Awards List

－2017－
Publication

• W. Song, and A. Toriumi,
  "Study of SiGe oxidation kinetics for preferential SiO2 formation under a low O2 pressure condition"
  Journal of Applied Physics Vol.122(18), #185301(1-7) (2017),
  Doi:https://doi.org/10.1063/1.5009758

• A. Toriumi and T. Nishimura
  "Germanium CMOS potential from material and process perspectives: Be more positive about germanium"
  Japanese Journal of Applied Physics Vol.57(1), #010101(1-44)(2018)
  Published online October 30, 2017,
  http://iopscience.iop.org/article/10.7567/JJAP.57.010101

• X. Lun, T. Nishimura, S. Shibayama, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi,
  "Kinetic pathway of the ferroelectric phase formation in doped HfO2 films",
  J. Appl. Phys. Vol.122(12), #124104(1-7) (2017),
  Doi:http://dx.doi.org/10.1063/1.5003918

• X. Wang, T. Nishimura, T. Yajima, and A. Toriumi,
  "Thermal oxidation kinetics of germanium",
  Appl. Phys. Lett. Vol.111(5), #052101(1-4) (2017),
  Doi:http://dx.doi.org/10.1063/1.4997298

• T. C. Liu, S. Kabuyanagi, T. Nishimura, T. Yajima, A, Toriumi,
  "n + Si/pGe Heterojunctions Fabricated by Low Temperature Ribbon Bonding with Passivating Interlayer",
  IEEE Electron Device Letters Vol.38(6), #716-719 (2017),
  Doi:http://dx.doi.org/10.1109/LED.2017.2699658

• X. Li, T. Yajima, T. Nishimura, and A. Toriumi,
  "Thermodynamic understanding and analytical modeling of interfacial SiO2 scavenging in HfO2 gate stacks on Si, SiGe, and SiC",
  (published online 4 April 2017),
  Appl. Phys. Lett. Vol.110(14), #142903(1-5) (2017),
  Doi:http://dx.doi.org/10.1063/1.4979711

• N. Fang, K. Nagashio, and A. Toriumi
  "Experimental detection of active defects in few layers MoS2 through random telegraphic signals analysis observed in its FET characteristics"
  2D Mater. Vol.4(1), #015035(1-8) (2017),
  doi:10.1088/2053-1583/aa50c4

• T. Yajima, T. Nishimura, A. Toriumi
  "Identifying the Collective Length in VO2 Metal-Insulator Transitions"
  Small Vol.13(12), #1603113(1-6) (2017).
  DOI: 10.1002/smll.201603113
  

International conference

• C. Liu, T. Nishimura, and A. Toriumi,
  "Dramatic leakage current reduction at n+/p junctions in Ge",
  48th IEEE Semiconductor Interface Spesialists Conference(SISC), 5, #2
  (Dec 7, Bahia Resort Hotel, San Diego, USA)

• L. Xu, S. Migita, and A. Toriumi
  "Universal pathway of ferroelectric phase evolution in doped HfO2",
  48th IEEE Semiconductor Interface Spesialists Conference(SISC), 6, #4
  (Dec 7, Bahia Resort Hotel, San Diego, USA)

• X. Tian, L. Xu, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi
  "Sub-nm EOT Ferroelectric HfO2 on p+Ge with Highly Reliable Field Cycling Properties",
  2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2017), 37.1, #816-819
  (Dec.6, Hilton San Francisco Union Square, San Francisco, USA)

• T. Yajima, T. Nishimura, A. Toriumi
  "Application of VO2 Metal-Insulator Transition to Capacitor-Less Neuron Circuits"
  MRS Fall Meeting (2017), EM07.06, #03
  (Nov.28, Hynes Convention Center, Boston, USA)

• T. Yajima, T. Nishimura, A. Toriumi
  "Hydrogenation of The Buried Interface as A Stable Nano-Doping Technique to Oxide Semiconductors"
  MRS Fall Meeting (2017), EM05.08, #05
  (Nov.28, Hynes Convention Center, Boston, USA)

• A. Toriumi,
  "High-k, Higher-k and Ferroelectric HfO2", invited, D01, #817
  232nd ECS Meeting, D01, #817
  (Oct. 2, 2017,Gaylord National Resort & Convention Center,National Harbor, MD(greater Washington, DC area), USA )

• A. Toriumi,
  "Interface Control for High Performance N-Channel Ge FETs", Keynote,
  232nd ECS Meeting, G03, #1114
  (Oct. 2, 2017,Gaylord National Resort & Convention Center,National Harbor, MD(greater Washington, DC area), USA)

• N. Nishimura, T. Yajima, and A. Toriumi,
  "Reconsideration of Metal Work Function at Metal/Semiconductor Interface",
  232nd ECS Meeting, G03, #1121
  (Oct. 2, 2017,Gaylord National Resort & Convention Center,National Harbor, MD(greater Washington, DC area), USA)

• T. Yajima, T. Nishimura, A. Toriumi
  "Designing Type II Neurons via Instability of VO2 Metal‐Insulator Transition"
  THe 24th International Workshop on Oxide Electronics (iWOE 2017), 6, #2
  (Sep.26, W Hotel, Chicago, USA)

• X. Tian, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, A. Toriumi,
  "Direct Evidence of 3-nm-thick Ferroelectric HfO2"
  2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017),K-5, #04
  (Sep.22, Sendai International Center, Sendai, Japan)

• L. Xu, T. Nishimura, S. Shibayama, T. Yajima, S. Migita, A. Toriumi,
  "Thickness-dependent ferroelectric phase evolution in doped HfO2"
  2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017), K-5, #03
  (Sep.22, Sendai International Center, Sendai, Japan)

• T. Yajima, T. Nishimura, A. Toriumi
  "Application of VO2 metal-insulator transition to capacitorless neuron circuits"
  2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017),D-4, #04
  (Sep.21, Sendai International Center, Sendai, Japan)

• X. Wang, T. Nishimura, T. Yajima, A. Toriumi,
  "A new kinetic model for thermal oxidation of Ge"
  2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017), K-3, #01
  (Sep.21, Sendai International Center, Sendai, Japan)

• W. Song, A. Toriumi,
  "Impact of reaction kinetics at GeO2/Si for highperformance SiGe gate stacks",
  2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017), K-3, #03
  (Sep.21, Sendai International Center, Sendai, Japan)

• X. Tang, A. Toriumi,
  "Role of Y-doping into GeO2 in Ge gate stack reliability",
  2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017), K-3, #04
  (Sep.21, Sendai International Center, Sendai, Japan)

• T. Nishimura, T. Yajima, A. Toriumi,
  "Generalized Picture of Work Function of a Metal with Schottky Interface",
  2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017), K-1, #05
  (Sep.20, Sendai International Center, Sendai, Japan)

• A. Toriumi,
  "Universal pathway of ferroelectric phase evolution in doped HfO2", invited,
  Non-Volatile Memory Technology Symposium 2017 (NVMTS 2017), 4, #MR-03
  (Aug. 31, 2017, I. Institute of Physics, RWTH Aachen, Germany)

• A. Toriumi,
  "Materials fundamentals for germanium CMOS ", Keynote Speaker,
  The 1st International Semiconductor Conference for Global Challenges (ISCGC 2017), K, #K5
  (Jul. 19, 2017, International Conference Center of Nanjing University,Nanjing, China)

• A. Toriumi,
  "Materials design for versatile electron devices in the IoT era", Keynote Address,
  2017 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD2017), Plenary Session, #K-3
  (Jul. 4, 2017, Hotel Hyundai Gyeongju, Gyeongju-si, Korea)

• A. Toriumi,
  "Ge for CMOS applications" invited,
  20th Conference on "Insulating Films on Semiconductors"(INFOS2017),
  (Jun. 29, 2017, the Hotel Seminaris Seehotel in Potsdam, Potsdam, Germany)

• A. Toriumi,
  "Carrier density dependent energy band-gap and phonon frequency in Ge",
  ULSIC vs TFT, Fabrication-reliability-materials 1, #2
  (May 24, 2017, Seminarhotel Schloss Hernstein, Herstein, Austria)

• A. Toriumi,
  "Materials and Process Fundamentals for High Performance Ge MOSFETs",invited
  2017 VLSI-TSA(International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications), Short Course A, #1
  (Apr.24, 2017, Ambassador Hotel Hsinchu, Hsinchu, Taiwan)

• T. Yajima,
  "Nanoscale Hydrogen Doping to Oxides Heterointerfaces via Electrochemistry",invited
  WCSM 2017, 105, #4
  (Mar.18, Bankoku, Thailand)
  

• Xuan Tian and Akira Toriumi,
  "New Opportunity of Ferroelectric Tunnel Junction Memory with Ultrathin HfO2-Based Oxides",
  EDTM 2017, 4A, #4
  (Mar.1, Toyama International Conference Center, Toyama, Japan)
  

• Takeaki Yajima, Tomonori Nishimura, and Akira Toriumi,
  "Local, Isotropic, and Damageless Doping to Oxide Semiconductors by Using Electrochemistry",
  EDTM 2017, 5M, #2
  (Mar.1, Toyama International Conference Center, Toyama, Japan, Toyama, Japan)
  

• T. Nishimura, S. Matsumoto, T. Yajima and A. Toriumi,
  "Physical implication of metal wave function evanescent at metal/Ge interface", invited,
  10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar, 2-5, #I10
  (Feb.14, Tohoku Unibersity, sendai, Japan)
  

• T. Yajima,
  "Two-Terminal neuromorphic devices based on hydrogen volatility in oxides",
  Ad Hoc Workshop, invited, 1, #4
  (Jan.16, The Univ. of Tokyo, Tokyo, Japan)

Domestic

• X. Luo, T. Nishimura, T. Yajima, and A. Toriumi,
  "Fermi-level pinning at metal/SiGe interface",
  第78回応用物理学会秋季学術講演会,
  (2017年9月8日, 福岡国際センター, 福岡県　福岡市）

• 矢嶋 赳彬, 西村 知紀, 鳥海 明,
  「VO2金属絶縁体転移素子を利用したニューロン回路の安定性の研究」,
  第78回応用物理学会秋季学術講演会,
  (2017年9月8日, 福岡国際センター, 福岡県　福岡市）

• 矢嶋 赳彬, 西村 知紀, 鳥海 明,
  「VO2金属絶縁体転移を用いたType-Ⅱニューロン素子の設計」,
  第78回応用物理学会秋季学術講演会,
  (2017年9月7日, 福岡国際会議場, 福岡県　福岡市）
  

• 矢嶋 赳彬
  「金属絶縁体転移素子を用いた キャパシタレスのニューロン回路」, invited,
  SDM/ICD/ITE-IST研究会,
  （2017年8月2日、北海道大学、北海道　札幌市）

• 矢嶋 赳彬
  「相転移材料によって開かれる新しい電子デバイスと回路の可能性」, invited,
  電気学会「ナノエレクトロニクス新機能創出・集積化技術専門員会」,
  （2017年7月21日、早稲田大学、東京都）

• 鳥海明
  「先端デバイスに向けた材料技術の重要性」
  プラナリゼーションCMPとその応用技術専門委員会,
  (2017年6月19日、 名古屋大学ES総合館、愛知県　名古屋市）

• 矢嶋 赳彬
  「相転移現象によって開かれる 新しい電子デバイスと回路の可能性」, invited,
  第6回 酸化物研究の新機軸に向けた学際討論会,
  （2017年6月16日、九州大学、福岡県　福岡市）

• 西村 知紀、矢嶋 赳彬、鳥海 明
  「金属/半導体界面における仕事関数の再定義とフェルミレベルピンニングの再考」,
  第64回応用物理学会春季学術講演会,
  （2017年3月17日、パシフィコ横浜、神奈川県　横浜市）

• 柴山 茂久、徐 倫、田 璇、右田 真司、鳥海 明
  「HfO2膜の強誘電相形成における熱履歴の重要性」,
  第64回応用物理学会春季学術講演会,
  （2017年3月17日、パシフィコ横浜、神奈川県　横浜市）

• Luo Xuan、西村 知紀、矢嶋 赳彬、鳥海 明
  「Schottky diode characteristics at metal/surface-damaged Ge」,
  第64回応用物理学会春季学術講演会,
  （2017年3月17日、パシフィコ横浜、神奈川県　横浜市）

• Xu Lun、柴山 茂久、西村 知紀、矢嶋 赳彬、右田 真司、鳥海 明
  "Dopant-independent maximum Pr of doped ferroelectric HfO2"
  第64回応用物理学会春季学術講演会,
  （2017年3月17日、パシフィコ横浜、神奈川県　横浜市）

• Tian Xuan、柴山 茂久、Xu Lun、右田 真司、鳥海 明
  "Ferroelectric tunnel junctions with ultrathin Y2O3-doped HfO2"
  第64回応用物理学会春季学術講演会,
  （2017年3月17日、パシフィコ横浜、神奈川県　横浜市）

• 西村 知紀、矢嶋 赳彬、鳥海 明
  「金属/Ge 界面のショットキー障壁高さの制御に向けたフェルミレベルピンニングの再考」, invited,
  第8回シリコンテクノロジー分科会論文賞受賞記念講演
  第64回応用物理学会春季学術講演会,
  （2017年3月16日、パシフィコ横浜、神奈川県　横浜市）

• Tang Xiaoyu、鳥海 明
  "Relationship between initial properties and reliability of Ge gate stacks"
  第64回応用物理学会春季学術講演会,
  （2017年3月16日、パシフィコ横浜、神奈川県　横浜市）

• Song Woojin、鳥海 明
  "Atomic exchange between Ge and Si at GeO2/Si interface",
  第64回応用物理学会春季学術講演会,
  （2017年3月16日、パシフィコ横浜、神奈川県　横浜市)

• Xu Wang、西村 知紀、矢嶋 赳彬、鳥海 明
  "Study of Thermal Oxidation Mechanism of Germanium",
  第64回応用物理学会春季学術講演会,
  （2017年3月16日、パシフィコ横浜、神奈川県　横浜市)

• 矢嶋 赳彬、西村 知紀、鳥海 明
  「ジュール熱の蓄積効果で発火する相転移ニューロン素子の作製」,
  第64回応用物理学会春季学術講演会,
  （2017年3月15日、パシフィコ横浜、神奈川県　横浜市）

• 矢嶋 赳彬、西村 知紀、鳥海 明
  「多様化するアナログ信号処理に向けた新規機能性受動素子 ー VO2揮発性スイッチの作製と応用 ー」,
  シリコン材料・デバイス研究会,
  （2017年1月30日、機械振興会館、東京都）

• 西村 知紀, 松本 創央志, 矢嶋 赳彬, 鳥海 明
  「金属の特性に基づいた金属/Ge界面のフェルミレベルピンニングの制御」,
  電子デバイス界面テクノロジー研究会（第22回） 1-2-2
  （2017年1月21日、東レ研修センター　静岡県　三島市）

• 柴山 茂久, 徐 倫, 田 璇, 右田 真司, 鳥海 明
  「圧電応答力顕微鏡を用いたYドープHfO2膜の強誘電性ドメインの観察」,
  電子デバイス界面テクノロジー研究会（第22回） 1-2-2
  （2017年1月20日、東レ研修センター　静岡県　三島市）