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 Awards List
- 2003 -
Publication
1) K. Kita, M. Sasagawa, K. Kyuno and A. Toriumi, “New Method for Characterizing
Dielectric Properties of High-k Films with Time-Dependent Open-Circuit
Potential Measurement", Jpn. J. Appl. Phys. 42, Pt.2 (6B) L631-L633
(2003)
2) T. Komoda, K. Kita, K.Kyuno and A. Toriumi, “Peformance and Degradation
in Single Grain-size Pentacene Thin-Film Transistors", Jpn. J. Appl.
Phys. 42, Pt.1 (6A) 3662-3665 (2003)
International
1) H. Irie, K. Kita, K. Kyuno and A. Toriumi, "Re-Investigation of
MOS Inversion Layer Mobility from Non-Universality and Possible New Scattering
Mechanism Aspects", IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM
2003) (Dec. 2003, Washington, D.C.)
2) K. Kita, M. Sasagawa, K. Tomida, M. Toyama, K. Kyuno and A. Toriumi,
"Further EOT Scaling of Ge/HfO2 over Si/HfO2 MOS Systems", International
Workshop on Gate Insulator (IWGI2003) (Nov. 2003, Tokyo)
3) A. Toriumi, H. Inoue and K. Kita,"What should be considered for
Reliability Assurance of High-k Gate Dielectrics?", IUMRS-ICAM ( Oct.
2003) (Invited)
4) M. Tejima, K. Kita, K. Kyuno, and A. Toriumi, "Anomalous Growth
Temperature Dependence of the Surface Roughness of Pentacene Thin Films",
Extended Abstracts of 2003 International Conference on Solid State Devices
and Materials (SSDM), pp. 214-215 (Sep. 2003, Tokyo)
5) K. Kita, M. Sasagawa, K. Tomida, K. Kyuno and A. Toriumi, "Oxidation-Induced
Damages on Germanium MIS Capacitors with HfO2 Gate Dielectrics", Extended
Abstracts of 2003 International Conference on Solid State Devices and Materials
(SSDM), pp.292-293 (Sep. 2003, Tokyo)
6) H. Shimizu, M. Sasagawa, K. Kita, K. Kyuno and A. Toriumi, "Interface
Oxidation Mechanism in HfO2/Silicon System with Post-Deposition Annealing",
Extended Abstracts of 2003 International Conference on Solid State Devices
and Materials (SSDM), pp.486-487 (Sep. 2003, Tokyo)
7) H. Irie, K. Kita, K. Kyuno, S. Takagi, K. Takasaki, M. Kubota, S. Saito,
S. Nishikawa and A. Toriumi, "Re-Examination on the Universality of
Si-MOS Inversion Layer Mobility", Extended Abstracts of 2003 International
Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), pp.716-717 (Sep.
2003, Tokyo)
8) K. Kita, M. Sasagawa, K. Kyuno and A. Toriumi, “A New Characterization
Technique for Depth-Dependent Dielectric Properties of High-k Films by
Open-Circuit Potential Measurement”, 2003 Int. Conference on Characterization
and Metrology for ULSI Technology, AIP Conf. Proceedings 550, pp. 166-170
(Mar. 2003, Austin)
9) A. Toriumi, T. Komoda, K. Kita and K. Kyuno, "Electrical Characterization
of Metal / Oxide / Pentacene Capacitors", Abstracts of 2nd International
Conference on Molecular Electronics and Bioelectronics (M&BE2), p.117
(Mar. 2003, Tokyo). (Invited)
Domestic
1) 入江宏 「MOS反転層における”ユニバーサルモビリティ”は本当にユニバーサルか？」
STARCシンポジウム （2003年9月）
2) 喜多浩之，笹川将，遠山仁博，弓野健太郎，鳥海明 「MIS飽和容量から評価したHfO2/GeとHfO2/Siにおける界面反応の違い」
応用物理学会 秋季講演会 (2003年9月)
3) 富田一行，清水悠佳，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海明 「熱処理によるHfO2膜の格子振動ピークの強度および位置の変化」
応用物理学会 秋季講演会 (2003年9月)
4) 入江宏，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海明 「異なる散乱機構下におけるMOS反転層移動度のユニバーサリティー」
応用物理学会秋季講演会 (2003年9月)
5) 笹川将，清水悠佳，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海 明 「Hf/HfO2/Al構造におけるHfO2膜の電気伝導解析」
応用物理学会 春季講演会 (2003年3月)
6) 喜多浩之，笹川将，弓野健太郎，鳥海明 「OCP測定による絶縁膜の深さ方向プロファイル評価」
応用物理学会 春季講演会 (2003年3月)
7) 喜多浩之，小林達也，笹川将，弓野健太郎，鳥海明 「Geを基板としたHfO2
MISキャパシタの電気特性」 応用物理学会 春季講演会 (2003年3月)
8) 清水悠佳，笹川将，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海 明 「Si表面とSi/HfO2界面におけるシリコン酸化機構の違い」 応用物理学会 春季講演会 (2003年3月)
9) 入江宏，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海明 「MOS反転層移動度におけるユニバーサリティーの再評価」
応用物理学会 春季講演会 (2003年3月)
10) 菰田泰生，手島将蔵，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海明 「ペンタセン薄膜における膜厚方向の二端子電気伝導」
応用物理学会 春季講演会 (2003年3月)
11) 菰田泰生，手島将蔵，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海明 「ペンタセンTFTにおける活性化型モビリティと伝導機構」 応用物理学会 春季講演会 (2003年3月)
12) 手島将蔵，菰田泰生，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海明 「ペンタセン成膜時の表面ラフネスの基板温度依存性」
応用物理学会 春季講演会 (2003年3月)
13) 菰田泰生，手島将蔵，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海明 「短チャネル有機薄膜FETの劣化原因の解析」
電気学会研究会 (2003年3月)
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