Awards List
－2014－
Publication

• Xiuyan Li, Takeaki Yajima, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, and Akira Toriumi
  "Effect of Si substrate on interfacial SiO2 scavenging in HfO2/SiO2/Si stacks."
  Appl. Phys. Lett. 105, 182902 (2014).

• Cimang Lu, Choong Hyun Lee, Wenfeng Zhang, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, and Akira Toriumi
  "Structural and thermodynamic consideration of metal oxide doped GeO2 for gate stack formation on germanium."
  J. Appl. Phys. 116, 174103 (2014).

• C. H. Lee, T. Nishimura, C. Lu, W. Zhang, K. Nagashio, and A. Toriumi
  "Significant enhancement of High-Ns Electron Mobility in Ge n-MOSFETs with Atomically Flat Ge/GeO2 Interface."
  ECS Transaction 61 (3), 147 (2014).

• Tomonori Nishimura, Shoichi Kabuyanagi, Wenfeng Zhang, Choong Hyun Lee, Takeaki Yajima, Kosuke Nagashio, and Akira Toriumi
  "Atomically flat planarization of Ge(100), (110), and (111) surfaces in H2 annealing. "
  Applied Physics Express 7, 051301 (2014).

• J L Qi, K Nagashio, T Nishimura and A Toriumi
  "The crystal orientation relation and macroscopic surface roughness in heteroepitaxial graphene grown on Cu/mica. "
  Nanotechnology 25, 185602 (2014).

• C. Lu, C. H. Lee, W. Zhang, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
  "Enhancement of thermal stability and water resistance in yttrium-doped GeO2/Ge gate stack. "
  Applied Physics Letters 104, 092909 (2014).

• S. Kabuyanagi, T. Nishimura, K. Nagashio and A. Toriumi
  "Impacts of oxygen passivation on poly-crystalline germanium thin film transistor. "
  Thin Solid Films 557, 334-337 (2014).

• Xiuyan Li, Takeaki Yajima, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio and Akira Toriumi
  "HfO2-assisted SiO2 reduction in HfO2/SiO2/Si stacks. "
  Thin Solid Films 557, 272-275 (2014).

International conference

• C. H. Lee, T. Nishimura, C. Lu, S. Kabuyanagi and A. Toriumi
  "Dramatic Effects of Hydrogen-induced Out-diffusion of Oxygen from Ge Surface on Junction Leakage as well as Electron Mobility in n-channel Ge MOSFETs. "
  IEDM 2014, 32.5
  (Dec. 17, 2014, San Francisco, USA)

• X. Li, T. Yajima, T. Nishimura, K. Nagashio and A. Toriumi
  "Analytical Formulation of SiO2-IL Scavenging in HfO2/SiO2/Si Gate Stacks: A Key is the SiO2/Si Interface Reaction. "
  IEDM 2014, 21.2
  (Dec. 16, 2014, San Francisco, USA)

• C. Lu, C. H. Lee, T. Nishimura, and A. Toriumi
  "Interface Friendly High-k Dielectrics for Sub-nm EOT Gate Stacks Formation on Germanium. "
  2014 IEEE 45th SISC, 13.3
  (Dec. 13, 2014, San Diego, USA)

• T. Nishimura, S. Kabuyanagi, C. H. Lee, T. Yajima, K. Nagashio, and A. Toriumi
  "Merits and demerits of H2-annealing in GeO2/Ge gate stacks. "
  JSPS International Core-to-Core Program Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration
  (Nov. 13, 2014, Leuven, Belgium)

• A. Toriumi, C. Lee, C. Lu, and T. Nishimura
  "High Electron Mobility n-Channel Ge MOSFETs with Sub-Nm EOT", Invited
  ECS 226th Meeting
  (Oct. 6, 2014, Cuncun, Mexico)　　　　　　　

• S. Kabuyanagi, T. Nishimura, T. Yajima, K. Nagashio, and A. Toriumi
  "Validity of Direct-gap Photoluminescence Analysis for Nondestructive Characterization of Oxide/Germanium Interface. "
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014), F2-3
  (Sep. 9, 2014, Tsukuba, Japan)

• X. Li, T. Yajima, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
  "SiO2-interface Layer Reduction in HfO2 Gate Stacks through Sisubstrate Oxidation. "
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014), F-3-3
  (Sep. 10, 2014, Tsukuba, Japan)

• T. Yajima, T. Nishimura, and A. Toriumi
  "Control of Metal-to-Insulator Phase Transition in VO2 Thin Films via Interface Engineering. "
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014), H-4-2
  (Sep. 10, 2014, Tsukuba, Japan)

• T. Nishimura, T. Yajima, K. Nagashio, and A. Toriumi
  "Toward 1-nm-EOT Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric Films. "
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014), PS-1-13
  (Sep. 10, 2014, Tsukuba, Japan)

• W.J. Liu, K. Nagashio, T. Nishimura, and A. Toriumi
  "Defect Generation in Mono-layer Graphene in O2-PDA and FGA. "
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014), PS-13-4
  (Sep. 10, 2014, Tsukuba, Japan)

• C. Lu, C.H. Lee, T. Nishimura1,2, K. Nagashio and A. Toriumi
  "Impact of YScO3 on Ge Gate Stack in Terms of EOT Reduction as Well as Interface. "
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014), F-7-2
  (Sep. 11, 2014, Tsukuba, Japan)

• C.H. Lee, T. Nishimura1,2, K. Nagashio and A. Toriumi
  "Origin of Self-limiting Oxidation of Ge in High-Pressure O2 at Low Temperature. "
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014), F-7-3
  (Sep. 11, 2014, Tsukuba, Japan)

• F. Nan, K. Nagashio and A. Toriumi
  "Subthreshold transport in mono- and multi-layered MoS2 FETs. "
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014), P-8-4
  (Sep. 11, 2014, Tsukuba, Japan)

• A. Toriumi
  "Advanced Gate Stacks from Materials Perspective"
  nano-KISS 2014
  (Jul. 15, 2014, Daejeon, Korea)

• A. Toriumi
  "Be more positive about Ge FETs", Invited
  AWAD 2014
  (Jul. 3, 2014, Kanazawa, Japan)

• T. Nishimura, C. Lee, T. Yajima, K. Nagashio, and A. Toriumi
  "Atomic-scale planarization of Ge (111), (110) and (100) surfaces. "
  International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM)
  (Jun. 3, 2014, Singapore)

• X. Li, T. Yajima, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
  " Kinetic Model for Scavenging of SiO2 Interface Layer in HfO2 Gate Stacks."
  2014 Silicon nanoelectronic workshop, S2-5
  (June, 8-9th, 2014, Hawaii, USA)

• W.F. Zhang, C.H. Lee, T.Nishimura,and A. Toriumi
  "Conduction-band Tail States of Thermally Grown GeO2 on Ge Detected by Internal Photoemission Spectroscopy"
  2014 Silicon nanoelectronic workshop, S2-5
  (June, 8-9th, 2014, Hawaii, USA)

• C. H. Lee, C. Lu, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
  " Thermally Robust CMOS-aware Ge MOSFETs with High Mobility at High-carrier Densities on a Single Orientation Ge Substrate"
  Symposium on VLSI Technology (VLSI), pp. 144
  (June 11, 2014, Hawaii, USA)

• T. Nishimura, C. Lee, T. Yajima, K. Nagashio, and A. Toriumi
  "Atomic-scale planarization of Ge (111), (110) and (100) surfaces"
  International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2014)
  (June 3, 2014, Singapore)

• A. Toriumi, C. H. Lee, C. Lu, and T. Nishimura, Invited
  "High electron mobility n-channel Ge MOSFETs with sub-nm EOT"
  International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2014)
  (June 2, 2014, Singapore)

• A. Toriumi
  "Advanced Gate Stacks on Column IV Semiconductors from Materials Perspective"
  International Conference on IC Design and Technology (ICICDT 2014)
  (May 28, 2014, Austin, USA)

• C. H. Lee, T. Nishimura, C. Lu, W. Zhang, K. Nagashio, and A. Toriumi
  " Significant enhancement of High-Ns Electron Mobility in Ge n-MOSFETs with Atomically Flat Ge/GeO2 Interface"
  The 225th Electrochemical Society Meeting (ECS)
  (May 2014, Orlando, USA)

• C. H. Lee, T. Nishimura, C. Lu, W. F. Zhang, K. Nagashio, and A. Toriumi
  " Enhancement of High-Ns Electron Mobility in Ge(111) n-MOSFETs by the Formation of Atomically Flat GeO2/Ge Interface"
  7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
  (Jan. 27-28, 2014, Sendai, Japan)

• S. Kabuyanagi, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
  "Direct Band Gap Modulation in Ultra-thin Highly Doped n-type GeOI "
  7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
  (Jan. 27-28, 2014, Sendai, Japan)

• C. Lu, C. H. Lee, W. Zhang, T. Nishimura, K. Nagashio and A. Toriumi
  " Selection of desirable trivalent metal oxides as doping material into GeO2 "
  7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
  (Jan. 27-28, 2014, Sendai, Japan)

• Cimang Lu, Choong Hyun Lee, Wenfeng Zhang, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, and Akira Toriumi
  " Thermodynamically Controlled GeO2 by Introducing M2O3 for Ultra-thin EOT Ge Gate Stacks. "
  2014 MRS Spring BB8.01
  (Apr. 21-26, 2014, San Francisco, USA.)

• T. Yajima, G. Oike, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
  " Large mobility increase in the TiO2-channel transistor by using the defect-controlled TiO2 film. "
  2014 MRS Spring K7.24
  (Apr. 21-26, 2014, San Francisco, USA.)

Domestic

• 鳥海明
  「SiO2とGeO2は何が違うのだろうか」
  将来デバイスに向けたシリコン系基盤研究の集い
  （2014年11月7日, 島根大学総合理工学部多目的ホール（島根））

• 鳥海明
  「薄膜から二次元材料へ」（招待講演）
  薄膜材料デバイス研究会　第11回研究集会「薄膜材料デバイスの機能と物理」
  （2014年10月31日, 龍谷大学響宮古ホール校友会館（京都））

• 矢嶋赳彬，小池豪，西村知紀，鳥海明
  「付着金属の電気化学効果によるTiO2薄膜への電子ドープ」,
  2014年 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 19a-A12-5
  （2014年9月19日, 北海道大学札幌キャンパス（札幌））

• 李秀妍，矢嶋赳彬，西村知紀，長汐晃輔，鳥海明
  「Evidence for Si up-diffusion during scavenging of interfacial SiO2 in HfO2/SiO2/Si stack」,
  2014年 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 19a-A17-1
  （2014年9月19日, 北海道大学札幌キャンパス（札幌））

• 西村知紀，矢嶋赳彬，長汐晃輔，鳥海明
  「Hf1-xZrxO2-HfO2積層膜におけるHfO2膜の強誘電的特性の発現」,
  2014年 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 19a-A17-2
  （2014年9月19日, 北海道大学札幌キャンパス（札幌））

• 矢嶋赳彬，西村知紀，鳥海明
  「VO2/W:VO2ヘテロ構造を用いた金属絶縁体転移の非局所性の評価」,
  2014年 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-A10-15
  （2014年9月19日, 北海道大学札幌キャンパス（札幌））

• 矢嶋 赳彬，二宮 裕磨，西村 知紀，長汐 晃輔，鳥海 明
  「界面制御に依るVO2極薄膜の相転移温度変調」,
  2014年　第74回応用物理学会春季学術講演会, 18a-E8-7
  （2014年3月18日, 青山学院大学相模原キャンパス（相模原））

• 二宮 裕磨，矢嶋 赳彬，西村 知紀，長汐 晃輔，鳥海 明
  「エピタキシャルVO2薄膜中の転移応力に起因する不均質な電子相ドメイン構造」
  2014年　第74回応用物理学会春季学術講演会, 18a-E8-8
  （2014年3月18日, 青山学院大学相模原キャンパス（相模原））

• 濱崎　拡，株柳翔一，西村知則，長汐晃輔，鳥海　明
  「Ge(111)基板上にエピタキシャル成長したGe1-xSnx膜の表面構造に与えるSnの影響」
  2014年　第74回応用物理学会春季学術講演会, 18p-E14-17
  （2014年3月18日, 青山学院大学相模原キャンパス（相模原））

• 金山薫，長汐晃輔，西村友紀，鳥海明
  「高圧O2アニールによる2層グラフェン上Y2O3ゲート絶縁膜の電気的絶縁性の向上」
  2014年　第74回応用物理学会春季学術講演会, 19p-E2-1
  （2014年3月18日, 青山学院大学相模原キャンパス（相模原））

• 金山薫，長汐晃輔，西村友紀，鳥海明
  「容量測定による2層グラフェンにおけるギャップ内準位の解析」
  2014年　第74回応用物理学会春季学術講演会, 19p-E2-2
  （2014年3月19日, 青山学院大学相模原キャンパス（相模原））

• 高橋伸尭、長汐晃輔、西村知紀、鳥海明、谷口尚、渡辺賢司
  「ALDによるh-BN上へのhigh-k Y2O3絶縁膜の直接堆積」
  2014年　第74回応用物理学会春季学術講演会, 19p-E2-5
  （2014年3月19日, 青山学院大学相模原キャンパス（相模原））

• W.J.Liu, K. Nagashio, A. Toriumi
  「Defect generation in mono- and bi-layer graphene in O2 annealing」
  2014年　第74回応用物理学会春季学術講演会, 19p-E2-08
  （2014年3月19日, 青山学院大学相模原キャンパス（相模原））

• W.F. Zhang, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
  「Conduction Band Tail States at GeO2/Ge Interface Probed by InternalPhotoemission Spectroscopy」
  2014年　第74回応用物理学会春季学術講演会, 19p-PG4-2
  （2014年3月19日, 青山学院大学相模原キャンパス（相模原））

• W.F. Zhang, C.M. Lu, C.H. Lee, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
  「Surface Cleaning of (100) n-Ge by H2O?2 Aqueous Solution 」
  2014年　第74回応用物理学会春季学術講演会, 19p-PG4-3
  （2014年3月19日, 青山学院大学相模原キャンパス（相模原））

• 李 忠賢, 西村　知紀、魯　辞莽、張　文峰、長汐　晃輔、鳥海　明
  「Improvement of High-Ns Electron Mobility in Ge n-MOSFETs with Atomically Flat GeO2/Ge Interface」
  2014年　第74回応用物理学会春季学術講演会, 20a-F10-3
  （2014年3月20日, 青山学院大学相模原キャンパス（相模原））

• Xiuyan Li, Takeaki Yajima, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio and Akira Toriumi
  「Significant effects of semiconductor substrate on interfacial SiO2 scavenging in HfO2 gate stacks through ultra-high vacuum annealing」
  2014年　第74回応用物理学会春季学術講演会, 20a-F10-4
  （2014年3月20日, 青山学院大学相模原キャンパス（相模原））

• 中村俊允、西村友紀、長汐晃輔、鳥海明
  「Pをイオン注入したGeにおける不純物活性化と結晶性の回復過程」
  2014年　第74回応用物理学会春季学術講演会, 20a-F10-5
  （2014年3月20日, 青山学院大学相模原キャンパス（相模原））

• 株柳翔一, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
  「Electron Mobility and Leakage Current in Double-gated Ge Junctionless n-MOSFETs」
  2014年　第74回応用物理学会春季学術講演会, 20a-F10-6
  （2014年3月20日, 青山学院大学相模原キャンパス（相模原））

• 株柳翔一, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
  「Multiple Origins of Direct-gap Modulation in Ultra-thin Highly-doped GeOI」
  2014年　第74回応用物理学会春季学術講演会, 20a-F10-7
  （2014年3月20日, 青山学院大学相模原キャンパス（相模原））

• 岩井貴雅，矢嶋赳彬，西村知紀，長汐晃輔，鳥海　明
  「Reinvestigation of the role of Ar in structural phase transformation of sputtered HfO2」
  2014年　第74回応用物理学会春季学術講演会, 20a-F10-8
  （2014年3月20日, 青山学院大学相模原キャンパス（相模原））

• C. Lu, C. H. Lee, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
  「Network modification of GeO2 by trivalent metal oxide doping」
  2014年　第74回応用物理学会春季学術講演会, 20a-F10-10
  （2014年3月20日, 青山学院大学相模原キャンパス（相模原））

• C. Lu, C. H. Lee, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
  「Thermodynamic selection of the desirable doping materials in GeO2」
  2014年　第74回応用物理学会春季学術講演会, 20a-F10-11
  （2014年3月20日, 青山学院大学相模原キャンパス（相模原））

• 李 忠賢,魯　辞莽、張　文峰、西村　知紀、長汐　晃輔、鳥海　明
  「Record-high Electron Mobility in Sub-nm EOT Ge n-MOSFETs with Y-doped GeO2 Interfacial Layer」
  2014年　第74回応用物理学会春季学術講演会, 20a-F10-12
  （2014年3月20日, 青山学院大学相模原キャンパス（相模原））

• 矢嶋 赳彬，小池 豪，西村 知紀，長汐 晃輔，鳥海 明
  「Mobility Enhancement in TiO2-Channel TFTs by Decreasing In-Gap States in The Film and Mitigating Grain Boundary Adsorption」
  2014年　第74回応用物理学会春季学術講演会, 20a-F10-13
  （2014年3月20日, 青山学院大学相模原キャンパス（相模原））

• 矢嶋 赳彬，小池 豪，西村 知紀，長汐 晃輔，鳥海 明
  「TiO2チャネルTFTの電界効果移動度に対する表面・粒界吸着効果の重要性」
  2014年　第74回応用物理学会春季学術講演会, 20a-E8-3
  （2014年3月20日, 青山学院大学相模原キャンパス（相模原））