Awards List

ー2008ー

Publication

• K. Kita, C. H. Lee, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi, "Study of Kinetic Behaviors of GeO in GeO2/Ge Stacks"
  ECS Trans. 16 (5) pp.187-194 (2008).

• T. Tabata, C. H. Lee, K. Kita, and A. Toriumi, "Impact of High Pressure O2 Annealing on Amorphous LaLuO3/Ge MIS Capacitors"
  ECS Trans. 16 (5) pp.479-486 (2008).

• C. B. Park, T. Yokoyama, T. Nishimura, K. Kita, and A. Toriumi
  "Molecular ordering and interface state modification for reducing bias-induced threshold voltage shift in pentacene field-effect transistors"
  J. Electrochem. Soc. 155 (2008) H575-H581.

• K. Kita, T. Takahashi, H. Nomura, S. Suzuki, T. Nishimura, and A. Toriumi
  "Control of high-k/germanium interface properties through selection of high-k materials and suppression of GeO volatilization"
  Appl. Surf. Sci. 254 (2008) 6100.

• T. Nishimura, K. Kita, and A. Toriumi
  " A Significant Shift of Schottky Barrier Heights at Strongly Pinned Metal/Germanium Interface by Inserting an Ultra-Thin Insulating Film "
  Appl. Phys. Express 1 (2008) 051406.

• T. Yokoyama, C. B. Park, T. Nishimura, K. Kita, and A. Toriumi
  "Oxygen-Related Degradation Mechanisms for On- and Off-States of Perfluoropentacene Thin-Film Transistors"
  Jpn. J. Appl. Phys. 47 (2008) 3643.

• K. Kita, S.Suzuki, H. Nomura, T. Takahashi, T. Nishimura, and A. Toriumi,
  "Direct Evidence of GeO Volatilization from GeO₂/Ge and Impact of Its Suppression on GeO₂/Ge Metal-Insulator-Semiconductor Characteristics"
  Jpn. J. Appl. Phys. 47 (2008) 2349.

• J. Widiez, K. Kita, K. Tomida, T. Nishimura, and A. Toriumi
  "Internal Photoemission over HfO₂ and Hf_(1-x)Si_xO₂ High-k Insulating Barriers: Band Offset and Interfacial Dipole Characterization "
  Jpn. J. Appl. Phys. 47 (2008) 2410.

• C. B. Park, T. Yokoyama, T. Nishimura, K. Kita, and A. Toriumi,
  " Threshold-Voltage-Shift Mechanism in Pentacene Field Effect Transistors Caused by Photoirradiation "
  Jpn. J. Appl. Phys. 47 (2008) 3189.

• T. Yokoyama, C. B. Park, K. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi,
  "Grain Size Increase and Field-Effect Mobility Enhancement of Pentacene Thin Films Prepared in a Low-Pressure H2 Ambient"
  Appl. Phys. Express 1 (2008) 041801.

• A.Toriumi,
  "Physical Model of VTH Instability in High-k MOSFETs"
  SISC(Dec. 2008, San Diego)(Invited)

• T. Yokoyama, C. B. Park, K. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi
  "Grain Size Enhancement and Its Mechanism in Pentacene Thin Films Grown in a Low-Pressure Gas Ambient" The 8th International Conference on Nano-molecular Electronics (ICNME 2008), pp. 96-97 (Dec. 2008, Kobe)

• K.Kita and A.Toriumi
  "Intrinsic Origin of Electric Dipoles Formed at High-k/SiO2 Interface"Tech.Dig. of 2008IEEE International Electron Device Meeting(IEDM),pp.29-32.(Dec.2008,SanFrancisco).
  

• T. Yokoyama, C. B. Park, K. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi
  "Grain Size Enhancement Mechanism in Pentacene Thin Films Prepared in a Low-Pressure Gas Ambient" International Symposium on Flexible Electronics and Display (ISFED 2008), pp. 76-77 (Nov. 2008, Hsinchu, Taiwan)

• K. Nagashio, T. Nishimura, K. Kita, and A. Toriumi,
  " Temperature dependent transport in mono- and multi-layer graphene films",
  Int. symp. on Graphene Devices, (Nov.2008, Aizu-Wakamatsu)
  

• T. Tabata, C. H. Lee, K. Kita, and A. Toriumi
  "Importance of Ge-Friendly High-k Material Selection for Ge MIS Gate Dielectrics"
  Extended Abstracts of 2008 International Workshop on Dielectric Thin Film for Future ULSI Devices. (IWDTF2008), pp. 11-12 (Nov. 2008, Tokyo)
  

• T. Nishimura, C. H. Lee, K. Kita, K. Nagashio, and A. Toriumi
  "Study of Electron Mobility of Ge n-MOSFETs with High Pressure Oxidized GeO2"
  Extended Abstracts of 2008 International Workshop on Dielectric Thin Film for Future ULSI Devices. (IWDTF2008), pp. 81-82 (Nov. 2008, Tokyo)

• K. Nagashio, K. Kita, C. H. Lee, T. Nishimura, and A. Toriumi
  "Thermodynamics and Kinetics of Thermal Oxidation of Ge in High Pressure Oxygen"
  Extended Abstracts of 2008 International Workshop on Dielectric Thin Film for Future ULSI Devices. (IWDTF2008), pp. 149-150 (Nov. 2008, Tokyo)

• K. Kita, C. Lee, T. Nishiumura, K. Nagashio, and A. Toriumi
  "Study of Kinetic Behaviors of GeO in GeO2/Ge Stacks"
  Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRIME) (Oct. 2008, Honolulu) (invited)

• T. Tabata, C. Lee, K. Kita, and A. Toriumi
  "Impact of High Pressure O2 Annealing on Amorphous LaLuO3/Ge MIS Capacitors"
  Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRIME) (Oct. 2008, Honolulu)

• A.Toriumi,T.Nabatame and H.Ota
  "Application of Advanced Atomic Layer Deposition for Understanding and Control of VTH and EOT in Metal/High-k Gate Stacks"
  ECS PRiME (Oct. 2008, Honolulu)(Invited)

• K. Kita, T.Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi,
  "Control of interface properties of high-k/Ge with GeO2 interface layer."
  Extended Abstracts of 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), pp.8-9 (Sep. 2008, Tsukuba)(invited)

• T. Tabata, K. Kita, and A. Toriumi,
  "Amorphous high-k LaLuO3 dielectric film for Ge MIS gate stack."
  Extended Abstracts of 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), pp.14-15 (Sep. 2008, Tsukuba)

• C. H. Lee, T. Nishimura, K. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi,
  "Reaction kinetics control on thermal oxidation process of Ge in high pressure oxygen."
  Extended Abstracts of 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), pp.16-17 (Sep. 2008, Tsukuba)

• K. Nagashio, T. Nishimura, K. Kita, and A. Toriumi,
  "Optical identification and electrical characterization of graphene transferred from natural graphite on thinner (90nm-thick) SiO2."
  Extended Abstracts of 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), pp.316-317 (Sep. 2008, Tsukuba)

• T. Nishimura, S. Sakata, K. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi,
  "Low temperature phosphorus segregation at NiGe/Ge interface by snowplow effect."
  Extended Abstracts of 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), pp.688-689 (Sep. 2008, Tsukuba)

• A. Toriumi, K.Kita,S.Migita and Y.Watanabe
  "Phase Controlled HfO2 for Higher-k Dielectrics"
  Higher-k Workshop(Aug.2008,Stanford) (invited)

• A. Toriumi,
  "Interface properties of Ge with dielectric films and metals"
  NSC-JST WSP(Jul.2008,Taiwan) (invited)

• A. Toriumi,
  "On the control of GeO₂/Ge and metal/Ge interfaces toward metal source/drain Ge CMOS."
  JST-DFG Joint WSP(Mar. 2008,Aachen) (invited)

• A. Toriumi, T. Nishimura, T. Takahashi, and K. Kita,
  "On the control of GeO₂/Ge and metal/Ge interfaces for metal source/drain Ge CMOS."
  MRS ( March 2008,San Francisco) (invited)
  

Domestic

• 横山孝理，朴昌範，長汐晃輔，喜多浩之，鳥海明
  「水素雰囲気下で蒸着することによるペンタセンTFTの移動度の向上」
  電子情報通信学会 有機エレクトロニクス研究会 (2008年10月、東京)

• 喜多浩之、西村知紀、長汐晃輔、鳥海　明
  「熱処理によるGeO2膜の劣化過程の分光エリプソメトリーによる観察」
  第69回応用物理学会学術講演会　4p-CB-2　（2008年9月、春日井）

• 鳥海　明、喜多浩之
  「MOS反転層モビリティの高精度評価」
  Siテクノロジー研究会（2008年6月、東京）（招待）

• 喜多浩之、鳥海　明
  「次世代High-k絶縁膜へ向けた三元系酸化物の材料設計」
  第55回応用物理学関係連合講演会　シンポジウム 27p-X-5 （2008年3月、習志野）

• 鳥海　明、喜多浩之、西村知紀
  「Ge/絶縁膜およびGe/金属界面を制御したGe-MOSFET技術」
  第55回応用物理学関係連合講演会　シンポジウム 28p-G-5 （2008年3月、習志野）

• 富田一行、喜多浩之、鳥海　明
  基板加熱スパッタリング法により成膜されたHfO2薄膜の誘電緩和とその起源
  第55回応用物理学関係連合講演会　講演奨励賞受賞記念講演 27a-X-8
  （2008年3月、習志野）

• 富田一行、喜多浩之、鳥海　明
  微量SiO2添加に伴うHfO2の正方晶構造安定化の起源に関する考察
  第55回応用物理学関係連合講演会　28p-H-5 （2008年3月、習志野）

• 田畑俊行、喜多浩之、鳥海　明
  アモルファス希土類High-k膜LaLuO3の基本特性とGeMISへの適用
  第55回応用物理学関係連合講演会　29p-H-17 （2008年3月、習志野）

• 西村知紀、高橋俊岳、喜多浩之、鳥海　明
  金属/極薄絶縁膜/Ge接合におけるショットキー障壁変調量の絶縁膜による違い
  第55回応用物理学関係連合講演会　27p-G-10 （2008年3月、習志野）

• 坂田修一、西村知紀、喜多浩之、鳥海　明
  雪かき効果を用いたNi/Ge界面における不純物の高濃度化と接合特性制御
  第55回応用物理学関係連合講演会　29p-G-2 （2008年3月、習志野）

• 小寺　淳、長汐晃輔、西村知紀、喜多浩之、鳥海　明
  単一グラフェンのSiO2上への転写と光学特性の評価
  第55回応用物理学関係連合講演会　30a-C-7 （2008年3月、習志野）

• 長汐晃輔、小寺　淳、西村知紀、喜多浩之、鳥海　明
  グラファイトのPeelingにより作成したグラファイト超薄膜FETの電子輸送特性
  第55回応用物理学関係連合講演会　30a-C-8 （2008年3月、習志野）

• 西村 知紀, 高橋 俊岳, 喜多 浩之, 鳥海 明
  「金属/ゲルマニウム接合におけるフェルミレベルピンニングの起源と制御」
  応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催 特別研究会 「第13回ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」 pp. 299 - 304 （2008年 1月，三島)
  
  
• 喜多浩之, 鈴木 翔, 能村英之, 高橋俊岳, 西村知紀, 鳥海 明
  「GeO2/Ge界面からのGeO脱離の抑制によるGeO2/Ge界面特性の向上」
  応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催 特別研究会 「第13回ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」 pp. 305 - 310 （2008年 1月，三島）