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 Awards List
- 2005 -
Publication
1) H. Shimizu, K. Kita, K. Kyuno, and A. Toriumi, "Kinetic Model of
Si Oxidation at HfO2/Si Interface with Post Deposition Annealing," Jpn. J. Appl. Phys. Pt.1, 44 (8) 6131 - 6135 (2005)
2)鳥海 明「高誘電率ゲート絶縁膜技術の課題と動向」、表面科学 Vol.26, No.
5, pp.242-248,2005
3) K. Kyuno, K. Kita, and A. Toriumi, "Evolution of leakage paths in HfO2/SiO2 stacked gate dielectrics: A stable direct observation by ultrahigh vacuum conducting atomic force microscopy", Appl. Phys. Lett. 86 (6), 063510 (2005)
4) K.Kita, K. Kyuno and A. Toriumi, "Permittivity increase of yttrium-doped HfO2 through structural phase transformation", Appl. Phys. Lett. 86, 102906 (2005)
Internatioanl
1) Y. Yamamoto, K. Kita, K. Kyuno and A. Toriumi, "High Crystallization
Temperature and Low Fixed Charge Density of HfLaOx Films" 36th IEEE
Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC), (Dec. 2005, Arlington)
2) T. Yokoyama, T. Nishimura, K. Kita, K. Kyuno, A. Toriumi, "Performance
Recovery of n-channel Perfluoropentacene Thin Film Transistors by High
Vacuum Annealing" Extended Abstracts of 2005 International Conference
on Solid State Devices and Materials (SSDM), pp.984-985 (Sep. 2005, Kobe)
3) H. Nomura, K. Kita, K. Kyuno and A. Toriumi, "Thermally Robust
Y2O3/Ge MOS Capacitors"Extended Abstracts of 2005 International Conference
on Solid State Devices and Materials (SSDM), pp.858-859 (Sep. 2005, Kobe)
4) H. Irie and A. Toriumi, "Advanced Split-CV Technique for Accurate
Extraction of Inversion Layer Mobility in Short Channel MOSFETs."
Extended Abstracts of 2005 International Conference on Solid State Devices
and Materials (SSDM), pp.864-865 (Sep. 2005, Kobe)
5) Y. Yamamoto, K. Kita, K. Kyuno, and A. Toriumi, "A New Hf-based
Dielectric Member, HfLaOx, for Amorphous High-k Gate Insulators in Advanced CMOS."Extended
Abstracts of 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials
(SSDM), pp.254-255 (Sep. 2005, Kobe)
6) K. Kita, Yi Zhao, Y. Yamamoto, K. Kyuno, and A. Toriumi, "Design
Methodology for La2O3-Based Ternary Higher-k Dielectrics." Extended
Abstracts of 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials
(SSDM), pp.252-253 (Sep. 2005, Kobe)
7) Yi Zhao, M. Toyama, K. Kita, K. Kyuno, and A. Toriumi, "Moisture
Absorption-Induced Permittivity Deterioration and Surface Roughness Enhancement
of Lanthanum Oxide Films on Silicon."Extended Abstracts of 2005 International
Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), pp.546-547 (Sep.
2005, Kobe)
8) T. Nishimura, M. Toyama, K. Kita, K. Kyuno and A. Toriumi, "Ion-Implanted
p/n Junction Characteristics p- and n-type Germanium." Extended Abstracts
of 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM),
pp.520-521 (Sep. 2005, Kobe)
9) K. Tomida, K. Kita，and A. Toriumi, "Permittivity Enhancement of
Hf(1-x)SixO2 Film with High Temperature Annealing." Extended Abstracts
of 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM),
pp.232-233 (Sep. 2005, Kobe)
10) T. Yokoyama, T. Nishimura, K. Kita, K. Kyuno and A. Toriumi, "Energy
Level Consideration of Source/Channel/Drain for Performance Enhancements
of N- and P-Channel Organic FETs,"Device Research Conference (June. 2005, Santa Barbara)
11) A. Toriumi, K. Tomida, H. Shimizu, K. Kita and K. Kyuno, "Far-
and Mid- Infrared Absorption Study of HfO2/SiO2/Si System,"207th Meeting of the Electrochemical Society (May. 2005, Quebec City )
(Invited)
12) A. Toriumi, K. Kita, M. Toyama, and K. Kyuno, "Interface Reaction
of High-k Films with Germanium Substrate," 2005 MRS Spring Meeting
(March. 2005, San Francisco) (Invited)
Domestic
1) 横山孝理，西村知紀，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海明 「SAM膜の挿入によるAu上ペンタセン薄膜の結晶性の違いと界面の仕事関数」 応用物理学会 秋季講演会 （2005年9月）
2) 喜多浩之，弓野健太郎，鳥海明 「TiO2との複合化によるHfO2の誘電率の上昇とバンドギャップの減少」 応用物理学会 秋季講演会 （2005年9月）
3) 山本芳樹，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海明 「HfCeOxの高誘電率特性と周波数分散」 応用物理学会 秋季講演会 （2005年9月）応用物理学会 秋季講演会 （2005年9月）
4) 横山孝理，西村知紀，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海明 「電流電圧特性とキャリア数を区別して評価したペンタセンTFTの移動度」 応用物理学会 春季講演会 （2005年3月）
5) 西村知紀，横山孝理，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海明 「フッ素化ペンタセン（PF-ペンタセン）薄膜の結晶構造と光学吸収特性」 応用物理学会 春季講演会 （2005年3月）
6) 横山孝理，西村知紀，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海明 「ｎチャネルフッ素化ペンタセンTFTの電気特性の酸素による劣化と再真空による回復」 応用物理学会 春季講演会 （2005年3月)
7) 富田一行，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海明 「HfO2膜へのSilicon及びYttrium添加による膜構造の変化の違い」 応用物理学会 春季講演会 （2005年3月)
8) 喜多浩之，山本芳樹，弓野健太郎，鳥海明 「Y及びLaの添加によるHfO2の相変化と誘電率の上昇」 応用物理学会 春季講演会 （2005年3月)
9) 山本芳樹，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海明 「添加元素(Sc,Y,La)のイオン半径の違いによる結晶化HfO2格子定数変化」 応用物理学会 春季講演会 （2005年3月)
10) 清水悠佳，富田一行，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海明 「HfO2/Si界面へのY2O3導入による界面SiO2層成長の抑制」 応用物理学会 春季講演会 （2005年3月)
11) 入江宏，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海明 「ゲートリーク電流ノイズ測定による高誘電率膜の膜質評価法の提案」 応用物理学会 春季講演会 （2005年3月)
12) 弓野健太郎，喜多浩之，鳥海明 「UHV-C-AFMによるGe(100)基板上のHfO2薄膜のリーク電流像観察」 応用物理学会 春季講演会 （2005年3月)
13) 能村英幸，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海明 「界面層を持たないY2O3/Ge MISキャパシタ特性」 応用物理学会 春季講演会 （2005年3月)
14) 趙毅，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海明 「La2O3とY2O3の複合化による結晶構造と誘電率の変化」 応用物理学会 春季講演会 （2005年3月)
15）清水悠佳、富田一行、喜多浩之、弓野健太郎、鳥海明 「GIXR法によるhigh-k
マルチレイヤーの解析」 ゲートスタック研究会−材料・プロセス・評価の物理− （2005年1月）
16) 遠山仁博、喜多浩之、弓野健太郎、鳥海明 「HfO2を堆積したGe基板界面の面方位による違い」 ゲートスタック研究会−材料・プロセス・評価の物理− （2005年1月）
17) 富田一行、喜多浩之、弓野健太郎、鳥海明 「リーク電流を伴う極薄SiO2膜を持つMOS(FET)の容量特性評価」 ゲートスタック研究会−材料・プロセス・評価の物理− （2005年1月）
18) 喜多浩之、弓野健太郎、鳥海明 「CVD-SiO2膜のアニール効果のOCP法による評価」 ゲートスタック研究会−材料・プロセス・評価の物理− （2005年1月）
19) 弓野健太郎、喜多浩之、鳥海明 「HfO2/SiO2スタック構造におけるリーク電流の極性依存性：UHV-C-AFMによる観察」 ゲートスタック研究会−材料・プロセス・評価の物理− （2005年1月）
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