Awards List

－2018－
Publication

• S. Shibayama, T. Nishimura, S. Migita, A, Toriumi,
  "Thermodynamic control of ferroelectric-phase formation in HfxZr1-xO2 and ZrO2 "
  J. Appl. Phys. 124, 184101 (2018),
  Doi:https://doi.org/10.1063/1.5028181

• T. Nishimura, X. Tang, C. Lu, T. Yajima, A, Toriumi,
  "Rigidity Enhancement of GeO2 by Y-Doping for Reliable Ge Gate Stacks "
  IEEE J. Elec. Dev. Soc. 6, 1212-1217 (2018),
  Doi:https://doi.org/10.1109/JEDS.2018.2875927

• T. Yajima, T. Nishimura, A, Toriumi,
  "Hydrogenation of the wide-gap oxide semiconductor as a room-temperature and 3D-compatible electron doping technique "
  AIP Advances 8, 115133 (2018),
  Doi:https://doi.org/10.1063/1.5055302

• T. Yajima, M. Minohara, C. Bell, H. Y. Hwang, and Y. Hikita,
  "Inhomogeneous barrier heights at dipole-controlled SrRuO3/Nb:SrTiO3 Schottky junctions "
  Appl. Phys. Lett. 113, 221603 (2018),
  Doi:https://doi.org/10.1063/1.5052712

• X. Tian, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi,
  "Evolution of ferroelectric HfO2 in ultrathin region down to 3 nm "
  Appl. Phys. Lett. 112, 102902 (2018),
  Doi:https://doi.org/10.1063/1.5017094

International conference

• "A key role of doping to HfO2 for ferroelectric phase formation",7.1,
  Y. Mori, T. Nishimura1, S. Migita, and A. Toriumi,
  49th IEEE Semiconductor Interface Spesialists Conference(SISC),
  (Dec.7, 2018, Catamraran Resort Hotel, San Diego, USA)

• "Ultra-thin ferroelectric HfO2 and its application for ferroelectric tunnel junctions",10.1,
  X. Tian, S. Migita, and A. Toriumi,
  49th IEEE Semiconductor Interface Spesialists Conference(SISC),
  (Dec.7, 2018, Catamraran Resort Hotel, San Diego, USA)

• "Hysteresis-free internal potential enhancement in ferroelectric/paraelectric capacitors connected in series",10.4,
  X. Li and A. Toriumi,
  49th IEEE Semiconductor Interface Spesialists Conference(SISC),
  (Dec.7, 2018, Catamraran Resort Hotel, San Diego, USA)

• "Further investigation of Fermi-level pinning on Ge from substrate side",3.8,
  T. Nishimura, X. Luo, T. Yajima, and A. Toriumi,
  49th IEEE Semiconductor Interface Spesialists Conference(SISC),
  (Dec.6, 2018, Catamraran Resort Hotel, San Diego, USA)

• "Direct relationship between sub-60 mV/dec subthreshold swing and internal potential instability in MOSFET externally connected to ferroelectric capacitor",31.3,
  X. Li and A. Toriumi,
  2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2018),
  (Dec.5, 2018, Hilton San Francisco Union Square, San Francisco, USA)

• "Why GeO2 growth on Ge is suppressed and GeO2/Ge stack is much improved in high pressure O2 oxidation?",11.5,
  X. Wang and A. Toriumi,
  2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2018),
  (Dec.4, 2018, Hilton San Francisco Union Square, San Francisco, USA)

• A. Toriumi,
  "Opportunities and Challengies in Ge CMOS", Keynote,
  ENGE 2018,
  (Nov.13, 2018, Ramada Plaza Jeju Hotel, Jeju, Korea)

• A. Toriumi,
  "Recent achievements and remaining challenges in Ge-MOSFETs from interface
  engineering viewpoints", invited,
  ICSICT 2018,
  (Nov.1, 2018, Huangdao Sheraton Hotel, Qingdao, China)

• T.Yajima,
  "Analog neuron circuits based on the phase transition material", invited,
  The 3rd neuromorphic research retreat in AIST,
  (Oct.30, 2018, AIST, Tsukuba, Japan)

• L. Xu, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, A. Toriumi,
  "Junctionless ferroelectric FET with doped HfO2 on n+ TiO2 for three-terminal nonvolatile switch.",
  SSDM N-1-04, p769-770
  (Sep. 11, 2018, The Univ.of Tokyo, Tokyo, Japan)

• X. Wang, T. Nishimura, T. Yajima, and A. Toriumi,
  "Thermal oxidation kinetics of Ge under high pressure O2.",
  SSDM B-5-04, p129-130
  (Sep. 12, 2018, The Univ.of Tokyo, Tokyo, Japan)

• T. Yajima, T. Nishimura, A. Toriumi,
  "New Operation Mode of VO2-Channel Mott Transistors for Ultra-Sharp ON/OFF Switching.",
  SSDM A-5-04, p51-52
  (Sep. 12, 2018, The Univ.of Tokyo, Tokyo, Japan)

• X. Tian, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi,
  "High on/off ratio (>10) ferroelectric tunnel junctions (FTJs) with ultrathin Y-doped HfO2.",
  SSDM C-5-04, p197-198
  (Sep. 12, 2018, The Univ.of Tokyo, Tokyo, Japan)

• X. Li, Y. Noma, W. Song, T. Nishimura, and A. Toriumi,
  "Impact of “struggle for oxygen” at oxidized interface on SiGe gate stacks.",
  SSDM B-5-06, p133-134
  (Sep. 12, 2018, The Univ.of Tokyo, Tokyo, Japan)

• T. Nishimura, S. Takemura, X. Wang, S. Shibayama, T. Yajima, and A. Toriumi,
  "Atomically flat interface formation on Ge(111) in oxidation process.",
  SSDM E-6-01, p349-350
  (Sep. 12, 2018, The Univ.of Tokyo, Tokyo, Japan)

• S. Shibayama, T. Nishimura, X. Tian, S. Migita, and A. Toriumi,
  "Effect of internal-strain caused by monoclinic phase formation on ferroelectric phase formation of ZrO2.",
  SSDM C-7-04, p215-216
  (Sep. 13, 2018, The Univ.of Tokyo, Tokyo, Japan)

• X. Li, T. Nishimura, A. Toriumi,
  "Direct measurement of internal potential in ferroelectric/paraelectric stack for studying Negative Capacitance effects.",
  SSDM PS-1-30, p883-884
  (Sep. 13, 2018, The Univ.of Tokyo, Tokyo, Japan)

• Y. Mori, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi,
  "Impacts of doped element on ferroelectric phase stabilization in HfO2 through non-equilibrium PDA.",
  SSDM PS-10-18, p1271-1272
  (Sep. 13, 2018, The Univ.of Tokyo, Tokyo, Japan)

• T. Yajima, T. Nishimura, and A. Toriumi,
  "Integrate-and-Fire of Input Spike Signals with High Scalability and Low Energy Consumption Using VO2 Metal-Insulator Transition.",
  SSDM J-8-04, p613-614
  (Sep. 13, 2018, The Univ.of Tokyo, Tokyo, Japan)

• T. Yajima, T. Nishimura, A. Toriumi,
  "Analog Spike Processing with High Scalability and Low Energy Consumption Using Thermal Degree of Freedom in Phase Transition Materials",
  2018 Symposia on VLSI Technology and Circuits,
  (Jun. 19, Hilton Hawaiian Village, Honolulu, USA)

• S. Takemura, T. Nishimura, A. Toriumi,
  "Interface Reaction, Bulk Crystallization and Electrical Degradation of GeO2 on Ge",
  IEEE SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP 2018(SNW2018),
  (Jun. 18, Hilton Hawaiian Village, Honolulu, USA)

• T. Nishimura, A. Toriumi,
  "Metal Work Function Revisited for Understanding the Fermi-level Pinning at Metal/Ge Interface",
  EEE SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP 2018(SNW2018),
  (Jun. 18, Hilton Hawaiian Village, Honolulu, USA)

• T. Nishimura, X. Tang, C. Lu, T. Yajima, and A. Toriumi,
  "Network reinforcement of amorphous GeO2 by Y doping for highly reliable Ge gate stacks",
  20th Workshop on Dielectrics in Microelectronics (W0DIM 2018),
  (Jun. 13, the Park Inn hotel at Alexander Platz in Berlin, Germany)

• S. Shibayama, T. Nishimura, S. Migita and A. Toriumi,
  Ferroelectric and Anti-Ferroelectric Phase Control of Un-Doped ZrO2,
  2018 ISAF-FMA-AMF-AMEC-PFM Joint Conference(IFAAP2018),
  (May 29, International Conference Center Hiroshima, Japan)

• A. Toriumi,
  "Recent Achievements and Challenges in Ge-MOSFETs",
  1^st Joint ISTDM / ICSI 2018 Conference,
  (May 28, Seminaris Seehotel Potsdam, Germany )

• A. Toriumi,
  "Bi contacts to Si and Ge"
  JSPS/EPSRC 2C2 meeting,
  (Apr.16, The University of Cambridge, U.K.)

• A. Toriumi,
  "Kinetic Route of Ferroelctric Phase Evolution in Doped HfO2"
  MRS Spring Meeting (2018),
  (Apr.4, Phoenix Convention Center, Phenix,Arizona USA)

• X. Luo, T. Nishimura, T. Yajima, and A. Toriumi,
  "Potential Influence of Surface Atomic Disorder on Fermi-level Pinning at Metal/SiGe Interface",
  2nd Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM 2018)
  (Mar. 14, Ariston Hotel Kobe/The Kobe Chamber of Commerce and Industry, Kobe, Japan)

• Shigehisa Shibayama, Tomonori Nishimura, Shinji Migita, and Akira Toriumi,
  "Nucleation-Driven Ferroelectric Phase Formation in ZrO2 Thin Films – What Is Different in ZrO2 from HfO2 ?–",
  2nd Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM 2018)
  (Mar. 15, Ariston Hotel Kobe/The Kobe Chamber of Commerce and Industry, Kobe, Japan)

• Tomonori Nishimura, Xiaoyu Tang, Takeaki Yajima, and Akira Toriumi,
  "Rigidity Enhancement of GeO2 by Y Doping for Reliable Ge Gate Stacks",
  2nd Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM 2018)
  (Mar. 16, Ariston Hotel Kobe/The Kobe Chamber of Commerce and Industry, Kobe, Japan)

• Y. Noma, W. Song, T. Nishimura, T. Yajima, and A. Toriumi,
  "Anomalous Spectral Shape Evolution of Ge Raman Shift in Oxidation of SiGe",
  2nd Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM 2018)
  (Mar. 16, Ariston Hotel Kobe/The Kobe Chamber of Commerce and Industry, Kobe, Japan)

• T.Yajima,
  "Simple design of the neuron circuit using phase transition materials", invited,
  The 2rd neuromorphic research retreat in AIST,
  (Feb.16, 2018, AIST, Tsukuba, Japan)

Domestic

• 森 優樹、西村 知紀、矢嶋 赳彬、右田 真司、鳥海 明
  「HfO2薄膜における熱処理昇降温速度の強誘電性への影響」, [21a-145-7],
  第79回応用物理学会秋季学術講演会,
  （2018年9月21日、名古屋国際会議場、愛知県 名古屋市）

• X. Li、T. Nishimura、A. Toriumi
  "Accurate measurement of the internal potential in two capacitors connected in series for studying Negative Capacitance effects", [21p-145-14] ,
  第79回応用物理学会秋季学術講演会,
  （2018年9月21日、名古屋国際会議場、愛知県 名古屋市）

• X. Wang、T. Nishimura、T. Yajima、A. Toriumi
  [Young Scientist Presentation Award Speech],
  "Thermal oxidation kinetics of Ge under high O2 pressure", [21p-145-1],
  第79回応用物理学会秋季学術講演会,
  （2018年9月21日、名古屋国際会議場、愛知県 名古屋市）

• X. Li、Y. Noma、W. Song、T. Nishimura、A. Toriumi
  "How Ge atoms behave in thermal oxidation of SiGe?", [21p-145-7],
  第79回応用物理学会秋季学術講演会,
  （2018年9月21日、名古屋国際会議場、愛知県 名古屋市）

• 鳥海 明、右田 真司
  「HfO2薄膜はなぜ強誘電体になるのだろうか？」,[20p-141-3] ,招待,
  第79回応用物理学会秋季学術講演会, 分化企画シンポジウム,
  （2018年9月20日、名古屋国際会議場、愛知県 名古屋市）

• 安田 脩平、柴山 茂久、西村 知紀、矢嶋 赳彬、右田 真司、鳥海 明
  「インピーダンス解析による強誘電性HfO2における分極反転過程の観察」, [20a-PA5-9],
  第79回応用物理学会秋季学術講演会,
  （2018年9月20日、名古屋国際会議場、愛知県 名古屋市）

• 西村 知紀、矢嶋 赳彬、鳥海 明
  [優秀論文賞受賞記念講演],
  "Reexamination of Fermi level pinning for controlling Schottky barrier height at metal/Ge interface", [19a-233-1],
  第79回応用物理学会秋季学術講演会,
  （2018年9月19日、名古屋国際会議場、愛知県 名古屋市）

• 矢嶋 赳彬、西村 知紀、鳥海 明
  「非平衡状態を活用したVO2相転移トランジスタの急峻スイッチング動作」, [19p-233-9] ,
  第79回応用物理学会秋季学術講演会,
  （2018年9月19日、名古屋国際会議場、愛知県 名古屋市）

• 矢嶋 赳彬、西村 知紀、鳥海 明
  「超低電圧動作を可能にするVO2モットトランジスタの設計指針」, [18a-223-7]
  第79回応用物理学会秋季学術講演会,
  （2018年9月18日、名古屋国際会議場、愛知県 名古屋市）

• 矢嶋 赳彬
  「相転移材料の熱自由度を利用した低消費電力アナログスパイク処理」, invited,
  シリコンテクノロジー分科会 第210回研究集会,
  （2018年3月18日、甲南大学ネットワークキャンパス、東京都 千代田区）

• 森 優樹、柴山 茂久、矢嶋 赳彬、西村 知紀、右田 真司、鳥海 明
  「パルスレーザーアニールによるHfO2薄膜の非平衡結晶化」,
  第65回応用物理学会春季学術講演会 17p-F206-11,
  （2018年3月17日、早稲田大学、東京都 新宿区）

• 野間 勇祐、宋 宇振、西村 知紀、矢嶋 赳彬、鳥海 明
  「SiGeの熱酸化によって界面に形成されるGe層の析出機構」,
  第65回応用物理学会春季学術講演会 17p-F206-5,
  （2018年3月17日、早稲田大学、東京都 新宿区）

• 竹村 千里、柴山 茂久、西村 知紀、矢嶋 赳彬、鳥海 明
  「Ge酸化に伴う表面平坦性の劣化と酸化機構の変化」,
  第65回応用物理学会春季学術講演会 17p-F206-3,
  （2018年3月17日、早稲田大学、東京都 新宿区）

• 柴山 茂久、西村 知紀、右田 真司、鳥海 明
  「HfxZr1-xO2 が広い濃度領域で強誘電性を示す起源について」,
  第65回応用物理学会春季学術講演会 17p-F206-14,
  （2018年3月17日、早稲田大学、東京都 新宿区）

• 柴山 茂久、西村 知紀、右田 真司、鳥海 明
  「アンドープZrO2薄膜における強誘電性の実現」,
  第65回応用物理学会春季学術講演会 17p-F206-13,
  （2018年3月17日、早稲田大学、東京都 新宿区）

• 鳥海 明
  「[第18回応用物理学会業績賞(研究業績)受賞記念講演] ふり返るにはまだ早い！」, invited,
  第65回応用物理学会春季学術講演会 18a-G203-6,
  （2018年3月18日、早稲田大学、東京都 新宿区）

• 鳥海 明
  「ゲルマニウム電子デバイスに向けた界面制御」, invited,
  第65回応用物理学会春季学術講演会 18p-C304-2,
  （2018年3月18日、早稲田大学、東京都 新宿区）

• 西村 知紀、唐 暁雨、魯 辞莽、矢嶋 赳彬、鳥海 明
  「Y添加によるアモルファスGeO2ネットワーク構造の安定化」,
  第65回応用物理学会春季学術講演会 18p-P7-4,
  （2018年3月18日、早稲田大学、東京都 新宿区）

• 矢嶋 赳彬、西村 知紀、鳥海 明
  「VO2ニューロンにおけるスパイク誘起-金属絶縁体転移」,
  第65回応用物理学会春季学術講演会 18p-G203-12,
  （2018年3月18日、早稲田大学、東京都 新宿区）

• Akira Toriumi,
  "Why don’t you enjoy Ge CMOS more? "
  第65回応用物理学会春季学術講演会 19p-G203-1,
  （2018年3月19日、早稲田大学、東京都 新宿区）

• 矢嶋 赳彬、西村 知紀、鳥海 明
  「相転移材料の熱自由度を利用したニューロン回路とその自律動作」,
  第65回応用物理学会春季学術講演会 20a-C102-6,
  （2018年3月20日、早稲田大学、東京都 新宿区）

• 若藤 祐斉、矢嶋 赳彬、西村 知紀、鳥海 明
  「金属絶縁体転移型VO­2 FETにおけるパルスゲート電圧応答」,
  第65回応用物理学会春季学術講演会 20a-C102-4,
  （2018年3月20日、早稲田大学、東京都 新宿区）