Toriumi Lab. Dept. of Materials Engineering, The Univ. of Tokyo
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　Awards List

ー2007ー

Publication

  • A.Toriumi,K.Kita,M.Toyama and H.Nomura,
    "Interface Properties of High-k Dielectrics on Germanium",in "Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors",ed.by A.Dimoulas,E.Gusev,P.c.Mclntyre and M.Heyns    ,pp.257-267(2007,Springer)
  • Y.Yamamoto, K.Kita, K.Kyuno and A.Toriumi,
    "Study of La-Induced Flatband Voltage Shift in Metal/HfLaOx/SiO2/Si Capacitors"
    Jpn. J. Appl. Phys. 46 (11)7251-7255 (2007)
  • T. Nishimura, K. Kita, and A. Toriumi,
    "Evidence for strong Fermi-level pinning due to metal-induced gap states at metal/germanium interface"
    Appl. Phys. Lett. 91, 123123 (2007)

  • A. Toriumi,
    "Current Status and Perspective of High-k Gate Stack Materials Engineering for Further Scaled CMOS"
    ECS Trans.11(6) pp.3-16 (2007)
  • K. Kita, S. Suzuki, H. Nomura, T. Takahashi, T. Nishimura　and A. Toriumi,
    "Dramatic Improvement of GeO2/Ge MIS Characteristics　by Suppression of GeO Volatilization"　
    ECS Trans. 11 (4) pp.461-469 (2007).
  • Y. Zhao, K. Kita, K. Kyuno, and A. Toriumi,
    "Suppression of Leakage Current and Moisture Absorption of La2O3 Films with Ultraviolet Ozone Post Treatment"
    Jpn. J. Appl. Phys. Pt.1, 46(7), 4189(2007).
  • A. Toriumi and K. Kita,
    "Material Engineering of High-k Gate Dielectrics"
    Dielectric Films for Advanced Microelectronics, M.Baklanov, M.Green and K.Maex (ed.),John Wiley & Sons, Ltd, 2007, pp.297-336
  • Y. Zhao, K. Kita, K. Kyuno, and A. Toriumi.
    "Mechanisms of and Solutions to Moisture Absorption of Lanthanum Oxide as High k Gate Dielectric"
    ECS Trans. 6 (1) 141 (2007)

International
  • T. Takahashi, T. Nishimura, L. Chen, S. Sakata, K. Kita and A. Toriumi
    "Proof of Ge-Interfacing Concepts for Metal/High-k/Ge CMOS -Ge-intimate Material Selection and Interface Conscious Process Flow"
    2007 International Electron Device Meeting （IEDM）, pp. 697-700
    （Dec.2007,Washington DC)

  • A. Toriumi, K. Kita, K. Tomida, Y. Zhao, J. Widiez, T. Nabatame, H. Ota and M. Hirose
    "Materials Science-based Device Performance Engineering for Metal Gate High-k CMOS"
    2007 International Electron Device Meeting （IEDM）, pp. 53-56
    （Dec.2007,Washington DC) (Invited)
  • T. Nishimura, K.Kita, A. Toriumi
    "A Significant Shift of Strongly Pinned Charge Neutrality Level at Metal/Germanium Interface by Inserting Ultra-thin Oxides"
    38th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference International(SISC2007)（Dec. 2007, Arlington)
  • K. Kita, T.Takahashi, H.Nomura, S.Suzuki, T.Nishimura, A.Toriumi
    "Control of High-k / Ge Interface Properties through Selection of High-k Materials and Suppression of GeO Volatilization" Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interface(ISCSI-V) Extended Abstracts and Program pp. 249-250
    (Tokyo, Nov 2007) (Invited)
  • T. Nishimura, K. Kita, and A. Toriumi
    "Control of Fermi-Level Pinning at Metal/Germanium Interface by Inserting Ultra-thin Oxides" Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interface(ISCSI-V) Extended Abstracts and Program pp. 67-68 (Tokyo, Nov 2007)
  • A.Toriumi, T.Nishimura, K.Kita
    "On the control of GeO2/Ge and metal/Ge interfaces"
    3rd International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    (Sendai, Nov 2007）(Invited)
  • A.Toriumi, K.Kita, T.Nishimura, and T. Takahashi
    "Interfacing Control of Dielectric Films and Metals on Germanium for CMOS Application"
    The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (Kyoto, Oct. 2007) (Invited)
  • A. Toriumi,
    "Current Status and Perspective of High-k Gate Stack
    Materials Engineering for Further Scaled CMOS"
    212th Electrochemical Society Meeting (Washington DC, Oct. 2007) (invited)
  • K. Kita, S. Suzuki, H. Nomura, T. Takahashi, T. Nishimura
    and A. Toriumi,
    "Dramatic Improvement of GeO2/Ge MIS Characteristics
    by Suppression of GeO Volatilization,"
    212th Electrochemical Society Meeting (Washington DC, Oct.2007)
  • A.Toriumi,
    "High-k dielectric films for advanced microelectronics"
    International Conference <Micro- and Nanoelectronics2007>
    (Moscow-Zvenigorod, Oct. 2007) (Invited)
  • S. Suzuki, K. Kita, H. Nomura, T. Nishimura, and A. Toriumi
    "Direct Evidence of GeO Volatilization from GeO2 Films and Impact of Its Suppression on GeO2/Ge MIS Characteristics." Extended Abstracts of 2007 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), pp.20-21 (Sep. 2007, Tsukuba)
  • T. Takahashi, and Y. Zhao, T. Nishimura, K. Kita, and A. Toriumi
    "Thermally Robust Germanium MIS Gate Stacks with LaYO3 Dielectrics Films." Extended Abstracts of 2007 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), pp.26-27 (Sep. 2007, Tsukuba)
  • T. Nishimura, K. Kita, and A. Toriumi
    "Effect of Ultra-thin Al2O3 Insertion on Fermi-level Pinning at Metal/Ge Interface." Extended Abstracts of 2007 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), pp.842-843 (Sep. 2007, Tsukuba)
  • J. Widiez, K. Kita, T. Nishimura, and A. Toriumi
    "Advanced Characterization of High-k Gate Stack by Internal Photo Emission(IPE) : Interfacial Dipole and Band Diagram in Al/Hf(Si)O2/Si MOS Structure. " Extended Abstracts of 2007 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), pp.1028-1029 (Sep. 2007, Tsukuba)
  • K. Tomida, K. Kita and, A. Toriumi
    "Origin of Structural Phase Transformation of SiO2-doped HfO2"Extended Abstracts of 2007 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), pp.1032-1033 (Sep. 2007, Tsukuba)
  • T. Yokoyama, C. B. Park, Y. Kikuchi, T. Nishimura, K. Kita and, A. Toriumi
    "Mobility Improvement of Pentacene Thin Film Transistors by Introduction of H2 during Evaporation." Extended Abstracts of 2007 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), pp.1092-1093 (Sep. 2007, Tsukuba)
  • C. B. Park, T. Yokoyama,T. Nishimura, K. Kita, and A. Toriumi
    "Evidence of Electron Trapping Center at Pentacene/SiO2 Interface." Extended Abstracts of 2007 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), pp.1094-1095 (Sep. 2007, Tsukuba)
  • A. Toriumi, H. Nomura, S. Suzuki, T. Nishimura, and K. Kita "Interface Properties of Ge with Dielectrics and Metals" 5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI), (May. 2007, Marseille) (Invited)
  • A.Toriumi and K.Kita "Ternary High-k Dielectrics for Advanced CMOS" International Workshop on High-k Dielectrics on High Electron Mobility Channel Materials, (May 2007 National Tsing Hua Univ. ,Taiwan) (Invited)

  • A.Toriumi, K.Kita and T.Nishimura "High-k Dielectrics and Metals on Germanium" International Workshop on High-k Dielectrics on High Electron Mobility Channel Materials, (May 2007 National Tsing Hua Univ. ,Taiwan) (Invited)

  • Y. Zhao, K. Kita, K. Kyuno, and A. Toriumi "Mechanisms of and Solutions to Moisture Absorption of Lanthanum Oxide as High k Gate Dielectric" 211th Meeting of The Electrochemical Society (ECS), (May. 2007, Chicago)
  • A.Toriumi, "Ternary Oxides for Advanced CMOS Gate Dielectrics"
    International Workshop on Advanced Materials and Technologies for Nano and Oxide Electronics, (Feb. 2007, New Delhi) (Invited)

  • T. Yokoyama, C.B. Park, T. Nishimura, K. Kita, K. Kyuno and A. Toriumi,
    "Study of Mobility Limitation Factors in Pentacene Thin Film Transistors",
    4th International Conference on Molecular Electronics and Bioelectronics (M&BE4), p.77 (Mar. 2007, Tokyo)


Domestic

  • 横山孝理，朴昌範，菊池裕一, 西村知紀，喜多浩之，鳥海明
    「蒸着中時に水素を導入することによるペンタセンＴＦＴの移動度向上」
    応用物理学会　秋季講演会　（2007年9月）
  • 西村知紀、喜多浩之、鳥海明
    「金属/Ge接合界面への極薄GeOxの導入によるフェルミレベルピンニングの緩和」
    応用物理学会　秋季講演会　（2007年9月）
  • 富田 一行、喜多 浩之、鳥海 明
    「基板加熱スパッタによるHfO2膜の結晶化促進と著しい誘電分散の出現」
    応用物理学会　秋季講演会　（2007年9月）
  • 喜多浩之，能村英幸，鈴木翔，高橋俊岳，西村知紀，鳥海明
    ”Ge/High-k膜の界面反応に着目した電気特性の制御”
    応用物理学会・シリコンテクノロジー分科会 第93回研究集会 「ゲートスタック構造の新展開」
    電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会共催 (2007年6月，東広島）
  • 朴 昌範，横山孝理，西村知紀，喜多浩之，鳥海明
    「Effect of Interface State Modification and Molecular Ordering for
    Reducing Bias-Induced Threshold Voltage Shift in Pentacene Field Effect Transistors」
    第54回応用物理学関係連合講演会（2007年3月，相模原）
  • 横山孝理，朴 昌範，西村知紀，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海明
    「ペンタセンTFTにおける移動度決定要因の評価」
    第54回応用物理学関係連合講演会（2007年3月，相模原）
  • Julie Widiez，西村知紀，喜多浩之，鳥海明
    「Determination of electron energy barrier profiles in HfO    2
    dielectric using internal photoemission (IPE)」
    第54回応用物理学関係連合講演会（2007年3月，相模原）
  • 山本芳樹，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海明
    「Au/HfLaOx/SiO    2/SiキャパシターにおけるVFBの組成依存性とその起源の考察」
    第54回応用物理学関係連合講演会（2007年3月，相模原）
  • 趙毅，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海明
    「La    2O3へのY添加による吸湿の抑制と高誘電率化」
    第54回応用物理学関係連合講演会（2007年3月，相模原）
  • 趙毅，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海明
    「高誘電率と高結晶化温度を持つLaTaOxゲート絶縁膜」
    第54回応用物理学関係連合講演会（2007年3月，相模原）
  • 能村英幸，西村知紀，喜多浩之，鳥海明
    「GeO    2/GeとGeO2/SiO2/SiでのGeO2の下地との反応性の違いによる電気特性の差異」
    第54回応用物理学関係連合講演会（2007年3月，相模原）
  • 鈴木翔，西村知紀，喜多浩之，鳥海明
    「GeO    2/Ge構造におけるGeOの脱離による特性劣化の検証とその抑制手法の検討」
    第54回応用物理学関係連合講演会（2007年3月，相模原）
  • 能村英幸，西村知紀，喜多浩之，鳥海明
    「Y    2O3/GeとHfO2/Geの界面層消失機構の違いと界面特性への影響」
    第54回応用物理学関係連合講演会（2007年3月，相模原）
  • 高橋俊岳，趙毅，能村英幸，西村知紀，喜多浩之，鳥海明
    「高誘電率(LaxY1-x)    2O3/Ge MIS特性の実証」
    第54回応用物理学関係連合講演会（2007年3月，相模原）
  • 濱石光洋，西村知紀，喜多浩之，鳥海明
    「Metal/Ge接合におけるdisorder層の挿入によるピニング準位のシフト」
    第54回応用物理学関係連合講演会（2007年3月，相模原）
  • 西村知紀，喜多浩之，鳥海明
    「Sulfurのmetal/Ge接合界面への導入による
    Fermi level pinningへの影響」第54回応用物理学関係連合講演会（2007年3月，相模原）
  • 佐々木直敬，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海明
    「UHV-C-AFMによるPt上におけるHfO    2薄膜の電流路の生成・消滅過程の直接観察」
    第54回応用物理学関係連合講演会（2007年3月，相模原）
  • 喜多　浩之，能村　英幸，西村　知紀，鳥海　明
    「High-k/Ge MISキャパシタ特性のHigh-k材料による違いの起源」
    ゲートスタック研究会 - 材料・プロセス・評価の物理 - （2007年2月） pp.165-170
  • 富田　一行，喜多　浩之，鳥海 明
    「極薄Si Doped HfO    2のリーク機構の解明とトンネル有効質量の決定」
    ゲートスタック研究会 - 材料・プロセス・評価の物理 - （2007年2月） pp.257-262



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