鳥海研究室東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
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AWARDS
  • ・第42回応用物理学会解説論文賞
    鳥海 明、西村知紀
    "Germanium CMOS potential from material and process perspectives: Be more positive about germanium    " (2020)
  • Jpn. J. Appl. Phys. 57 (2018) 010101.
  • ・ 第24回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 安田賞
    森 優樹
    "HfO2の強誘電性発現におけるドーピングの役割" (2019)
  • ・ JSTさきがけ交流会 ポスター賞
    矢嶋 赳彬
    "神経回路にヒントを得たsub-nW超低消費電力回路の開発" (2019)
  • ・ 第４０回応用物理学会優秀論文賞
    西村知紀、矢嶋赳彬、鳥海明
    "Reexamination of Fermi level pinning for controlling Schottky barrier height at metal/Ge interface" (2018)
    Appl. Phys. Express 9 (2016) 081201
  • ・2016 IEEE EDS Japan Chapter Student Award(IEDM)
    Xu Lun
    "General relationship for cation and anion doping effects on ferroelectric HfO2 formation."
    IEDM (2016).
  • ・第8回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会論文賞
    Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, Akira Toriumi
    "Reexamination of Fermi level pinning for controlling Schottky barrier height at metal/Ge interface."
    Applied Physics Express 9, 081201 (2016).
  • ・第64回応用物理学会春季学術講演会 Poster Award (2017 JSAP)
    Takeaki Yajima, Tomonori Nishimura, Akira Toriumi
    "ジュール熱の蓄積効果で発火する相転移ニューロン素子の作製"
  • ・第77回　応用物理学会秋季学術講演会　Young Scientist Presentation Award Speech
    Xu Lun
    "Effects of nitrogen bonding on para-/ferroelectric transition of HfO2",
  • ・Best Student Paper Award (2016 VLSI)
    C. Lu
    Design and Demonstration of Reliability-Aware Ge Gate Stacks with 0.5 nm EOT.
  • ・IEEE Fellow
    A.Toriumi
    For contributions to device physics and materials engineering for advanced CMOS technology.
  • ・2015 IEEE EDS Japan Chapter Student Award(IEDM)
     Shoichi Kabuyanagi
    "Effects of free-carriers on rigid band and bond descriptions in germanium - Key to designing and modeling in Ge nano-devices -",
    IEDM (2015, Washington D.C., USA)
  • ・2015 IEEE EDS Japan Chapter Student Award(IEDM)
     Xiuyan Li
    "Self-decomposition of SiO2 due to Si-chemical potential increase in SiO2 between HfO2 and substrate - Comprehensive understanding of SiO2-IL scavenging in HfO2 gate stacks on Si, SiGe and SiC -",
    IEDM (2015, Washington D.C., USA)
  • ・Best Paper Award
     T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi
    "Ferroelectric properties of non-doped thin HfO2 films",
    IWDTF p7
    (2015, Tokyo, Japan)
  • ・Young Paper Award
     Lun Xu, Takeaki Yajima, Tomonori Nishimura, Akira Toriumi
    "Anomalous Electrical Properties of Au/SrTiO3 Interface",
    IWDTF p119
    (2015, Tokyo, Japan)
  • ・SSDM Award
    A.Toriumi, T. Mizuno, M. Iwase, M. Takahashi, H. Niiyama, M. Fukumoto, S. Inaba, I. Mori, and M. Yoshimi
    High Speed 0.1μm CMOS Devices Operating at Room Temperature.
    (Presented at the 24th International Conference on Solid State Devices and Materials (1992), Tsukuba.)
  • ・応用物理学会 2015年9月 講演奨励賞
    Xiuyan Li
    The critical role of Si chemical potential in SiO2 scavenging in HfO2 gate stacks
    (Xiuyan Li, Takeaki Yajima, Tomonori Nishimura, Akira Toriumi)
  • ・2015 IEEE EDS Japan Chapter Student Award(VLSI)
    Cimang Lu
    Design and Demonstration of Reliability-Aware Ge Gate Stacks with 0.5 nm EOT.
    VLSI (2015, Kyoto, Japan).
  • ・応用物理学会 2015年3月 講演奨励賞
    Lu Cimang
    Design of High-k and Interfacial Layer on Germanium for 0.5 nm EOT
    (L.Cimang, C. H. Lee，T. Nishimura，K. Nagashio，A. Toriumi)
  • ・ゲートスタック研究会 2015年2月 服部賞
    株柳　翔一
    Electronic Structure Modulation Caused by Carrier Density and Interface Boundary Condition of Germanium
    (S. Kabuyanagi, T. Nishimura, T. Yajima, A. Toriumi)
  • ・2014 SSDM Award
    Akira Toriumi
    High Speed 0.1μm CMOS Devices Operating at Room Temperature.
    (A.Toriumi, T. Mizuno, M. Iwase, M. Takahashi, H. Niiyama, M. Fukumoto, S. Inaba, I. Mori, and M. Yoshimi)
  • ・2014 IEDM, 2014 IEEE EDS Japan Chapter Student Award
    Li Xiuyan
    Analytical Formulation of SiO2-IL Scavenging in HfO2/SiO2/Si Gate Stacks: A Key is the SiO2/Si Interface Reaction.
    (X. Li, T. Yajima, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi)
  • ・Best student paper award, 2013 Symposium on VLSI Technology
    C. H. Lee
    Enhancement of High-Ns Electron Mobility in Sub-nm EOT Ge n-MOSFETs
    (C. H. Lee, C. Lu, T. Tabata, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi)
  • ・2013 IEEE EDS Japan Chapter Student Award, 2013 Symposium on VLSI Technology
    C. H. Lee
    Enhancement of High-Ns Electron Mobility in Sub-nm EOT Ge n-MOSFETs
  • ・2013 IEDM, 2013 IEEE EDS Japan Chapter Student Award
    G. Oike
    High Electron Mobility (>16 cm2/Vsec) FETs with High On/Off Ratio (>106) and Highly Conductive Films (σ>102 S/cm) by Chemical Doping in Very Thin (~20 nm) TiO2 Films on Thermally Grown SiO2
  • ・第19回ゲートスタック研究会 2014年1月 安田賞
    矢嶋 赳彬
    VO2エピタキシャル極薄膜における相転移不均質性の抑制
  • ・IWDTF 2013年11月 Young Paper Award
    T. Iwai
    Kinetic Understanding of Structural Phase Transformation in Ar-Sputtered HfO2.
    (T. Yajima, T. Nishimura, K. Nagashio, A. Toriumi)
  • ・IWDTF 2013年11月 Young Paper Award
    X. Li
    Evidence of Si substrate significance for SiO2-IL scavenging in HfO2/SiO2/Si stack.
    (X. Li, T. Yajima, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi)
  • ・IWDTF 2013年11月 Best Paper Award
    C. Lu
    Network Modification Comparison of GeO2 on Ge by Intermixing with Trivalent Oxides (Sc2O3, Y2O3 and La2O3)
    (C. Lu, C. H. Lee, T. Tabata, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi)
  • ・平成25年度工学部 Best Teaching Award
    長汐晃輔（9月25日）
  • ・第34回（2013年春季）応用物理学会講演奨励賞
    田畑 俊行
    「高圧不活性ガスPDAによるAlN/Geゲートスタックの実現」
  • ・第34回（2013年春季）応用物理学会講演奨励賞
    井福 亮太
    「 金属と接触したグラフェンの量子容量測定による状態密度の抽出と結合機構の解明」
  • ・東京大学大学院工学系研究科 平成24年度 工学系研究科長賞(博士) (研究)（2013年3月25日）　
    李　忠賢
  • ・2011 IEEE EDS Japan Chapter Student Award(VLSI) 中嶋　泰大
    "Phase Transformation Kinetics of HfO2 Polymorphs in Ultra-Thin Region", Feb. 1, 2012
  • ・応用物理学会優秀論文賞（2011年8月30日）
    長汐晃輔,　西村知紀,　喜多浩之,　鳥海明     　"Systematic Investigation of the Intrinsic Channel Properties and Contact Resistance of Monolayer and 　　Mutltilayer Graphene Field-Effect Transistor"
    Jpn. J. Appl. Phys. 2010, 49, 051304.
  • ・2010 IEEE EDS Japan Chapter Student Award　for outstanding work in the paper　李　忠賢
    "Ge MOSFETs performance: Impact of interface passivation", Jan. 27, 2011
  • ・IWDTF 2011年1月 Young Researcher Award 王　盛凱
    "Kinetic Effects of Oxygen Vacancy Formed by GeO2/Ge Interfacial Reaction."
    (X. K. Wang, K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi     )
  • ・IWDTF 2011年1月 Young Researcher Award 中嶋泰大
    "Demonstration of Very High-k HfO2 (k~50) by Suppressing Martensitic Transformation in Thin Dielectric Films."
    (Y. Nakajima, K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi)
  • ・IWDTF 2011年1月 Young Researcher Award 趙　丹丹
    "Junctionless Ge p-MOSFETs Fabricated on Ultra-thin GeOI Substrate."
  • (D. D. Zhao, T. Nishimura, C. H. Lee, K. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi)
  • ・2010年秋季応用物理学会講演会奨励賞　李　忠賢
    　"GeO2形成時の高圧酸化と１気圧酸化の本質的な違い -バルクGeO2膜と
  • 　 GeO2/Ge界面の独立な制御-"
    　(西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海　明)
  • ・SSDM 2010 Young Researcher Award　Choong Hyun Lee
  • 　"High Electron Mobility Ge n-Channel MOSFETs with GeO2 grown by High
  • 　 Pressure Oxidation"
    　(C. H. Lee, T. Nishimura, K. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi)
  • ・STARCフォーラム／シンポジウム2010優秀プレゼンテーション賞
  • 　(2010年8月26日　新横浜）
  • 　田畑俊行
  • 　"Ge基板に対して希土類系酸化膜はなぜ適合性が高いのか？"
  • 　
  • ・2009 IEEE EDS Japan Chapter Student Award Choong Hyun Lee
  • 　for outstanding work in the paper
  • 　"Record-high Electron Mobility in Ge n-MOSFETs Exceeding Si Universality"
  • 　January 26, 2010
  • ・第31回（2009年度）応用物理学会論文賞 JJAP論文奨励賞 横山孝理
    　"Oxygen-Related Degradation Mechanisms for On- and Off-states of
  • 　 Perfluoropentacene Thin-Film 　　Transistors"
  • 　Jpn. J. Appl. Phys. 47 (2008) pp.3643-3646
  • 　(Takamichi Yokoyama, Chang Bum Park, Tomonori Nishimura, Koji Kita, and
  • 　Akira Toriumi)
  • ・第26回（2009年春期）応用物理学会講演奨励賞 横山孝理
    　"水素中の蒸着により形成されたペンタセン薄膜の粒径増大起源とOTS 処理基板上への適応"
    　（横山孝理，朴昌範，長汐晃輔，喜多浩之，鳥海明）

  • ・東京大学大学院工学系研究科 平成20年度 工学系研究科長賞(博士) (研究)　
    　横山孝理
  • ・The Electrochemical Society, High Deielectric Constant Gate Stacks V Symposium　Best Presentation Award 喜多浩之
  • "Dramatic Improvement of GeO2/Ge MIS Characteristics by Suppression of GeO Volatilization"
  • (K. Kita, S. Suzuki, H. Nomura, T. Takahashi, T. Nishimura and A. Toriumi)
  • ・2007年秋季応用物理学会講演奨励賞 富田一行
  • "基板加熱スパッタによるHfO2膜の結晶化促進と著しい誘電分散"
  • （富田一行、喜多浩之、鳥海　明）
  1. ・2007 IEEE EDS Japan Chapter Student Award 高橋俊岳
    "Proof of Ge-Interfacing Concepts for Metal/High-k/Ge CMOS -Ge-intimate Material Selection and Interface Conscious Process Flow"
    (T. Takahashi, T. Nishimura, L. Chen, S. Sakata, K. Kita and A. Toriumi)
  3. ・IWDTF 2006年9月 Young Researcher Award 山本芳樹
    "Vfb Modification by Thin La2O3 Insertion into HfO2/SiO2 Interface."
    Y. Yamamoto, K. Kita and A.Toriumi
  5. ・IWDTF 2006年9月 Young Researcher Award 富田一行
    "Experimental Determination of Tunneling Effective Mass in HfO2."
    K. Tomida, K. Kita and A. Toriumi
  7. ・SSDM 2006 Young Reasercher Award 富田一行
    "Permittivity Enhancement of Hf(1-x)SixO2 Film with High Temperature Annealing."
    K. Tomida, K. Kita，and A. Toriumi
  9. ・Chinese Government Award for Outstanding Self-financed Students Abroad (2006年3月30日) 趙毅
  11. ・3rd COE 21 International Symposium on Human-Friendly Materials Based on Chemisry Poster Award (2005年10月4日) 横山孝理　
  12. ”Energy Level Consideration of Source/Channel/Drain for Performance Enhancements of N- and P-channel Organic FETs”
  13. At the 3rd COE 21 International Symposium on Human-Friendly Materials Based on Chemisry.
  14. T. Yokoyama, T. Nishimura, K. Kita, K. Kyuno and A. Toriumi
  1. ・ SSDM Paper Award (2005年9月13日) 喜多浩之,　弓野健太郎,　鳥海　明　
  2. ”Dielectric Constant Increase of Yttrium-Doped HfO2 by Structural Phase Modification.”
  4. ・2004 IEEE EDS Japan Chapter Student Award 入江 宏
    “In-Plane Mobility Anisotropy and Universality Under Uni-Axial Strains in n-and p-MOS Inversion Layers on (100), (110), and (111).” presented in IEDM 2004
  5. H. Irie, K. Kita, K. Kyuno and A. Toriumi
  7. ・2003年秋季応用物理学会講演奨励賞 喜多浩之
  8. “MIS飽和容量から評価したHfO2/GeとHfO2/Siにおける界面反応の違い”
  9. （喜多浩之,　笹川　将,　遠山仁博,　弓野健太郎.　鳥海　明）
  11. ・2003年秋季応用物理学会講演奨励賞 入江 宏
  12. “異なる散乱機構下におけるMOS反転層移動度のユニバーサリティー”
  13. （入江 宏,　喜多浩之,　弓野健太郎,　鳥海　明）
  15. ・2003 IEEE EDS Japan Chapter Student Award 入江 宏
    “Re-Investigation of MOS Inversion Layer Mobility from Non-Universality and Possible New Scattering Mechanism Aspects.” presented in IEDM 2003
  16. H Irie, K. Kita, K. Kyuno and A. Toriumi
  18. ・STARCシンポジウム2003最優秀プレゼンテーション賞 （2003年9月11日）
  19. 入江 宏 
  20. “MOS反転層における”ユニバーサルモビリティ”は本当にユニバーサルか？” 
  22. ・SSDM Young Researcher Award (2003年9月16日) 菰田泰生 （現・東芝セミコンダクター(株)）
  23. “Performance and Time-Dependent Degradation in a Single Grain-Size Pentacene TFTs.”

　
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