hafnium
oxide based films: impact of oxygen and zirconium"
Jpn. J. Appl. Phys. 58, SL0801 (2019),
doi: https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab45e3
- 鳥海 明,
"HfO2薄膜の強誘電性"
応用物理 88, 586 (2019),
Doi:https://doi.org/10.11470/oubutsu.88.9_586
International conference
- "Interface Design for Advanced Ge FETs - What is Different between
Ge and Si? -",
A. Toriumi, (invited)
6th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference 2022
(EDTM 2022),
(Mar. 7, 2022, Virtual Conference)
- "From higher dielectric constant to ferroelectric phase formation
in thin HfO2"(Keynote),
A. Toriumi, (invited)
5th International Conference on Materials Engineering and Nano Science
(ICMENS 2021) and 6th International Conference on Nanotechnology and Nanomaterials
in Energy (ICNNE 2021),
(Mar. 23, 2021, Virtual Conference)
- "Why don’t you enjoy Ge CMOS?",
A. Toriumi, (invited)
2020 5th International Conference on Civil Engineering and Materials Science
(ICCEMS 2020) and 3rd International Conference on Nanomaterials, Materials
and Manufacturing Engineering (ICNMM 2020),
(May. 16, 2020, Furama Riverfront Singapole Hotel, Singapore)
- "Technical Advancements and Scientific Impacts of HfO2 Gate Stacks
for Advanced CMOS",
A. Toriumi, (invited)
4th International Conferece on Materials Engineering and Nano Sciences
(ICMENS),
(Mar. 14, 2020, Centre Point Hotel Pattaya, Pattaya, Thailand)
- "New insight into MOS gate stack formations on Ge and SiGe from thermodyanmics
reaction kinetics and nanoscale engineering", 21.4,
A. Toriumi, and T. Nishimura
65th IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM),
(Dec. 10, 2019, Hilton San Francisco, San Francisco, USA))
- "Material perspectives of HfO2-based ferroelectric films for device applications", 15.1,
A. Toriumi, L. Xu, Y. Mori, X. Tian, P. Lomenzo, H. Mulaosmanovic, M. Materano, T.
Mikolajick, and U. Schroeder
65th IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM),
(Dec. 10, 2019, Hilton San Francisco, San Francisco, USA)
- "Kinetics of ferroelectric phase formation in HfO2",
A. Toriumi, (invited)
2019 Asia-Pacific Workshop on Piezoresponse Force Microscopy and Nanoscale
Electromechanics of Functional Materials and Electrochemical Systems (Asia-Pacific
PFM 2019),
(Aug. 12, 2019, Seoul National University, Seoul, Korea)
- "Thremal oxidation kinetics of germanium",
A. Toriumi, (invited)
Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and
Thin Film Transistors VII,
(May 19-23, 2019, Kyoto, Japan)
- "My Favorite Things",
A. Toriumi, (invited)
International WOrkshop on Materials Science and Device Physics for Advanced ELectron Devices,
(Mar. 19, 2019, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)
Domestic
- 鳥海 明、右田 真司
「強誘電体膜キャパシタにおける真性の分極反転速度の決定要因」, [24p-E105-2],
第69回応用物理学会春季学術講演会,
（2022年3月24日、青山学院大学相模原キャンパス＋オンライン、神奈川県 相模原市）
- 森 優樹、西村 知紀、矢嶋 赳彬、右田 真司、鳥海 明
「HfO2薄膜の強誘電相形成におけるドーパントの役割」, [10p-W631-4],
第66回応用物理学会春季学術講演会,
（2019年3月10日、東京工業大学大岡山キャンパス、東京都 目黒区）
- 矢嶋 赳彬、森 優樹、西村 知紀、鳥海 明
「酸化熱処理によるHfO2強誘電相消失のメカニズム」, [10p-W631-5],
第66回応用物理学会春季学術講演会,
（2019年3月10日、東京工業大学大岡山キャンパス、東京都 目黒区）
- 矢嶋 赳彬、西村 知紀、鳥海 明
「強誘電性HfO2ゲート３端子素子によるVO2電気伝導度の変調」, [10a-W641-6],
第66回応用物理学会春季学術講演会,
（2019年3月10日、東京工業大学大岡山キャンパス、東京都 目黒区）
- 西村 知紀、羅 璇、矢嶋 赳彬、鳥海 明
「Silicide/Si界面における弱いFermi-level Pinningの起源」, [11a-W934-7],
第66回応用物理学会春季学術講演会,
（2019年3月11日、東京工業大学大岡山キャンパス、東京都 目黒区）
- 王 旭、西村 知紀、鳥海 明
「Germaniumの高圧酸素熱酸化機構と形成されたGeO2膜の性質」, [11p-M136-12],
第66回応用物理学会春季学術講演会,
（2019年3月11日、東京工業大学大岡山キャンパス、東京都 目黒区）
- 西村 知紀、矢嶋 赳彬、鳥海 明
「Schottky界面におけるTwo-band MIGSモデル」, [12a-PB3-6],
第66回応用物理学会春季学術講演会,
（2019年3月11日、東京工業大学大岡山キャンパス、東京都 目黒区）
- 森 優樹、西村 知紀、矢嶋 赳彬、右田 真司、鳥海 明
「HfO2の強誘電性発現におけるドーピングの役割」, [1-2],
第24回電子デバイス界面テクノロジー研究会,
（2019年1月24日、東レ総合研修センター、静岡県三島市）
- 李 秀妍, 鳥海 明
「電荷バランスから考えた強誘電体ゲートFETにおけるNegative Capacitance効果の理解」, [1-4],
第24回電子デバイス界面テクノロジー研究会,
（2019年1月24日、東レ総合研修センター、静岡県三島市）
- 王 旭, 西村 知紀, 鳥海 明
「Geの酸化機構はSiと何が異なるのだろうか？」, [8-1],
第24回電子デバイス界面テクノロジー研究会,
（2019年1月24日、東レ総合研修センター、静岡県三島市）
- 謝 敏, 西村 知紀, 矢嶋 赳彬, 鳥海 明
「アモルファスネットワーク構造の安定性から見たGeO2の脆弱性」, [8-2],
第24回電子デバイス界面テクノロジー研究会,
（2019年1月24日、東レ総合研修センター、静岡県三島市）
- 宋 宇振, 李 秀妍, 野間 勇助, 西村 知紀, 鳥海 明
「SiGeの熱酸化機構」, [P-9],
第24回電子デバイス界面テクノロジー研究会,
（2019年1月24日、東レ総合研修センター、静岡県三島市）
- 劉 馳, 西村 知紀, 鳥海 明
「ボンディングによるn+-Si/p-Ge接合の形成，特性およびその可能性」, [P-10],
第24回電子デバイス界面テクノロジー研究会,
（2019年1月24日、東レ総合研修センター、静岡県三島市）
- 西村 知紀, 羅 璇, 矢嶋 赳彬, 鳥海 明
「半導体界面における金属の仕事関数は真空仕事関数で良いか？」, [P-11],
第24回電子デバイス界面テクノロジー研究会,
（2019年1月24日、東レ総合研修センター、静岡県三島市）
- 西村 知紀, 羅 璇, 矢嶋 赳彬, 鳥海 明
「金属／Ge界面のFermi-level pinningに及ぼすGeの基板面方位効果」, [P-12],
第24回電子デバイス界面テクノロジー研究会,
（2019年1月24日、東レ総合研修センター、静岡県三島市）
- 羅 璇, 西村 知紀, 矢嶋 赳彬, 鳥海 明
「SiGe上のフェルミレベルピンニング：第IV族半導体のピンニングの起源」, [P-13],
第24回電子デバイス界面テクノロジー研究会,
（2019年1月24日、東レ総合研修センター、静岡県三島市）
- 田 旋, 右田 真司, 鳥海 明
「強誘電体トンネル接合メモリ応用に向けた極薄強誘電体HfO2」, [P-14],
第24回電子デバイス界面テクノロジー研究会,
（2019年1月24日、東レ総合研修センター、静岡県三島市）
- 矢嶋 赳彬, invited
「金属絶縁体転移酸化物を用いた ニューロモルフィック素子の設計」,
東北大学電気通信研究所 共同プロジェクト研究会（新規固体デバイス・回路を用いた脳型コンピューティングに関する研究）,
（2019年1月15日、東北大学電気通信研究所、宮城県 仙台市）
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