主要研究テーマ |
次世代半導体デバイスに向けたマテリアルの開発と要素技術の構築 |
1)高誘電率ゲート絶縁膜(High-k膜)の材料科学
2)Ge-CMOSをめざした界面場制御
3)2次元系半導体物性
4)機能性酸化物(TiO2,VO2)FET
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電子情報機器の急速な発展は半導体集積回路の高集積化に支えられています。これはMOSFETを始めとする各素子の微細化によって達成されてきました。しかし、このまま微細化を際限なく進めることは困難であり、既に数々の物理的な限界が指摘され始めています。当研究室ではこの微細化の限界を乗り越えてさらに高機能な半導体デバイスを実現するために、マテリアルの物性や反応のナノスケールでの制御に関する研究を行っています。
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Feb. 1, 2020 ホームページを引っ越しました
Mar. 19, 2019 Workshopを開催しました
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