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 Awards List
- 2004 -
Publication
1) M.Tejima, K. Kita, K. Kyuno and A. Toriumi, "Study on the growth
mechanism of pentacene thin films by the analysis of island density and
island size distribution", Appl. Phy. Lett. 85(17) 3746 (2004)
2) K. Kita, K. Kyuno, and A. Toriumi, " Growth mechanism difference
of sputtered HfO2 on Ge and on Si," App. Phy. Lett. 85(1) 52-54 (2004)
International
1) H.Irie, K. Kita, K. Kyuno, and A. Toriumi, "In-Plane Mobility Anisotropy and Universality Under Uni-Axial Strains in N-and P-MOS Inversion Layers on (100), (110), and (111) Si," IEEE International Electron Dvices Meeting (IEDM), (Dec. 2004, San Francisco)
2) K. Kita, K. Kyuno, and A. Toriumi, "Permittivity Increase of Yttrium-Doped
HfO2 through Structural Phase Transformation," 35th IEEE Semiconductor
Interface Specialists Conference (SISC), (Dec. 2004, San Diego)
3) A. Toriumi, T. Yokoyama, T. Nishimura, T. Yamada, K. Kita and K. Kyuno,
"Semiconducting Properties of Pentacene Thin Films Studied by Complex
Impedance Analysis and Photo-induced Effects" 206th Meeting of The
Electrochemical Society, (Oct. 2004, Hawaii) (Invited)
4) M. Toyama, K. Kita, K. Kyuno and A. Toriumi, "Advantages of Ge
(111) Surface for High Quality HfO2/Ge Interface," Extended Abstracts of 2004 International Conference
on Solid State Devices and Materials (SSDM), pp.226-227 (Sep. 2004, Tokyo)
5) M. Sasagawa, K. Kita, K. Kyuno and A. Toriumi, "Post-Deposition
Annealing Effects on Interface States Generation in HfO2/SiO2/Si MOS Capacitors," Extended Abstracts of 2004 International Conference
on Solid State Devices and Materials (SSDM), pp.534-535 (Sep. 2004, Tokyo)
6) H. Irie, K. Kita, K. Kyuno, and A. Toriumi, "In-Plane Anisotropy
of MOS Inversion Layer Mobility on Silicon (100), (110) and (111) Surfaces,"
Extended Abstracts of 2004 International Conference on Solid State Devices
and Materials (SSDM), pp.724-725 (Sep. 2004, Tokyo)
7) T. Yokoyama, T. Nishimura, K. Kita, K. Kyuno, and A. Toriumi, "Accumulated
Carrier Density Dependence of Pentacene TFT Mobility Determined by Split
C-V Technique," Extended Abstracts of 2004 International Conference
on Solid State Devices and Materials (SSDM), pp.856-857 (Sep. 2004, Tokyo)
8) T. Nishimura, T. Yokoyama, K. Kita, K. Kyuno, and A. Toriumi, "Complex
Impedance Analysis and Photo-Induced Effects of Semiconducting Pentacene
Films," Extended Abstracts of 2004 International Conference on Solid
State Devices and Materials (SSDM), pp.866-867 (Sep. 2004, Tokyo)
9) K. Kita, K. Kyuno and A. Toriumi " Difference between O2 and N2 Annealing Effects on CVD-SiO2 Film Quality Studied by Open-Circuit Measurement,"
Extended Abstracts of 2004 International Conference on Solid State Devices
and Materials (SSDM), pp.786-787 (Sep. 2004, Tokyo)
10) K. Tomida, K. Kita, K. Kyuno and A. Toriumi, "Far Infrared Study
of Structural Distortion and Transformation of HfO2 by Introducing a Slight Amount Si," Extended Abstracts of 2004 International
Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), pp.790-791 (Sep.
2004, Tokyo)
11) K. Kyuno, K. Kita and A. Toriumi "Stable Observation of the Evolution
of Leakage Spots in HfO2/SiO2 stacked structures," Extended Abstracts of 2004 International Conference
on Solid State Devices and Materials (SSDM), pp.788-789 (Sep. 2004, Tokyo)
12)K. kita, K. Kyuno and A. toriumi," Dielectric Constant Increase of Yttrium-Doped HfO2 by Structural Phase Modification," Extended Abstracts of 2004 International
Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), pp.794-795(Sep.
2004, Tokyo)
13) H. Shimizu, K. Kita, K. Kyuno and A. Toriumi, "Generalized Model
of Oxidation Mechanism at HfO2/Si Interface with Post-Deposition Annealing," Extended Abstracts
of 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM),
pp.796-797 (Sep. 2004, Tokyo)
14) A. Toriumi, "Challenges and Progress of High-k Gate Dielectrics for Advanced CMOS Technology" (June2004, Niigata) (invieted)
15) A. Toriumi, " Materials Engineering for High-k Gate Stack Technology,"
Int. Workshop Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices (IWDTF) ( May
2004, Tokyo) ( plenary)
16) A. Toriumi, N. Yasuda, H. Ota, H. Hisamatsu, W. Mizubayashi, T. Nabatame
and T. Horikawa, " Threshold Voltage Instability and Inversion Layer
Mobility Degradation of HfAlOx(N) Gate Dielectric CMOS," 2004 MRS
Spring Meeting (Apr. 2004, San Francisco) (invited)
17) K. Tomida, H. Shimizu, K. Kita, K. Kyuno and A. Toriumi, "IR Absorption
Study of HfO2 and HfO2/Si Interface Ranging from 200cm-1 to 2000cm-1", 2004 MRS Spring Meeting (Apr. 2004, San Francisco)
18) K. Kita, M. Sasagawa, M. Toyama, K. Kyuno, and A. Toriumi, "Retarded
Growth of Sputtered HfO2 Films on Germanium", 2004 MRS Spring Meeting (Apr. 2004, San Francisco)
Domestic
1) 清水悠佳，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海明「Y2O3/SiO2/Siスタック構造における上部シリケート化反応と界面酸化反応」応用物理学会
秋季講演会 （2004年9月）
2) 喜多浩之，太田政夫，弓野健太郎，鳥海明「Y2O3/Siの熱処理により形成したY-シリケート/Si界面の特性の基板面方位による違い」応用物理学会
秋季講演会 （2004年9月）
3) 富田一行，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海明 「HfSiOxにおける膜厚による相分離傾向の違い」応用物理学会
秋季講演会 （2004年9月）
4) 弓野健太郎，喜多浩之，鳥海明 「逆バイアスの印加によるリークスポットの消滅
? UHV-C-AFMによるHfO2/SiO2膜の電流像観察」応用物理学会 秋季講演会 （2004年9月）
5) 入江宏，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海明 「一軸応力に起因したMOS反転層移動度の面内異方性と面間異方性」応用物理学会
秋季講演会 （2004年9月）
6) 西村知紀，山田貴之，横山孝理，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海明 「ペンタセンの光照射効果による電気特性の変化」応用物理学会
秋季講演会 （2004年9月）
7) 遠山仁博、笹川将、喜多浩之、弓野健太郎、鳥海明 「HfO2/Ge(100)とHfO2/Ge(111)MISキャパシタ特性の違い」 応用物理学会 春季講演会
（2004年３月）
8）笹川将、喜多浩之、弓野健太郎、鳥海明 「HfO2/SiO2/Si 構造におけるSiO2/Si界面準位密度の熱処理による変化」
応用物理学会 春季講演会 （2004年３月）
9）弓野健太郎、喜多浩之、鳥海明 「電圧印加に伴うHfO2膜におけるリークスポットの出現とその面密度の増加
― UHV-C-AFMによる直接観察」応用物理学会 春季講演会 （2004年3月）
10）喜多浩之、笹川将、遠山仁博、弓野健太郎、鳥海明 「金属Hfの存在下で生じるGe基板とSi基板上でのHfO2薄膜成長過程の違い」
応用物理学会 春季講演会 （2004年3月）
11）清水悠佳、笹川将、喜多浩之、弓野健太郎、鳥海明 「Si基板への窒素打ち込み量に依存しないHfO2/Si界面におけるSiO2の成長」 応用物理学会 春季講演会 （2004年3月）
12）入江宏、喜多浩之、弓野健太郎、鳥海明 「Si(110)MOS反転層移動度におけるユニバーサリティーのチャンネル方向による違い」 応用物理学会 春季講演会 （2004年3月）
13）富田一行、喜多浩之、弓野健太郎、鳥海明 「SiO2を添加したHfO2膜の格子振動スペクトルの変化」 応用物理学会 春季講演会 （2004年3月）
14）太田政夫、喜多浩之、弓野健太郎、鳥海明 「高温熱処理時のY2O3/Si界面のシリケート化反応による良好な界面の形成」 応用物理学会 春季講演会 （2004年3月）
15）手島将蔵、喜多浩之、弓野健太郎、鳥海明 「Pentacene薄膜の結晶成長機構：臨界核サイズの結果および基板効果」 応用物理学会 春季講演会 （2004年3月）
16）喜多浩之、笹川将、弓野健太郎、鳥海明 「OCP測定により評価した熱酸化SiO2膜と熱処理後のCVD-SiO2膜の違い」 応用物理学会 春季講演会 （2004年3月）
17）小林達也、喜多浩之、弓野健太郎、鳥海明 「極薄酸化膜MOSキャパシタの空乏バイアス領域に現れる異常容量特性」 応用物理学会 春季講演会 （2004年3月）
18）西村知紀、手島将蔵、喜多浩之、弓野健太郎、鳥海明 「Pentacene薄膜の膜質による光学特性の差異」 応用物理学会 春季講演会 （2004年3月）
19）清水悠佳、富田一行、笹川将、喜多浩之、弓野健太郎、鳥海明 「HfO2/Si界面とSi表面の酸化機構の違い」 第９回薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会 （2004年1月）
20）喜多浩之、笹川将、遠山仁博、弓野健太郎、鳥海明 「Ge及びSi基板上のHfO2薄膜の初期成長過程の違い」 第9回薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会 （2004年1月）
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