Awards List

ー2010ー
Publication

• A. Toriumi, C. H. Lee, T. Nishimura, K. Kita, S. K. Wang, M. Yoshida, and K. Nagashio
  “Feasibility of Ge CMOS for Beyond Si-CMOS"
  ECS Trans. 33 (6) 33-46 (2010).

• K. Kita, L. Q. Zhu T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
  “Formation of Dipole Layers at Oxide Interfaces in High-k Gate Stacks”
  ECS Trans. 33 (6) 463-477 (2010).

• T. Tabata, C.H.Lee, K. Kita, and A.Toriumi
  
  "Direct LaLuO3/Ge Gate Stack Formation by Interface Scavenging and Subsequent Low Temperature O2 Annealing"
  ECS Trans. 33(3) 375-382(2010)

• K. Nagashio, T. Nishimura, K. Kita, and A. Toriumi
  "Contact resistivity and current flow path at metal/graphene contact"
  Appl. Phys. Lett., 97, 143514(2010).

• S.K. Wang, K.Kita, C.H. Lee, T. Tabata, T.Nishimura, K. Nagashio and A.Toriumi, "Desorption kinetics of GeO from GeO2/Ge structure",
  Journal of Applied Physics, 108, 054104 (2010).

• Y.Zhao, K.Kita, and A.Toriumi
  "Thermodynamic analysis of moisture absorption phenomena in high-permittivity oxides as gate dielectrics of advanced complementary-metal-oxide-semiconductor devices"
  Appl. Phys. Lett., 96, 242901 (2010)
  published online Jun. 15, 2010

• L.Q. Zhu, K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio, S.K. Wang and A. Toriumi
  "Observation of Dipole Layer Formed at High-k Dielectrics/SiO2 Interface with X-ray Photoelectron Spectroscopy"
  Applied Physics Express, 3 (2010) 061501,
  published online May 28, 2010

• K. Nagashio, T. Nishimura, K. Kita, and A. Toriumi,
  "Systematic Investigation of the Intrinsic Channel Properties and Contact Resistance of Monolayer and Multilayer Graphene Field-Effect Transistor"
  Japanese Journal of Applied Physics ,49 (2010) 051304,
  published online May 20, 2010

• A.Toriumi, S.K. Wang, C.H. Lee, M. Yoshida, K. Kita, T. Nishimura and K. Nagashio,
  "Oxidation, Diffusion and Desorption in Ge/GeO2 System"
  ECS Trans., 28 (2), pp.171-180 (2010).

• Y. Nakajima, K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi,
  "Experimental Demonstration of Higher-k Phase HfO2 through Non-equilibrium Thermal Treatment"
  ECS Trans., 28 (2), pp. 203-212 (2010).

• K. Kita, A. Eika,T. Nishimura, K. Nagashio and A. Toriumi,
  "Resistive Switching Behaviors of NiO Bilayer Films with Different Crystallinity Layers"
  ECS Trans., 28 (2), pp. 315-322 (2010).

• K. Nagashio, T. Yamashita, J. Fujita, T. Nishimura, K. Kita and A. Toriumi,
  “Impacts of graphene/SiO2 interaction on FET mobility and Raman spectra in mechanically exfoliated graphene films”,
  2010IEEE International Electron Device Meeting(IEDM2010), pp.564-567.(Dec.
  7, 2010, San Francisco).

• C.H. Lee, T. Nishimura, T. Tabata, S.K. Wang, K. Nagashio, K. Kita and A. Toriumi,
  “Ge MOSFETs Performance: Impact of Ge Interface Passivation”, 2010IEEE International Electron Device Meeting(IEDM2010), pp.416-419.(Dec. 7, 2010, San Francisco).

• M. Yoshida, K. Kita, K. Nagashio, T. Nishimura and A. Toriumi,
  “Oxidation Sensitive LO-phonon Mode of GeO2 in Initial Oxidation Regime of Ge”,
  41th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference International(SISC2010)（Dec. 3, 2010, San Diego).

• K. Kita,
  “Understanding of GeO2 Material Properties for Advanced Ge MIS Stacks”, Invited
  41th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference International(SISC2010)（Dec. 3, 2010, San Diego).
  

• T. Tabata, C. H. Lee, T. Nishimura, K. Kita and A. Toriumi,
  “Impact of Low Temperature O2 Annealing for Stabilizing LaLuO3/Ge Gate Stacks without Additional Interface Layer Formation”,
  41th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference International(SISC2010)（Dec. 2, 2010, San Diego).

• S. K. Wang, K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio and A.Toriumi,
  “Crystallization of Thick Amorphous GeO2 on Ge to α-quartz Structure - Experimental Evidence and Crystallization Model”,
  41th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference International(SISC2010)（Dec. 2, 2010, San Diego).

• A. Toriumi,
  "Graphene Interfaces", invited, Dasan Conference on Graphene,
  (Nov.10, 2010,Jeju)

• T. Tabata, C. H. Lee, K. Kita, and A. Toriumi,
  "Direct LaLuO3/Ge Gate Stack Formation by Interface Layer Scavenging and Subsequent Low Temperature O2 Annealing",　
  The 218th Electrochemical Society Meeting　(Oct. 13, 2010, Las Vegas)

• K. Kita, L. Q. Zhu T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi,
  “Formation of Dipole Layers at Oxide Interfaces in High-k Gate Stacks”, Invited
  The 218th Electrochemical Society Meeting　(Oct. 12, 2010, Las Vegas)

• A. Toriumi, C. H. Lee, T. Nishimura, K. Kita, S. K. Wang, M. Yoshida, and K. Nagashio,
  “Feasibility of Ge CMOS for Beyond Si-CMOS", Invited
  The 218th Electrochemical Society Meeting　(Oct. 11, 2010, Las Vegas)

• M. Yoshida, T. Nishimura, C. H. Lee, K. Kita, K. Nagashio and A. Toriumi,
  "TO- and LO-mode analyses in asymmetric stretching vibrations in ultra thin thermally grown GeO2 on Ge substrate",
  2010 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM), pp1002-1003.(Sep.24, 2010, Tokyo)

• D. D. Zhao, C. H. Lee, T. Nishimura, K. Nagashio, K. Kita, A. Toriumi,
  "Electron and hole mobility comparison in a single Ge-MOSFET fabricated on 50 nm-thick GeOI substrate",
  2010 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM), pp303-304.(Sep.23, 2010, Tokyo)

• Y. Nakajima, K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio and A. Toriumi,
  "Stability origin of metastable higher-k phase HfO2 at room temperature",
  2010 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM), pp687-688.(Sep.23, 2010, Tokyo)

• T. Yamashita, J. Fujita, K. Nagashio, T. Nishimura, K. Kita and A. Toriumi,
  "Impact of Surface Treatment of SiO2/Si Substrate on Mechanically Exfoliated Graphene",
  2010 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM), pp896-897.(Sep.23, 2010, Tokyo)

• K. Nagashio, T. Nishimura, K. Kita and A. Toriumi,
  "DOS Bottleneck for Contact Resistance in Graphene FETs", invited
  2010 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM), pp884-885.(Sep.23, Tokyo, 2010)

• C. H. Lee, T. Nishimura, T. Tabata, S. Wang, K. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi,
  "Advantage of High-pressure Oxidation for Ge/GeO2 Stack Formation",
  2010 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM), pp25-26.(Sep.22, 2010, Tokyo)

• F. I. Alzakia, K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio and A. Toriumi,
  "Effects of GeO2-Metal Interaction on VFB of GeO2 MIS Gate Stacks",
  2010 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM), pp29-30.(Sep.22, 2010, Tokyo)

• S. K. Wang, K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio and A. Toriumi,
  "GeO Desorption Mechanism from GeO2/Ge Stack Determined by 73Ge Labeling Technique in Thermal Desorption Spectroscopy (TDS) Analysis",
  2010 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM), pp35-36.(Sep.22, 2010, Tokyo)

• A. Toriumi,
  "Will Germanium Be Back ?", invited
  IUMRS-ICEM2010,(Aug. 23, 2010, Seoul)

• T. Nishimura, C.H. Lee, S.K. Wang, T. Tabata, K. Kita, K. Nagashio, and A. Toriumi,
  "Electoron Mobility in High-k Ge MISFETs Goes up to Higher."
  2010 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers,p.209 , (Jun. 17, 2010, Honolulu)

• T. Nishimura, K. Kita, K. Nagashio, and A. Toriumi,
  "Long Range Pinning Interaction in Ultra-thin Insulator-inserted Metal/Germanium Junctions."
  2010 Silicon Nanoelectronics Workshop, p.19(Jun. 13, 2010, Tokyo)

• A.Toriumi,
  "Can Germanium be Beyond Silicon in Performance ?", invited
  5th ISTDM,(May 26, 2010, Stockholm)

• A. Toriumi,
  "Design of Interfacing Fields for Advanced Electron Devices", invited
  Extended Abstracts on International Symposium on Technology Evolution for
  Silicon Nano-Electronics (ISTESNE), p.6 (Jun. 3, 2010, Tokyo)

• K. Kita, A. Eika, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi,
  "Resistive Switching in NiO Bilayer Films with Different Crystallinity Layers"
  Extended Abstracts on International Symposium on Technology Evolution for
  Silicon Nano-Electronics (ISTESNE), p.83 (Jun. 4, 2010, Tokyo).

• A.Toriumi, S.K. Wang, C.H. Lee, M. Yoshida, K. Kita, T. Nishimura and K. Nagashio,
  "Oxidation, Diffusion and Desorption in Ge/GeO2 System", invited
  　217th ECS Meeting, (Apr. 27, 2010, Vancouver).

• Y. Nakajima, K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi,
  "Experimental Demonstration of Higher-k Phase HfO2 through Non-equilibrium Thermal Treatment"
  　217th ECS Meeting, (Apr. 27, 2010, Vancouver).
  

• K. Kita, A. Eika,T. Nishimura, K. Nagashio and A. Toriumi,
  "Resistive Switching Behaviors of NiO Bilayer Films with Different Crystallinity Layers"
  　217th ECS Meeting, (Apr. 27, 2010, Vancouver).
  

• K. Nagashio, T. Nishimura, K. Kita, and A. Toriumi,
  "Current crowding at metal contacts in graphene FETs",
  　2010 MRS Spring Meeting, (Apr. 7 ,2010, San Francisco).

Domestic

• 長汐晃輔，鳥海明，
  「金属/グラフェンコンタクトの基礎特性」招待講演
  真空・表面科学合同講演会
  (2010年11月5日, 大阪大学（大阪））

• 李　忠賢，西村知紀，長汐晃輔，喜多浩之，鳥海　明
  「Ge/GeO2スタックにおける高圧酸化の優位性」（講演奨励賞受賞記念講演）
  2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会
  (2010年9月15日, 長崎）

• 西村知紀, 李　忠賢, 王　盛凱, 田畑俊行, 喜多浩之, 長汐晃輔, 鳥海　明
  「High-k/Ge MOSFETにおける電子移動度の向上」　招待講演
  電気学会　シリコンナノデバイス集積化技術調査専門委員会　「グリーンITにおける化合物半導体電子デバイス調査専門委員会」
  （2010年7月26日, 東京）　

• 西村知紀, 李　忠賢, 王　盛凱, 田畑俊行, 喜多浩之, 長汐晃輔, 鳥海　明
  「High-k Ge-MISFETにおける電子移動度の更なる向上」　招待講演
  応用物理学会　シリコンテクノロジー分科会　第127回研究集会 「VLSIシンポジウム特集（先端 CMOSデバイス・プロセス技術）」
  （2010年7月22日, 東京）

• 西村知紀, 李　忠賢, 田畑俊行, 王　盛凱, 西道典弘, 吉田まほろ, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明
  「Ge-CMOS に向けた界面の制御と課題」　招待講演
  電気化学会　電子材料委員会　第74回 半導体・集積回路技術シンポジウム
  （2010年7月9日,　東京）

• 喜多浩之, 王 盛凱, 李 忠賢, 吉田まほろ, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海 明
  「Ge/GeO2界面反応の理解に基づいたGeO2膜物性の制御とGe-MOSFETの性能向上」
  　電気学会　電子デバイス研究会「グリーンITにおける電子デバイス」EDD-10-037
  　(2010年3月26日, 東京）

• 王 海涛, 長汐晃輔, 西村知紀, 喜多浩之, 鳥海 明
  「グラフェンのヤング率測定に関する検討」
  　2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会, （2010年3月20日, 神奈川）

• 藤田淳也, 長汐晃輔, 西村知紀, 喜多浩之, 鳥海 明
  「単層グラフェンのエッジがラマンスペクトルに及ぼす影響」
  　2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会, (2010年3月19日, 神奈川）

• 岩田至弘, 長汐晃輔, 西村知紀, 喜多浩之, 鳥海 明
  「HfO2上に転写したグラフェンの視認性と電気測定」
  　2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会, (2010年3月19日, 神奈川）

• 鳥海 明, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔
  「Ge CMOSの可能性と課題」 招待講演
  　2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会, (2010年3月19日, 神奈川）

• 竺 立強, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海 明
  "Interfacial dipoles at high-k/SiO2 interface observed by X-ray Photoelectron Spectroscopy"
  　2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会, (2010年3月19日, 神奈川）

• 近田侑吾, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海 明
  「High-k材料固有のバンド端エネルギー準位のXPSによる定量的評価」
  　2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会, (2010年3月19日, 神奈川）

• 喜多浩之, 西村知紀, 李 忠賢, アルザキア ファド, 長汐晃輔, 鳥海 明
  「1,2GeO2 MISスタックのフラットバンド電圧に対するGeO2/メタル界面の影響」
  　2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会, (2010年3月18日, 神奈川）

• 西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海 明
  「極薄TiO2膜の挿入による金属/n-Ge接合におけるオーミック接合の形成」
  　2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会, (2010年3月18日, 神奈川）

• 李　忠賢, 西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海　明
  「GeO2形成時の高圧酸化と１気圧酸化の本質的な違い - バルクGeO2膜とGeO2/Ge界面の独立な制御 -」
  　2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会, (2010年3月18日, 神奈川）

• 鷹本靖欣, 西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之 鳥海 明
  「Internal Photo Emission測定における絶縁膜電界の決定方法」
  　2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会, (2010年3月18日, 神奈川）

• 吉田まほろ, 喜多浩之, 李 忠賢, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海 明
  「高圧O2熱処理がGe/GeO2に及ぼす影響」
  　2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会, (2010年3月18日, 神奈川）

• 王 盛凱, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海 明
  「低圧酸素雰囲気下におけるGe表面の活性酸化」
  　2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会, (2010年3月18日, 神奈川）

• 長汐晃輔, 西村知紀, 喜多浩之, 鳥海 明
  「グラフェン/金属界面での電荷移動」招待講演
  　2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会, (2010年3月17日, 神奈川）

• 喜多浩之, 鳥海 明
  「High-k/SiO2界面に形成されるダイポールの起源」 招待講演
  　ゲートスタック研究会−材料・プロセス・評価の物理−（第16回研究会）,pp. 81-84
  　(2010年1月23日, 三島）

• 鷹本靖欣, 西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海　明
  「ヘテロ界面に於けるバンドオフセットの決定に向けたInternal Photo Emission法の詳細検討」
  　ゲートスタック研究会−材料・プロセス・評価の物理−（第16回研究会）,
  　pp. 225-228　(2010年1月22日, 三島）

• 吉田 まほろ, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海 明
  「UV分光エリプソメトリを用いた複素屈折率測定に基づくGe上GeO2薄膜の欠陥評価」
  　ゲートスタック研究会−材料・プロセス・評価の物理−（第16回研究会）,
  　pp. 221-224 (2010年1月22日, 三島）

• 近田侑吾, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海 明
  「XPSで決定するHigh-k絶縁膜価電子帯エネルギー準位の定量的再検討」
  　ゲートスタック研究会−材料・プロセス・評価の物理−（第16回研究会）,
  　pp. 217-220 (2010年1月22日, 三島）

• 王 盛凱, 喜多浩之, 田畑俊行, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海 明
  「Ge/GeO2界面から脱離するGeOのTDSによる解析」
  　ゲートスタック研究会−材料・プロセス・評価の物理−（第16回研究会）,
  　pp.169-172 (2010年1月22日, 三島）

• 竺 立強, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 王 盛凱, 鳥海 明
  "X-ray Photoelectron Spectroscopy Study of dipole Effects at High-k/SiO2 Interface"
  　ゲートスタック研究会−材料・プロセス・評価の物理−（第16回研究会）,
  　pp.109-111 (2010年1月22日, 三島）

• 長汐晃輔, 西村知紀, 喜多浩之, 鳥海 明
  「グラフェン/金属コンタクトの重要性−移動度とコンタクト抵抗の解析−」
  　応用物理学会分科会, 電子情報通信学会（IEDM特集）
  　（2010年1月29日, 東京）

• 李 忠賢, 西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海 明
  「Ge/GeO2界面制御によるGe-nMOSFETsの電子移動度の向上」
  　応用物理学会分科会, 電子情報通信学会（IEDM特集）
  　（2010年1月29日, 東京）