Toriumi Lab. Dept. of Materials Engineering, The Univ. of Tokyo
Top

Research

Output

Photo

Message

Member

Access

Link
Output (Calender year)
2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2005 2004 2003 2002 2001


　Awards List
- 2006 -　

 Publication

  1. 鳥海　明「Ge-MOSFETの可能性と課題」　応用物理　第75巻　第12号　（2006年）　
  2. K. Yamamura, K. Kita, A. Toriumi and K. Kyuno,
    "Reversible Creation and Annihilation of a Local Leakage Path in HfO2/GeOx Stacked Gate Dielectrics : A Direct Observation by Ultrahigh Vacuum Conducting Atomic Force Microscopy" Appl. Phys. Lett. 89 (22), 222101 (2006).

  3. Y.Zhao, K.Kita, K.Kyuno and A.Toriumi "Higher-k LaYOx films with strong moisture resistance" Appl. Phys. Lett. 89, 252905 (2006)
  4. K. Kita, H. Nomura, T. Nishimura and A. Toriumi, " Impact of Dielectric Material Selection on Electrical Properties of High-k/Ge Devices," ECS Trans. 3 (3) 71 (2006).
  5. K. Tomida, K. Kita, A. Toriumi, "Dielectric constant enhancement due to Si incorporation into HfO2." Appl. Phys. Lett.89, 142902 (2006).
  6. A. Toriumi, K. Kita, K. Tomida, and Y. Yamamoto, "Doped HfO2 for Higher-k Dielectrics," ECS Trans. 1 (5), 185-197 (2006).
  7. Y. Yamamoto, K. Kita, K. Kyuno and A. Toriumi, "Structural and Electrical Properties of HfLaOx Films for an Amorphous High-k Gate Insulator," Appl. Phys. Lett. 89, 032903 (2006).
  8. Y. Zhao, M. Toyama, K. Kita, K. Kyuno and A. Toriumi, "Moisture-absorption-induced permittivity deterioration and surface roughness enhancement of lanthanum oxide films on silicon," Appl. Phys. Lett. 88 072904 (2006)


International

  1. A.Toriumi, K. Kita, and H.Irie,
    "Novel Approach to MOS Inversion Layer Mobility Characterization with Advanced Split C-V and Hall Analysis",
    2006 IEEE Int.Electron Devices Meeting (IEDM), pp.671-674.
    (Dec. 2006, San Francisco) (Invited)
  2. K. Tomida, K..Kita and A. Toriumi, "Scalability of Higher-k Si Doped HfO2 down to EOT=0.6nm in Purely Direct Tunneling Regime" 37th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) (Dec.2006, San Diego)
  3. Y. Yamamoto, K. Kita, K. Kyuno and A. Toriumi, "The origin of VFB shift in Metal/HfLaO/SiO2/Si systems"37th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) (Dec.2006, San Diego)
  4. H. Nomura, T. Nishimura, K. Kita and A. Toriumi, "Low Temperature Zerbst Analysis of Au/High-k/ Ge MIS Capacitors." Extended Abstracts of 2006 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices Science and Technology (IWDTF), pp15-16 (Nov. 2006, Kawasaki)
  5. Y. Yamamoto, K. Kita and A.Toriumi, "Vfb Modification by Thin La2O3 Insertion into HfO2/SiO2 Interface." Extended Abstracts of 2006 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices Science and Technology (IWDTF), pp65-66 (Nov. 2006, Kawasaki)
  6. K. Tomida, K. Kita and A. Toriumi, "Experimental Determination of Tunneling Effective Mass in HfO2." Extended Abstracts of 2006 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices Science and Technology (IWDTF), pp123-124 (Nov. 2006, Kawasaki)
  7. Y. Zhao, K. Kita, K. Kyuno and A.Toriumi, "Dielectric Properties of Amorphous LaTaOx Films for Alternative Gate Dielectrics" Extended Abstracts of 2006 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices Science and Technology (IWDTF), pp129-130 (Nov. 2006, Kawasaki)
  8. T. Takahashi, H. Nomura, T. Nishimura, K. Kita and A.Toriumi, "Ge MIS Characteristics with GeNx and GeON Layers Nitrided by Atomic Nitrogen Irradiation." Proceedings of the 2nd Tsinghua International Forum for Doctoral Candidates and The 2nd TU-UT-SNU Student Workshop, pp 112-114 (Oct. 2006, Beijing)
  9. T. Yokoyama, T. Nishimura, K. Kita, K. Kyuno and A. Toriumi, "Threshold Voltage Control in Pentacene TFTs by Perfluoropentacene Stack." Proceedings of the 2nd Tsinghua International Forum for Doctoral Candidates and The 2nd TU-UT-SNU Student Workshop, pp 125-130 (Oct. 2006, Beijing)
  10. K. Kita, H. Nomura, T. Nishimura and A. Toriumi, " Impact of Dielectric Material Selection on Electrical Properties of High-k/Ge Devices," 210th Meeting of The Electrochemical Society (ECS), (Oct. 2006, Cancun) (invited).
  11. Y. Zhao, K. Kita, K. Kyuno and A. Toriumi, "High-k LaYOx Films with Strong Moisture-Robustness." 2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology Proceedings (ICSICT) (part 1 of 3), pp 427-429 (Oct. 2006, Shanghai)
  12. H. Nomura, T. Takahashi, T. Nishimura, K. Kita and A. Toriumi, "Oxidation and Reduction of GeOx/Ge and GeOx/ Si in O2 and N2 annealing." Program and Abstracts Second International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, pp31-32 (Oct. 2006, Sendai)
  13. T. Takahashi, H. Nomura, T. Nishimura, K. Kita and A. Toriumi, "Ge MIS Characteristics with GeNx and GeON Layers Nitrided by Atomic Nitrogen Irradiation." Program and Abstracts Second International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, pp33-34 (Oct. 2006, Sendai)
  14. A. Toriumi, K. Kita and T. Nishimura, "Interface Properties of Ge with High-k Dielectrics and Metals." Program and Abstracts Second International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, pp41-42 (Oct. 2006, Sendai) (invited)
  15. Y. Yamamoto, K. Kita, K. Kyuno and A. Toriumi, "Study of La Concentration Dependent Vfb Shift in Metal/HfLaOx/Si Capacitors." Extended Abstracts of 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), pp.212-213 (Sep. 2006, Yokohama)
  16. K. Tomida, K. Kita, K. Kyuno and A. Toriumi, "Excellent Leakage Current of Crystallized Silicon-Doped HfO2 Films Down to Sub-nm EOT." Extended Abstracts of 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), pp.390-391 (Sep. 2006, Yokohama)
  17. T. Nishimura, K. Kita and A. Toriumi, "Strong Fermi-level Pinning of Wide Range of Work-function Metals at Valence Band Edge of Germanium." Extended Abstracts of 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), pp.400-401 (Sep. 2006, Yokohama)
  18. Y. Zhao, K. Kita, K. Kyuno and A. Toriumi, "Suppression of Leakage Current and Moisture Absorption of La2O3 Films with Ultraviolet Ozone Post Treatment." Extended Abstracts of 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), pp.402-403 (Sep. 2006, Yokohama)
  19. H. Nomura, K. Kita, T. Nishimura and A. Toriumi, "Interface Layer Control at Y2O3/Ge by N2 and O2 Annealing on Ge(100) and Ge(111) Surface." Extended Abstracts of 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), pp.406-407 (Sep. 2006, Yokohama)
  20. C. B. Park, T. Nishimura, T. Yokoyama, K. Kita and A. Toriumi, "Reduction of Bias-Induced Threshold Voltage Shift in Pentacene Field Effect Transistors by Interface Modification and Molecular Ordering." Extended Abstracts of 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), pp.924-925 (Sep. 2006, Yokohama)
  21. T. Yokoyama, T. Nishimura, K. Kita, K. Kyuno and A. Toriumi, "Threshold Voltage Control in Pentacene TFTs by Perfluoropentacene Stack." Extended Abstracts of 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), pp.936-937 (Sep. 2006, Yokohama)
  22. K. Kita, H. Irie and A. Toriumi, "Experimental Evidence for Invalidity of Matthiessen's Rule for MOS Inversion Layer Mobility Analysis through Hall Factor Measurement." Extended Abstracts of 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), pp.1060-1061 (Sep. 2006, Yokohama)
  23. K. Kita, K. Tomida, Y. Yamamoto, Y. Zhao, K. Kyuno, and A. Toriumi "Dielectric Properties of Metal-Doped HfO2 for Higher-k Gate Insulators," 2006 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, pp.27-28 (Apr. 2006, Kyoto) (Invited)
  24. K. Tomida, K. Kita, K. Kyuno, and A. Toriumi, "Origin of Permittivity Enhancement of HfSiO and HfON Film with High Temperature Annealing," International Conference on Microelectronics and Interfaces (ICMI '06) ,(Mar. 2006, Austin).


Domestic

  1. 富田一行，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海明「SiO2ドープによるHfO2膜の誘電率増大とその起源に関する考察」第53回 応用物理学関係連合講演会 （2006年3月，東京）
  2. 富田一行，喜多浩之，鳥海明「極薄SiO2膜容量換算膜厚（CET）の決定法」第53回 応用物理学関係連合講演会 （2006年3月，東京）
  3. 趙毅，遠山仁博，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海明「吸湿によるLa2O3の誘電率の劣化と表面ラフネスの増大」第53回 応用物理学関係連合講演会 （2006年3月，東京）
  4. 横山孝理，西村知紀，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海明「フッ素化ペンタセンFETの酸素劣化におけるチャネル電子の必要性」第53回 応用物理学関係連合講演会 （2006年3月，東京）
  5. 遠山仁博，西村知紀，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海明「高温ガス雰囲気および薬液処理に対するGeの表面安定性 ―面方位依存性―」第53回 応用物理学関係連合講演会 （2006年3月，東京）
  6. 山本芳樹，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海明「高誘電率(Hf-La-O)三元系酸化物における結晶化温度の増大とMOS特性の向上」第53回 応用物理学関係連合講演会 （2006年3月，東京）
  7. 能村英幸，遠山仁博，西村知紀，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海明「Y2O3/Ge(100) MISキャパシタのC-V特性における特異的な周波数分散の解析」第53回 応用物理学関係連合講演会 （2006年3月，東京）
  8. 能村英幸，喜多浩之，鳥海明「MOSキャパシタ容量の過渡特性解析による界面準位の定量的評価の提案」第53回 応用物理学関係連合講演会 （2006年3月，東京）
  9. 鈴木 翔，西村知紀，喜多浩之，鳥海明「SiO2上アモルファスSiGeの酸化濃縮法による多結晶Ge薄膜の形成とFETの作成」第53回 応用物理学関係連合講演会 （2006年3月，東京）
  10. 喜多浩之，山本芳樹，富田一行，趙毅，弓野健太郎，鳥海明「HfO2薄膜への金属元素ドープによる誘電率向上ための２つのアプローチ」第53回 応用物理学関係連合講演会 （2006年3月，東京）
  11. 喜多浩之，入江 宏，鳥海 明「MOS反転層移動度解析におけるマティーセン則の妥当性の検討 ―ホールファクター解析―」第53回 応用物理学関係連合講演会 （2006年3月，東京）
  12. 西村知紀，喜多浩之，鳥海 明「メタル／ゲルマニウム接合におけるFermi-Level Pinning」第53回 応用物理学関係連合講演会 （2006年3月，東京）
  13. 陳 練，入江 宏，喜多浩之，鳥海 明「短チャネルMOSFETにおける反転層モビリティの高精度評価技術 ―定量的検証―」第53回 応用物理学関係連合講演会 （2006年3月，東京）
  14. 富田一行、喜多浩之、鳥海　明　「極薄SiO2MOSの容量換算膜厚（CET）の決定法」　ゲートスタック研究会−材料・プロセス・評価の物理−　（2006年2月）
  15. 能村英幸、遠山仁博、喜多浩之、弓野健太郎、鳥海　明　「Zerbst解析の拡張による新しい界面特性評価手法の提案」ゲートスタック研究会−材料・プロセス・評価の物理−（2006年2月 ）
  16. 喜多浩之、山本芳樹、富田一行、趙　毅、鳥海　明　「分極率の制御による三元型High-k膜の高誘電化へのアプローチ」ゲートスタック研究会−材料・プロセス・評価の物理−（2006年2月）



Inquiries on this page to ⇒ nishimura at material.t.u-tokyo.ac.jp (at->@)