Awards List
－2013－
Publication

• R. Ifuku, K. Nagashio, T. Nishimura, and A. Toriumi,
  "The density of states of graphene underneath a metal electrode and its correlation with the contact resistivity",
  Applied Physics Letters, 103, 033514-1 ～ 033514-5 (2013),
  published online Jul. 18, 2013,
  DOI: 10.1063/1.4815990

• T. Moriyama, K. Nagashio, T. Nishimura, and A. Toriumi,
  "Carrier density modulation in graphene underneath Ni electrode",
  Journal of Applied Physics, 114, 024503-1 ～ 024503-8 (2013),
  published online Jul. 11, 2013
  DOI:10.1063/1.4813216

• C. H. Lee, T. Nishimura, T. Tabata, D. D. Zhao, K. Nagashio, and A. Toriumi,
  "Characterization of electron mobility in ultrathin body germanium-on-insulator metal-insulator-semiconductor field-effect transistors"
  Applied Physics Letters, 102, 232107-1 ～ 232107-4 (2013),
  published online Jun. 14, 2013,
  DOI:10.1063/1.4810002

• A. Toriumi, K. Nagashio, T. Moriyama, and R. Ifuku,
  "Graphene underneath Metals",
  Ecs Transactions, Vo.l.53, No.1(2013),pp.71-79,
  DOI:10.1149/05301.007ecst

• K. Nagashio, T. Nishimura, and A. Toriumi,
  "Estimation of residual carrier density near the Dirac point in graphene through quantum capacitance measurement"
  Applied Physics Letters, 102, 173507-1 ～ 173507-4 (2013),
  published online May. 3, 2013,
  DOI:10.1063/1.4804430

• W. F. Zhang, T. Nishimula, K. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi,
  "Conduction band offset at GeO2/Ge interface determined by internal photoemission and charge-corrected x-ray photoelectron spectroscopies"
  Applied Physics Letters, 102, 102106-1 ～102106-4 (2013),
  published online Mar. 6, 2013,
  DOI:10.1063/1.4794417

• Y. Chikata, K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi,
  "Quantitative Characterization of Band-Edge Energy Positions in High-k Dielectrics by X-ray Photoelectron Spectroscopy",
  Japanese Journal of Applied Physics, 52(2013) 021101-1 ～021101-6,
  published online Jan. 16, 2013,
  DOI:10.7567/JJAP.52.021101

• T. Nishimura, S. Kabuyanagi, C. H. Lee, T. Yajima, K. Nagashio and A. Toriumi
  "Atomically Flat Germanium (111) Surface by Hydrogen Annealing. "
  ECS Trans. 58 (9), 201-206 (2013).

• S. Kabuyanagi, T. Nishimura, K. Nagashio and A. Toriumi,
  "High Electron Mobility in Germanium Junctionless n-MOSFETs. ",
  ECS Trans. 58 (9), 309-315 (2013).
  

International

• C. H. Lee, C. Lu, T. Tabata, W. F. Zhang, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi,
  Oxygen Potential Engineering of Interfacial Layer for Deep Sub-nm EOT High-k Gate Stacks on Ge
  IEEE International Electron Device Meeting (IEDM), pp. 40
  (Dec. 2013, Washington DC).

• C. H. Lee, T. Nishimura, T. Tabata, C. Lu, W. F. Zhang, K. Nagashio, and A. Toriumi,
  Reconsideration of Electron Mobility in Ge n-MOSFETs from Ge Substrate Side -Atomically flat surface formation, layer-by-layer oxidation, and dissolved oxygen extraction
  IEEE International Electron Device Meeting (IEDM), pp. 32
  (Dec. 2013, Washington DC).

• C. H. Lee, C. Lu, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi,
  Robust Interfacial Layer Y-doped GeO2 for Scalable EOT Ge Gate Stacks
  IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC)
  (Dec. 2013, Arlington).

• W.F. Zhang, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi,
  Time-evolution of Roughening Process on Atomically Flat Ge (111) Surface by Diluted H2O2 Solution
  44th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC)
  (Dec. 2013, Arlington).

• C. Lu
  Network modification of GeO2 by intermixing with trivalent oxides (Sc, Y and La)
  IWDTF
  (Nov. 7-9, 2013, Tokyo, Japan)

• X. Li
  Critical role of Si substrate in interfacial SiO2 scavenging from HfO2/SiO2/Si stacks
  IWDTF
  (Nov. 7-9, 2013, Tokyo, Japan)

• K. Nagashio
  Metal/Graphene contact, Invited
  4th A3 Symposium on Emerging Materials
  (Nov. 12, 2013, Jeju, Korea)

• T. Nishimura, S. Kabuyanagi, C. H. Lee, T. Yajima, K. Nagashio, and A. Toriumi
  Atomically Flat Germanium (111) Surface by Hydrogen Annealing
  224th ECS Meeting, (Oct.29, 2013, San Francisco)

• Shoichi Kabuyanagi, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio and Akira Toriumi
  High Electron Mobility in Germanium Junctionless n-MOSFETs
  224th ECS Meeting, (Oct 30, 2013, San Francisco)

• K. Kanayama, K. Nagashio,T. Nishimura and A.Toriumi,
  "Asymmetry of Conduction and Valence Bands in Bilayer Graphene Estimated by The Quantum Capacitance Measurement",
  2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM),
  (Sep. 27, 2013, Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka)

• S. Kabuyanagi, T. Nishimura, K.Nagashio and A.Toriumi
  "Demonstration of High Electron Mobility in Germanium n-channel Junctionless FETs",
  2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM),
  (Sep. 27, 2013, Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka)

• T. Nishimura, T. Nakamura, T. Yajima, K. Nagashio and A.Toriumi,
  "Charge neutrality level shift in the Bardeen limit of Fermi-level pinning at atomically flat Ge/metal interface",
  2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM),
  (Sep. 26, 2013, Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka)

• C. Lu, C.H. Lee, W.F.Zhang, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi,
  "Thermodynamic consideration and experimental demonstration for solving the problems of GeO2 solubility in H2O and GeO desorption from GeO2/Ge",
  2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM),
  (Sep. 26, 2013, Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka)

• C.H. Lee, T. Nishimura, T. Tabata, K. Nagashio, and A. Toriumi,
  "Layer-by-Layer GeO2 Formation in the Self-Limited Oxidation Regime of Ge",
  2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM),
  (Sep. 26, 2013, Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka)

• G. Oike, T. Yajima, T. Nishimura, K. Nagashio and A.Toriumi,
  "Significant Conductivity Enhancement of TiO2 Films by Both Field Effect and Chemical Doping",
  2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM),
  (Sep. 26, 2013, Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka)

• T. Yajima, G. Oike, T. Nishimura, K. Nagashio and A. Toriumi,
  "High-Mobility TiO2-Channel TFTs with Optimized Anatase Microstructures",
  2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM),
  (Sep. 26, 2013, Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka)

• T. Iwai, T. Yajima, T. Nishimura, K. Nagashio and A. Toriumi,
  "A New Ar Desorption Peak in Thermal Desorption Spectroscopy Measurement of Sputtered HfO2 Accompanied by its Structural Phase Transformation",
  2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM),
  (Sep. 26, 2013, Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka)

• X. Li, T. Yajima, T. Nishimura, K. Nagashio and A. Toriumi,
  "Study of the interfacial SiO2 scavenging in HfO2/SiO2/Si stacks through the ultra-high vacuum annealing"
  2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM),
  (Sep. 26, 2013, Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka)

• W.F. Zhang, C.H. Lee, C.M. Lu, T. Nishimura, K. Nagashio, K. Kita and A. Toriumi,
  "Effects of the Interface-related and Bulk-fixed Charges in Ge/GeO2 Stack on Band Bending of Ge Studied by X-ray Photoemission Spectroscopy",
  2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM),
  (Sep. 26, 2013, Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka)

• T. Tabata, C.H. Lee, T. Nishimura, K. Nagashio and A. Toriumi,
  "Effect of Oxygen Potential Lowering in N-doped GeO2 on Suppression of GeO Desorption　and Planarization of Ge Interface",
  2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM),
  (Sep. 26, 2013, Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka)

• J.L. Qi, K. Nagashio1, W. Liu, T. Nishimura and A. Toriumi,
  "Epitaxial CVD graphene growth on Cu/mica for gate stack research",
  2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM),
  (Sep. 26, 2013, Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka)

• T. Yajima, G. Oike, T. Nishimura, K. Nagashio and Akira Toriumi,
  "High Mobility Polycrystalline TiO2-Channel Field Effect Transistor",
  Workshop on Oxide Electronics 20 (WEO20),
  (Sep. 24, 2013, Singapole)

• K. Nagashio, K. Kanayama, T. Nishimura and A. Toriumi,
  "Quantum capacitance measurements in monolayer & bilayer graphene",
  2013 JSAP-MRS Joint Symposia,
  (Sep. 19, 2013, Kyotanabe Campus, Doshisha University,Kyoto)

• K. Kanayama, K. Nagashio, T. Nishimura and A. Toriumi,
  "Asymmetric upper sub-band structure in conduction & valence bands for bilayer graphene elucidated by quantum capacitance measurement"
  RPGR2013
  (Sep. 12, 2013, Tokyo Tech Front, Tokyo)

• K. Nagashio, R. Ifuku, T. Nishimura and A. Toriumi,
  "DOS estimation of graphene in the contact structre by quantum capacitance measurment"
  RPGR2013
  (Sep. 11, 2013, Tokyo Tech Front, Tokyo)
  

• C.H. Lee, C. Lu, T. Tabata, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi,
  "Enhancement of High-Ns Electron Mobility in Sub-nm EOT Ge n-MOSFETs",
  2013 Symposia on VLSI Technology,
  (Jun. 11, 2013 , Rihga Royal Hotel Kyoto, Kyoto)

• W. J. Song, W. F. Zhang, C. H. Lee, T. Nishimura, and A. Toriumi,
  "Ultra-thin GeO2 Formation by Oxygen Radicals (O*) for Advanced Ge Gate Stacks - Reaction kinetics, film quality and MIS characteristics -",
  2013 Silicon Nanoelectronics Workshop,
  (Jun. 9, 2013 , Rihga Royal Hotel Kyoto, Kyoto)

• W.F. Zhang, T. Nishimura, K. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi,
  "Impact of Oxidation Pressure on the Band Alignment at GeO2/GeProbed by Internal Photoemission Spectroscopy"
  ICSI-8 and ISCSI-VI,
  (Jun. 6, 2013, Kyushu University School of Medicine, Fukuoka) pp. 131 - 132

• X.Y. Li, T. Yajima, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi,
  "HfO2-assisted SiO2 Reduction in HfO2/SiO2/Si Stacks",
  ICSI-8 and ISCSI-VI,
  (Jun. 6, 2013, Kyushu University School of Medicine, Fukuoka) pp. 129 - 130

• T. Nishimura, T. Nakamura, and A. Toriumi,
  "Study of Strong Fermi Level Pinning at Metal/Germanium Interface Based on the Impact of Ultra-thin Insulator Insertion"
  ICSI-8 and ISCSI-VI,
  (Jun. 4, 2013, Kyushu University School of Medicine, Fukuoka) pp. 311 - 312

• C. H. Lee, T. Nishimura, T. Tabata, K. Nagashio, and A. Toriumi,
  "Ion Implantation-Induced Defects Generated in PN Junction Formation of Germanium",
  ICSI-8 and ISCSI-VI,
  (Jun. 3, 2013, Kyushu University School of Medicine, Fukuoka) pp. 225 - 226

• S. Kabuyanagi, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi,
  "Effects of PDA Ambient on Leakage Current in Poly-Ge TFTs",
  ICSI-8 and ISCSI-VI,
  (Jun. 3, 2013, Kyushu University School of Medicine, Fukuoka) pp. 155 - 156

• A. Toriumi, T. Moriyama, R. Ifuku, and K. Nagashio,
  "Graphene in contact with metals",
  E-MRS 2013 SPRING MEETING,
  (May 30, 2013, Strasbourg, France)

• A. Toriumi, C. H. Lee, T. Tabata, and T. Nishimura,
  "High performance Ge n- and p-MOSFETs for advanced CMOS", invited,
  E-MRS 2013 SPRING MEETING,
  (May 27, 2013, Strasbourg, France)

• K. Nagashio, R. Ifuku, T. Nishimura, and A. Toriumi,
  "Estimation of DOS in graphene in contact with metals by quantum capacitance measurment",
  The 40th Int. Symp. on Compound Semiconductors,
  (May 22, 2013, Kove convention center, Hyogo)

• A. Toriumi, K. Nagashio, T. Moriyama, and R. Ifuku,
  "Graphene underneath Metals", invited,
  223rd ECS Meeting,
  (May 15, 2013, Toronto)

• K. Nagashio, T. Nishimura,  and A.  Toriumi,
  "Band gap estimation in bilayer graphene through quantum capacitancemeasurement",
  APS March Meeting 2013,
  (Mar.18 , 2013, Baltimore)

• R. Ifuku, K. Nagashio, T. Nishimura, and A. Toriumi,
  "Resist-free graphene/metal interaction extracted through quantumcapacitance measurement",
  APS March Meeting 2013,
  (Mar.18 , 2013, Baltimore)

• T. Nishimura and A Toriumi,
  "Impact of Ultra-thin Insulator Insertion on Ge/Metal Interaction", invited
  6th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar,
  (Feb.23, 2013, Tohoku University, Miyagi)

• S. Kabuyanagi, T. Nishimura, K. Nagashio and A. Toriumi,
  "Substrate-oxide-sensitive Ge TFT Characteristics",
  6th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar,
  (Feb.23, 2013, Tohoku University, Miyagi)
  

• W. Song, C. H. Lee, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi,
  "Oxidation kinetics of Ge by oxygen radicals",
  ISPlasma2013,
  (Jan. 30, 2013, Nagoya University, Aichi)

• K. Nagashio, and A. Toriumi,
  "Extraction of quantum capacitance in monolayer graphene",
  ISPlasma2013,
  (Jan. 29, 2013, Nagoya University, Aichi)
  

• C.H. Lee, T. Nishimura, T.Tabata, C. Lu, W. Zhang, K. Nagashio, A. Toriumi,
  "Reconsideration of Electron Mobility in Ge n-MOSFETs from Ge Substrate Side -Atomically Flat Surface Formation, Layer-by-Layer Oxidation, and Dissolved Oxygen Extraction-",
  IEDM 2013 2.3,
  (Dec. 9, 2013, Washington DC, USA.)
  

• C.-H. Lee, C. Lu, T. Tabata, W. Zhang, T. Nishimura, K. Nagashio, A. Toriumi,
  "Oxygen Potential Engineering of Interfacial Layer for Deep Sub-nm EOT High-k Gate Stacks on Ge",
  IEDM 2013 2.5,
  (Dec. 9, 2013, Washington DC, USA.)
  

• G. Oike, T. Yajima, T. Nishimura, K. Nagashio, A. Toriumi,
  "High Electron Mobility (>16 cm2/Vsec) FETs with High On/Off Ratio (>106) and Highly Conductive Films (σ>102 S cm) by Chemical Doping in Very Thin (~20 nm) TiO2 Films on Thermally Grown SiO2",
  IEDM 2013 11.5,
  (Dec. 10, 2013, Washington DC, USA.)
  

• K. Nagashio, K. Kanayama, T. Nishimura, A. Toriumi,
  "Carrier Response in Band Gap and Multiband Transport in Bilayer Graphene Under the Ultra-High Displacement",
  IEDM 2013 19.5,
  (Dec. 10, 2013, Washington DC, USA.)
  

Domestic

• 株柳翔一, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明,
  「多結晶Ge薄膜トランジスタの電気特性に及ぼす水素および酸素の影響」,
  2013年　第74回応用物理学会秋季学術講演会,
  （2013年9月18日, 同志社大学京田辺キャンパス（京都））

• 李忠賢, 魯辞莽, 田畑俊行, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明,
  「Significant Enhancement of High-Ns electron mobility in Ge n-MOSFETs」,
  2013年　第74回応用物理学会秋季学術講演会,
  （2013年9月17日, 同志社大学京田辺キャンパス（京都））

• Lu Cimang, 李忠賢, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明,
  「Y ドープGeO2 界面層のY 濃度に依存した界面酸化膜形成」,
  2013年　第74回応用物理学会秋季学術講演会,
  （2013年9月17日, 同志社大学京田辺キャンパス（京都））
  

• 西村知紀, 矢嶋赳彬, 長汐晃輔, 鳥海明,
  「Atomically Flat Planarization of Ge (110) and (100) Surface by H2 Annealing」,
  2013年　第74回応用物理学会秋季学術講演会,
  （2013年9月17日, 同志社大学京田辺キャンパス（京都））
  

• 田畑俊行, 李忠賢, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明,
  【講演奨励賞受賞記念講演】
  「Oxygen Potential Lowering in N-doped GeO2 for Ge MIS Gate Stack Design in Extremely Thin EOT Region 」,
  2013年　第74回応用物理学会秋季学術講演会,
  （2013年9月17日, 同志社大学京田辺キャンパス（京都））

• 矢嶋赳彬, 二宮裕磨, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明,
  「相選択エッチングによる100nm幅VO2ナノワイヤの作製」,
  2013年　第74回応用物理学会秋季学術講演会,
  （2013年9月16日, 同志社大学京田辺キャンパス（京都））

• 長汐晃輔,
  「Si集積化の限界を超える　–グラフェンFET実現へ向けて-」,招待講演
  SEMI FORUM JAPAN 2013,
  （2013年5月21日, グランキューブ大阪（大阪））
• 矢嶋赳彬, 小池豪, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明,
  「アナターゼ結晶相の微細構造制御によるTiO2チャネルTFTの高移動度化」
  2013年　第60回応用物理学会春季学術講演会,
  （2013年3月29日, 神奈川工科大学（神奈川））,

• 小池豪, 矢嶋赳彬, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明,
  「酸素雰囲気熱処理によるTiO2チャネルTFT閾値電圧の大幅減少」,
  2013年春季　第60回応用物理学会学術講演会,
  （2013年3月29日, 神奈川工科大学（神奈川））,

• 張文峰, 西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明,
  「XPSによるGeO2/Ge界面の価電子帯バンドオフセットの決定」,
  2013年　第60回応用物理学会春季学術講演会,
  （2013年3月29日, 神奈川工科大学（神奈川））,

• 張文峰, 西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明,
  「Internal Photo-emission法によるGeO2/Ge界面における伝導帯バンドオフセットの決定」,
  2013年　第60回応用物理学会春季学術講演会,
  （2013年3月29日, 神奈川工科大学（神奈川））,

• 西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明,
  「極薄絶縁膜の導入によるAu/Ge界面反応の抑制とフェルミレベルピンニング」,
  2013年　第60回応用物理学会春季学術講演会,
  （2013年3月29日, 神奈川工科大学（神奈川））,

• 井福亮太, 森山喬史, 長汐晃輔, 西村知紀, 鳥海明,
  「レジストフリープロセスによるグラフェン電子デバイスの作製」,
  2013年　第60回応用物理学会春季学術講演会,
  （2013年3月29日, 神奈川工科大学（神奈川））,

• 井福亮太, 長汐晃輔, 西村知紀, 鳥海明,
  「金属と接触したグラフェンの量子容量測定による状態密度の抽出と結合機構の解明」,
  2013年　第60回応用物理学会春季学術講演会,
  （2013年3月29日, 神奈川工科大学（神奈川））,

• 長汐晃輔, 井福亮太, 森山喬史, 西村知紀, 鳥海明,
  「レジストフリーコンタクト形成プロセスに基づくグラフェン/金属界面の理解」,
  2013年　第60回応用物理学会春季学術講演会,
  （2013年3月29日, 神奈川工科大学（神奈川））,

• 金山薫, 長汐晃輔, 西村知紀, 鳥海明,
  「量子容量測定による2層グラフェンにおける分散関係の非対称性の解析」,
  2013年　第60回応用物理学会春季学術講演会,
  （2013年3月29日, 神奈川工科大学（神奈川））,

• 西村知紀, 李忠賢, 長汐晃輔, 鳥海明,
  「水素アニールによるGe(111)表面の原子レベル平坦化」,
  2013年　第60回応用物理学会春季学術講演会,
  （2013年3月28日, 神奈川工科大学（神奈川））,

• 宋宇振, 李忠賢, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明,
  「Ge基板のラジカル酸化で形成したGeO2膜質の熱処理による変化」,
  2013年　第60回応用物理学会春季学術講演会,
  （2013年3月28日, 神奈川工科大学（神奈川））,

• 李忠賢, 西村知紀, 田畑俊行, 長汐晃輔, 鳥海明,
  「低温高圧酸化によるEOT 1.2nm Ge/GeO2スタックの形成」,
  2013年　第60回応用物理学会春季学術講演会,
  （2013年3月28日, 神奈川工科大学（神奈川））,

• 岩井貴雅, 矢嶋赳彬, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明,
  「cubic相HfO2薄膜の室温における安定化機構の検討」,
  2013年　第60回応用物理学会春季学術講演会,
  （2013年3月28日, 神奈川工科大学（神奈川））,

• 田畑俊行, 長汐晃輔, 鳥海明,
  「高圧不活性ガスPDAによるAlN/Geゲートスタックの実現」,
  2013年　第60回応用物理学会春季学術講演会,
  （2013年3月28日, 神奈川工科大学（神奈川））,

• 中村俊允, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明,
  「絶縁膜を挿入したGe Schottky Diodeの抵抗の支配要因」,
  2013年　第60回応用物理学会春季学術講演会,
  （2013年3月28日, 神奈川工科大学（神奈川））,

• 斉鈞雷, 長汐晃輔, 西村知紀, 鳥海明,
  「CH4-CVD単層グラフェン成長におけるH2流量効果」,
  2013年　第60回応用物理学会春季学術講演会,
  （2013年3月27日, 神奈川工科大学（神奈川））,

• 長汐晃輔, 井福亮太, 森山喬史, 西村知紀, 鳥海明,
  「グラフェン/金属コンタクト形成に対する理解と制御」, 招待講演
  応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会　第158回研究集会,
  （2013年3月7日, 早稲田大学（東京））,

• 長汐晃輔, 井福亮太, 森山喬史, 西村知紀, 鳥海 明,
  「本質的なグラフェン/金属界面特性」, 招待講演,
  応用物理学会分科会, 電子情報通信学会（IEDM特集）,
  （2013年1月30日, 東京）

• 長汐晃輔, 西村知紀, 鳥海明,
  「量子容量測定によるグラフェンの状態密度抽出」,
  ゲートスタック研究会－材料・プロセス・評価の物理－（第18回研究会）, pp115-118,
  （2013年1月26日, 湯河原）

• 株柳翔一, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明,
  「固相結晶化で形成した多結晶Ge薄膜トランジスタの電気特性に下地SiO2の表面状態が及ぼす影響」,
  ゲートスタック研究会－材料・プロセス・評価の物理－（第18回研究会）, pp35-38,
  （2013年1月25日, 湯河原）

• 岩井貴雅, 矢嶋赳彬, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明,
  「Arスパッタによって形成されたHfO2薄膜中のArが結晶化相変態に与える影響」,
  ゲートスタック研究会－材料・プロセス・評価の物理－（第18回研究会）, pp127-130,
  （2013年1月25日, 湯河原）

• 張文峰, 西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明,
  「XPSによるGeO2/Ge界面のバンドオフセットの決定」,
  ゲートスタック研究会－材料・プロセス・評価の物理－（第18回研究会）, pp167-170,
  （2013年1月25日, 湯河原）

• 小池豪, 矢嶋赳彬, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明,
  「TiO2チャネルTFT特性に及ぼす酸素雰囲気熱処理の特異な効果」,
  ゲートスタック研究会－材料・プロセス・評価の物理－（第18回研究会）, pp265-268,
  （2013年1月25日, 湯河原）