Awards List

－2016－
Publication

• X. Li, T. Nishimura, and A. Toriumi
  "Interfacial SiO2 scavenging kinetics in HfO2 gate stack"
  Applied Physics Letter 109, 202905 (2016),
  published online Nov. 16, 2016,
  http://dx.doi.org/10.1063/1.4968002

• L. Xu, T. Nishimura, S. Shibayama, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi,
  "Ferroelectric phase stabilization of HfO2 by nitrogen doping",
  Applied Physics Express 9, 091501 (2016) ,
  published online August 17, 2016,
  http://doi.org/10.7567/APEX.9.091501

• Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, and Akira Toriumi
  "Reexamination of Fermi level pinning for controlling Schottky barrier height at metal/Ge interface",
  Applied Physics Express 9, 081201 (2016) ,
  published online July 15, 2016,
  http://doi.org/10.7567/APEX.9.081201
  Selected in APEX Spotlights

• Lun Xu, Takeaki Yajima, Tomonori Nishimura, and Akira Toriumi,
  "Anomalous electrical properties of Au/SrTiO3 interface",
  Japanese Journal of Applied Physics 55, 08PB04 (2016) ,
  published online July 12, 2016,
  http://doi.org/10.7567/JJAP.55.08PB04

• Tomonori Nishimura, Lun Xu, Shigehisa Shibayama, Takeaki Yajima, Shinji Migita, and Akira Toriumi,
  "Ferroelectricity of nondoped thin HfO2 films in TiN/HfO2/TiN stacks",
  Japanese Journal of Applied Physics 55, 08PB01 (2016),
  published online June 6, 2016,
  http://doi.org/10.7567/JJAP.55.08PB01

• Takeaki Yajima, Go Oike, Tomonori Nishimura, and Akira Toriumi,
  "Independent control of phases and defects in TiO2 thin films for functional transistor channels",
  physica status solidi (a) ,(2016),
  published online March 8, 2016,
  DOI 10.1002/pssa.201600006
  

• Shoichi Kabuyanagi, Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima and Akira Toriumi
  "Experimental evidence of zone-center optical phonon softening by accumulating holes in thin Ge",
  AIP Advances 6, 015114 (2016),
  published online Jan. 27, 2016,
  http://dx.doi.org/10.1063/1.4941072
  

International conference

• T. Nishimura, S. Matsumoto, T. Yajima, and A. Toriumi,
  "Reconsideration of metal work function on semiconductors from metal-induced gap states viewpoint",
  47th IEEE Semiconductor Interface Spesialists Conference(SISC)
  (Dec 9, Catamaran Hotel, San Diego, USA)

• L. Xu, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi,
  "Ferroelectric HfO2 MIS Capacitor and MISFET on Oxide Semiconductors",
  47th IEEE Semiconductor Interface Spesialists Conference(SISC)
  (Dec 9, Catamaran Hotel, San Diego, USA)

• W. Song and A. Toriumi,
  "Oxygen-bond switching at GeO2/Si interface in UHV annealing",
  47th IEEE Semiconductor Interface Spesialists Conference(SISC)
  (Dec 9, Catamaran Hotel, San Diego, USA)

• L. Xu, S. Shibayama, K. Izukashi, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita and A. Toriumi,
  "General relationship for cation and anion doping effects on ferroelectric HfO2 formation",
  2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2016),
  (Dec.7, Hilton San Francisco Union Square, San Francisco, USA)

• T. Yajima, T. Nishimura and A. Toriumi,
  "Functional Passive Material VO2 for Analogue Signal Processing with High-Speed, Low Power, and Robust Performance",
  2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2016),
  (Dec.7, Hilton San Francisco Union Square, San Francisco, USA)

• A. Toriumi and S. Kabuyanagi
  " Energy band gap and phonon frequency in Ge are material constants?", invited,
  JSPS MEETING 2016 (C2C Program),
  (Nov.25, Juelich Research Center, Juelich, Germany)

• T. Yajima, T. Nishimura, A. Toriumi,
  " Time Response Characteristics of the VO2 Mott Transistor", invited,
  JSPS MEETING 2016 (C2C Program),
  (Nov.24, Juelich Research Center, Juelich, Germany)

• A. Toriumi,
  "Materials And Process Controls For Scalable and Reliable Germanium Gate Stacks", invited,
  The IEEE 13th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (2016 ICSICT),
  (Oct.27, White Horse Lake Jianguo Hotel, Hangzhou, China)

• T. Yajima,
  "Engineering Proton Volatility in Oxides for Two-Terminal Neuromorphic Devices",
  Neuromorpic: from out-of-equilibrium physics to deep learning (AIST mini-Workshop), invited,
  (Oct.26, AIST, Tsukuba, Japan)

• T. Yajima, T. Nishimura, A. Toriumi,
  "Time Response to The Gate Voltage in Strongly Correlated Transistors Using Epitaxial VO2/TiO2 Stacks",
  Workshop on Oxide Electronics 23 (WOE 23),
  (Oct.13, Nanjing International Conference Hotel, Nanjing, China)

• C. Liu, H. Ikegaya, T. Nishimura, and A. Toriumi,
  "Significant Reduction of Leakage Currents in Reverse-Biased Ge n+/p Junctions by Taking Care of Peripheral Passivation Layer", invited,
  PRiME 2016,
  (Oct.4, Hawaii Convention Center, Honolulu, USA)

• S. Matsumoto, T. Nishimura, T. Yajima, A. Toriumi,
  "Nearly Pinning-free Ohmic Contact at Bismuth/n-Silicon Interface",
  2016 Internaltional Conference on Slid State Devices and Materials (SSDM 2016),
  (Sep.29, Tsukuba International Congress Center, Tsukuba, Japan)

• T. Nishimura, T. Yajima, A. Toriumi,
  "Control of Fermi Level Pinning at Metal/Ge Interface Based on a Reconsideration of Metalinduced Gap States Model",
  2016 Internaltional Conference on Slid State Devices and Materials (SSDM 2016),
  (Sep.29, Tsukuba International Congress Center, Tsukuba, Japan)

• T. C. Liu, T. Nishimura, A. Toriumi,
  "Record-high On/Off Current Ratio in Ge Planar n+/p Junctions with Gate Stack Passivation Scheme",
  2016 Internaltional Conference on Slid State Devices and Materials (SSDM 2016),
  (Sep.29, Tsukuba International Congress Center, Tsukuba, Japan)

• T. Yajima, T. Nishimura, A. Toriumi,
  "Time Response of GateControlled Metal-Insulator Transitions in Ultrathin VO2 Channel",
  2016 Internaltional Conference on Slid State Devices and Materials (SSDM 2016),
  (Sep.28, Tsukuba International Congress Center, Tsukuba, Japan)

• L. Xu, T. Nishimura, S. Shibayama, T. Yajima, S. Migita, A. Toriumi,
  "Opportunity of Ferroelectric Phase Formation in Nitrogendoped HfO2",
  2016 Internaltional Conference on Slid State Devices and Materials (SSDM 2016),
  (Sep.28, Tsukuba International Congress Center, Tsukuba, Japan)

• X. Tian, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, A. Toriumi,
  "Tunneling Electro-resistance Effect in Ultra-thin Ferroelectric HfO2 Junctions",
  2016 Internaltional Conference on Slid State Devices and Materials (SSDM 2016),
  (Sep.28, Tsukuba International Congress Center, Tsukuba, Japan)

• S. Shibayama, L. Su, X. Tian, S. Migita, A. Toriumi,
  "Depolarization Process in Ferroelectric HfO2 Probed by Piezo-response Force Microscopy (PFM)",
  2016 Internaltional Conference on Slid State Devices and Materials (SSDM 2016),
  (Sep.28, Tsukuba International Congress Center, Tsukuba, Japan)

• A. Toriumi,
  "Step Back for Going Beyond", plenary,
  2016 Internaltional Conference on Slid State Devices and Materials (SSDM 2016),
  (Sep.27, Tsukuba International Congress Center, Tsukuba, Japan)

• A. Toriumi, N. Fang and K. Nagashio,
  "Random telegraphic signals observed in atomically thin MoS2 FETs",invited,
  5th International Symposium on Graphene Devices(ISGD 5),
  (Jul.11-14, Queensland College of Art, Griffith University, Brisbane, Australia)

• T. Yajima,
  " Collective gate modulation in Mott transistors with ultrathin VO2 channels", invited,
  2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2016),
  (Jul.4, Hakodate Kokusai Hotel, Hakodate, Japan)

• S. Shibayama, L. Xu, S. Migita, A. Toriumi,
  "Study of Wake‐up and Fatigue Properties in Doped and Undoped Ferroelectric HfO2 in Conjunction with Piezo‐Response Force Microscopy Analysis",
  2016 Symposia on VLSI Technology and Circuits,
  (Jun. 15, Hilton Hawaiian Village, Honolulu, USA)

• A. Toriumi, S. Kabuyanagi,
  "Energy Band Gap and Phonon Frequency in Semiconductors are Material Constants ?,
  IEEE SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP 2016(SNW2016),
  (Jun. 12, Hilton Hawaiian Village, Honolulu, USA)

• Tony Chi Liu, Hiroki Ikegaya, Tomonori Nishimura, Akira Toriumi,
  "Remarkably Low Leakage Currents at Reversely Biased Ge n+/p Junctions by Passivating Interface Leakage Paths",
  7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces(ISCSI-VII)/International SiGe Technology and Device Meeting(ISTDM 2016),
  (Jun.10, 2016, the Noyori Memorial Conference Hall, Nagoya University, Aichi, Japan)
  

• Tony Chi Liu, Tomonori Nishimura, Akira Toriumi,
  "Ultimately Abrupt n+ Si/pGe Junctions Formed by Hetero-Membrane Bonding"
  7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces(ISCSI-VII)/International SiGe Technology and Device Meeting(ISTDM 2016),
  (Jun.10, 2016, the Noyori Memorial Conference Hall, Nagoya University, Aichi, Japan)
  

• Shigehisa Shibayama, Lun Xu, Xuan Tian, Shinji Migita, Akira Toriumi,
  "10-nm-Scale Ferroelectric Domain Distribution in Ferroelectric HfO2 Observed by Using Piezo-Response Force Microscopy",
  7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces(ISCSI-VII)/International SiGe Technology and Device Meeting(ISTDM 2016),
  (Jun.10, 2016, the Noyori Memorial Conference Hall, Nagoya University, Aichi, Japan)
  

• Woojin Song, Akira Toriumi,
  "Experimental and Thermodynamic Investigation of SiGe Oxidation and GeO Desorption for Controlled SiGe Gate Stack Formation"
  7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces(ISCSI-VII)/International SiGe Technology and Device Meeting(ISTDM 2016),
  (Jun.10, 2016, the Noyori Memorial Conference Hall, Nagoya University, Aichi, Japan)
  

• Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, Akira Toriumi,
  "Design of Metals for Fermi-level Pinning Modulation at Ge/Metal Interfaces",
  7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces(ISCSI-VII)/International SiGe Technology and Device Meeting(ISTDM 2016),
  (Jun.8, 2016, the Noyori Memorial Conference Hall, Nagoya University, Aichi, Japan)
  

• A. Toriumi,
  "Materials Innovation for Versatile Electron Devices in IoT Era",invited,
  The 23rd Korean Conference on Semiconductors,
  (Feb. 23, 2016, Gangwon-Province,Korea)

• T. Yajima,
  "Electrochemical hydrogen doping to oxides heterointerfaces",
  SNU-UT Ad-hoc Workshop on “Electronic and ionic processes at heterogeneous interfaces”,invited,
  (2016, Tokyo, Japan)

• Shigehisa Shibayama, Lun Xu, Shinji Migita and Akira Toriumi,
  "Study of local polarization in ferroelectric HfO2 films with piezo-response force microscope (PFM)",
  9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" O-04
  (2016, Tohoku University,Sendai, Miyagi, Japan)

• Woojin Song and Akira Toriumi,
  "Thermodynamic Control of GeOx Growth Suppression in SiGe Oxidation",
  9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" O-05
  (2016, Tohoku University,Sendai, Miyagi, Japan)

• Hiroki Ikegaya, Tomonori Nishimura and Akira Toriumi,
  "Characterization of defects in Ge substrates using deep-level transient spectroscopy (DLTS)",
  9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" P-01
  (2016, Tohoku Unibersity,Sendai, Miyagi, Japan)

• Kazutaka Izukashi, Tomonori Nishimura, Shinji Migita and Akira Toriumi,
  "Raman and XRD analysis of ferroelectric-phase HfO2 films",
  9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" P-02
  (2016, Tohoku University,Sendai, Miyagi, Japan)

Domestic

• L. Xu, T. Nishimura, S. Shibayama, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi,
  "Effects of nitrogen bonding on para-/ferroelectric transition of HfO2",
  [Young Scientist Presentation Award Speech], 招待講演,
  第77回応用物理学会秋季学術講演会　15pB9-1,
  （2016年9月15日　朱鷺メッセ、新潟市 新潟県）

• L. Xu, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi,
  "Study of polarization uniformity in N-doped ferroelectric HfO2 by piezo-response force microscopy",
  第77回応用物理学会秋季学術講演会　15p-B9-3,
  （2016年9月15日　朱鷺メッセ、新潟市　新潟県）

• 宋 宇振、鳥海 明,
  "GeO2 reduction and Si oxidation at SiGe/GeO2 interface in UHV annealing",
  第77回応用物理学会秋季学術講演会　15p-B9-11,
  （2016年9月15日　朱鷺メッセ、新潟市　新潟県）

• 柴山 茂久、徐 倫、田 璇、右田 真司、鳥海 明,
  「強誘電性HfO2膜における局所内部電界に起因する分極の不均質性」,
  第77回応用物理学会秋季学術講演会 15p-B9-2,
  （2016年9月15日、朱鷺メッセ、新潟市　新潟県）

• 鳥海 明、西村 知紀
  「Ge基板中の欠陥がFET特性に及ぼす影響」,
  第77回応用物理学会秋季学術講演会 14p-B7-10,
  （2016年9月14日、朱鷺メッセ、新潟市　新潟県）

• 矢嶋 赳彬、西村 知紀、鳥海 明,
  「2端子ニューロモルフィック素子に向けた酸化物中のプロトン揮発性の制御」,
  第77回応用物理学会秋季学術講演会 14p-B1-3,
  （2016年9月14日、朱鷺メッセ、新潟市　新潟県）

• 矢嶋 赳彬、西村 知紀、鳥海 明,
  「VO2薄膜への局所的な不純物ドープによる独立フォノンの形成」,
  第77回応用物理学会秋季学術講演会 13a-A31-5,
  （2016年9月13日、朱鷺メッセ、新潟市　新潟県）

• 宋 宇振、鳥海 明
  「Thermodynamic Control of GeO2 Suppression in SiGe Oxidation by pO2 and Temperature Manipulation」,
  第63回応用物理学会春季学術講演会 20a-S221-7
  （2016年3月20日、東京工業大学、目黒区、東京）

• 矢嶋 赳彬、西村 知紀、鳥海 明
  「VO2モットトランジスタのチャネルに形成される特異な界面相」,
  第63回応用物理学会春季学術講演会 20p-S422-5
  （2016年3月20日、東京工業大学、目黒区、東京）

• 池谷 大樹、西村 知紀、矢嶋 赳彬、鳥海 明
  「イオン注入操作によって単結晶ゲルマニウム中に生じる欠陥のDLTSによる解析」,
  第63回応用物理学会春季学術講演会 20p-S423-17
  （2016年3月20日、東京工業大学、目黒区、東京）

• 柴山 茂久、徐 倫、右田 真司、鳥海 明
  「多相HfO2膜における均一強誘電相の発現」,
  第63回応用物理学会春季学術講演会 20p-S221-16
  （2016年3月20日、東京工業大学、目黒区、東京）

• 柴山 茂久、徐 倫、右田 真司、鳥海 明
  「強誘電性HfO2膜における分極ドメインの減衰」,
  第63回応用物理学会春季学術講演会 20p-S221-17
  （2016年3月20日、東京工業大学、目黒区、東京）

• 厳樫 一孝、柴山 茂久、矢嶋 赳彬、西村 知紀、右田 真司、鳥海 明
  「ラマン分光測定及びXRDによる強誘電性YドープHfO2の構造解析」,
  第63回応用物理学会春季学術講演会 20p-S221-15
  （2016年3月20日、東京工業大学、目黒区、東京）

• Xu Lun、Nishimular Tomonori、Shibayama Shigehisa、Yajima Takeaki、Migita Shinji、Toriumi Akira
  「New finding of ferroelectricity of N doped HfO2 films」,
  第63回応用物理学会春季学術講演会 20p-S221-14
  （2016年3月20日、東京工業大学、 目黒区、東京）

• 株柳 翔一、西村 知紀、矢嶋 赳彬、鳥海 明
  「Geにおける正孔と電子のフォノン周波数に対する影響の違い」,
  第63回応用物理学会春季学術講演会 20a-S422-9
  （2016年3月20日、東京工業大学、目黒区、東京）

• Liu Chi、Ikegaya Hiroki、Nishimura Tomonori、Toriumi Akira
  「 High On-to-Off Ratio Ge n⁺p Junctions by Peripheral Passivation Control」,
  第63回応用物理学会春季学術講演会 20p-S423-14
  （2016年3月20日、東京工業大学、目黒区、東京）

• 矢嶋 赳彬、西村 知紀、鳥海 明
  「TiO2/SiO2界面への電気化学的水素ドープ」,
  第63回応用物理学会春季学術講演会 19p-H111-9
  （2016年3月19日、東京工業大学、目黒区、東京）

• 西村 知紀、矢嶋 赳彬、鳥海 明
  「界面ダイポール密度の制御による金属/Ge界面のフェルミレベルピンニング緩和の試み」,
  第63回応用物理学会春季学術講演会 19p-S423-10
  （2016年3月19日、東京工業大学、目黒区、東京）

• Fang Nan、長汐 晃輔、鳥海 明
  「Defect position analysis in MoS2 FETs by random telegraphic signals」,
  第63回応用物理学会春季学術講演会 19p-S221-7
  （2016年3月19日、東京工業大学、目黒区、東京）

• 大森 康平、矢嶋 赳彬、西村 知紀、鳥海 明
  「基板上VO2薄膜の転移応力制御によるマイクロクラックの削減と転移の急峻化」,
  第63回応用物理学会春季学術講演会 19p-H111-2
  （2016年3月19日、東京工業大学、目黒区、東京）

• Chen Jikun、Shi Jian、Zhou You、Wu Yong、Jiang Yong、Shi Xun、Chen Lidong、Yajima Takeaki、Nishimura Tomonori、Torium Akira、Ramanathan Shriram
  「Hydrogen Induced Colossal Resistance Switching in Perovskite Nickelates」,
  第63回応用物理学会春季学術講演会 19p-H111-10
  （2016年3月19日、東京工業大学、目黒区、東京）

• T. Yajima
  「TiO2チャネルトランジスタにおける移動度向上と 室温イオン注入」,招待講演
  電子デバイス界面テクノロジー研究会（第２１回）
  （2016年1月22日、 東レ研修センター、三島市、静岡県）

• A. Toriumi
  「知っておくと得するｹﾞﾙﾏﾆｳﾑ制御の三つの基本」, 招待講演
  電子デバイス界面テクノロジー研究会（第２１回）
  （2016年1月22日、東レ研修センター、三島市、静岡県）