Awards List
－2012－
Publication

• 長汐晃輔, 鳥海明,
  "グラフェン/金属コンタクトの理解と制御"
  グラフェンの最先端技術と拡がる応用,フロンティア出版, 120-134, 2012．

• 長汐晃輔, 鳥海明,
  "SiO2上グラフェンの輸送特性の予想限界と現状"
  グラフェンの機能と応用展望II, シーエムシー出版, 185-195, 2012．

• 長汐晃輔, 鳥海明,
  "グラフェンFETの界面に対する理解と制御"（解説）
  電子情報通信学会誌, 95, 284 (2012)．

• 長汐晃輔，鳥海明，
  "グラフェン/SiO2基板相互作用に対する理解と制御"（解説）
  表面科学, 33, 552 (2012)．

• T. Nishimura, C. H. Lee, K. Nagashio, and A. Toriumi,
  "Step and Terrace Formation on Ge(111) Surface in H2 Annealing"
  Applied Physics Express 5 (2012) 121301-1 ～ 121301-3,
  published online Nov. 20, 2012
  DOI: 10.1143/APEX.5.121301

• C. H. Lee, T. Tabata, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi,
  "Oxidation Rate Reduction of Ge with O2 Pressure Increase",
  Applied Physics Express, 5 (2012)114001-1 ～ 114001-3,
  published online Nov. 8, 2012
  DOI: 10.1143/APEX.5.114001

• S. Hibino, T. Nishimura, K. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi,
  "Interface Dipole Cancellation in SiO2/High--‐k/SiO2/Si Gate Stacks"
  Ecs Transactions, Vo.l.50, No.4(2012), pp.159-163,
  published Oct., 2012,
  DOI:10.1149/05004.0159ecst

• W. Zhang, T. Nishimura, K. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi,
  "Conduction Band-offset in GeO2/Ge Stack Determined by Internal Photoemission Spectroscopy",
  Ecs Transactions, Vo.l.50, No.4(2012), pp.91-95,
  published Oct., 2012,
  DOI:10.1149/05004.0091ecst

• C. H. Lee, T. Nishimura, T. Tabata, K. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi,
  "Variation of Surface Roughness on Ge Substrate by Cleaning in Deionized Water and its Influence on Electrical Properties in Ge Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors",
  Japanese Journal of Applied Physics, 51 (2012) 104203-1 ～ 104203-5,
  published online Oct. 2, 2012
  DOI: 10.1143/JJAP.51.104203

• T. Tabata, K. Nagashio, and A. Toriumi,
  "Effect of High-Pressure Inert Gas Annealing on AlON/Ge Gate Stacks"
  Applied Physics Express, 5 (2012) 091002-1 ～ 091002-3,
  published online Aug. 22, 2012
  DOI: 10.1143/APEX.5.091002
  

• S. K. Wang, H.-G. Liu, and A. Toriumi,
  "Kinetic study of GeO disproportionation into a GeO2/Ge system using x-ray photoelectron spectroscopy"
  Applied Physics Letters 101 (2012) 061907-1 ～ 061907-4,
  published online Aug. 6, 2012
  DOI: 10.1063/1.4738892

• S. Hibino, T. Nishimura, K. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi,
  "Counter Dipole Layer Formation in Multi-layer High-k Gate Stacks"
  Japanese Journal of Applied Physics, 51 (2012) 081303-1 ～ 081303-5,
  published online Aug. 2, 2012,
  DOI:10.1143/JJAP.51.081303
  

• D.D. Zhao, C. H. Lee, T. Nishimura, K. Nagashio, G. A. Cheng, and A. Toriumi,
  "Experimental and Analytical Characterization of Dual-Gated Germanium Junctionless p-Channel Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors",
  Japanese Journal of Applied Physics, 51 (2012) 04DA03-1 ～ 04DA03-7,
  published online Apr. 20, 2012
  DOI: 10.1143/JJAP.51.04DA03

International

• K. Nagashio, R. Ifuku, T. Moriyama, T. Nishimura, and A. Toriumi,
  "Intrinsic graphene/metal contact", Invited
  2012 IEEE International Electron Device Meeting (IEDM2012), pp.68-71,
  (Dec. 10, 2012, San Francisco).

• S. Kabuyanagi, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi,
  "Impacts of Surface Treatment of SiO2/Si Substrate on the Electrical Property of Polycrystalline Germanium Thin Film Transistor",
  43rd IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2012),
  (Dec.6, 2012, San Diego).

• W. Zhang, T. Nishimura, K. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi,
  "Conduction Band-offset in GeO2/Ge Stack Determined by Internal Photoemission Spectroscopy",
  PACIFIC RIM MEETING 2012 (PRiME 2012),
  (Oct.9, 2012, Honolulu)

• S. Hibino, T. Nishimura, K. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi,
  "Interface Dipole Cancellation in SiO2/High-k/SiO2/Si Gate Stacks",
  PACIFIC RIM MEETING 2012 (PRiME 2012),
  (Oct.9, 2012, Honolulu)

• T. Nishimura, K. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi,
  "Study of Fermi Level Pinning at Metal/Semiconductor Interface through Re-investigation of Interfacial Alloy Interaction",
  2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM),
  pp.751-752.,(Sep. 27, 2012, Kyoto)

• T. Iwai, Y. Nakajima, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi,
  "Role of Ar on Structual Phase Transformation of Sputtered HfO2",
  2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM),
  pp.767-768., (Sep.27, 2012, Kyoto)

• K. Nagashio, T. Nishimura and A. Toriumi,
  "Top-gated graphene FET with Y2O3 for quantum capacitance estimation",
  2012 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM),
  pp.678-679.,(Sep.26, 2012, Kyoto)

• T. Moriyama, K. Nagashio, T. Nishimura and A. Toriumi,
  "Bias Dependent G-band Shift of Graphene in Direct Contacting with Ni",
  2012 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM),
  pp.438-439.,(Sep.26, 2012, Kyoto)

• R. Ifuku, K. Nagashio, T. Nishimura and A. Toriumi,
  "Estimation of Metal-graphene Interaction Strength Through Quantum Capacitance Extraction of Graphene in Contact with Metal",
  2012 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM),
  pp.446-447.,(Sep.26, 2012, Kyoto)

• T. Tabata, C. H. Lee, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi,
  "Aluminum Nitride for Ge-MIS Gate Stacks with Scalable EOT",
  2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM),
  pp.741-742.,(Sep. 26, 2012, Kyoto)

• S. Kabuyanagi, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi,
  "Impacts of interfacial insulator on poly-crystalline germanium growth in low temperature processing",
  2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM),
  pp.18-19.,(Sep. 26, 2012, Kyoto)

• W. J. Song, C. H. Lee, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi,
  "Oxidation Kinetics of Ge by Oxygen Radicals at Low Temperatures and Electrical Properties of GeO2/Ge Gate Stacks",
  2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM),
  pp.745-746.,(Sep. 26, 2012, Kyoto)

• W. F. Zhang, T. Nishimura, K. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi,
  "Band-offset Determination at Ge/GeO2 Interface by Internal Photoemission and Charge-corrected X-ray Photo-electron Spectroscopies",
  2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM),
  pp.731-732.,(Sep. 25, 2012, Kyoto)

• C. H. Lee, T. Tabata, T. Nishimura, K. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi,
  "Characterization of phosphorus-implanted n+/p Ge junctions by reversely biased leakage current and Raman spectroscopy",
  2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM),
  pp.733-734.,(Sep. 25, 2012, Kyoto)

• A. Toriumi,
  "Materials Engineering of Ge Interfaces with Insulators and Metals", invited,
  17th Workshop on Dielectrics in Microelectronics(WoDiM 2012),
  (Jun. 25, 2012, Dresden)

• S.Hibino, T. Nishimura, K. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi,
  "Counter Dipole Layer Formation in SiO2/High-­‐k/SiO2/Si Gate Stacks",
  2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop,
  (Jun. 10, 2012, Honolulu)

• A. Toriumi, C. H. Lee, S. Wanga, D. Zhao, T. Tabata, T. Nishimura, K. Kita, and K. Nagashio,
  "Recent Progress of Ge Gate Stack Technology", invited,
  6th International SiGe Technology and Devices Meeting,
  (Jun. 5, 2012, Berkeley)

• A. Toriumi,
  "Recent Progress of Germanium MOSFETs", invited,
  The 2012 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai,
  (May 9, 2012, Kansai University, Osaka)

• T.Moriyama, K.Nagashio, T. Nishimura, and A. Toriumi,
  "Electrical transport properties of graphene in contact with Ni"
  2012 MRS Spring Meeting,
  (Apr. 10, 2012, San Francisco)

• K. Kita, S.K. Wang, T. Tabata, C.H. Lee, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi,
  "Control of Ge/High-k Interface for Ge CMOS Technology", Invited,
  39th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces(PCSI-39),
  (Jan. 25, 2012, Santa Fe)

• A. Toriumi,
  "Si-friendly materials beyond Si for new electron devices", invited,
  Enabling Science and Nanotechnology (ESciNano2012)
  (Jan. 7, 2012 Johor Bahru)

Domestic

• 長汐晃輔, 鳥海明,
  「グラフェンデバイスにおける界面の理解と制御」, 招待講演,
  第32回表面科学学術講演会 シンポジウム講演
  （2012年11月21日, 東北大学（仙台））

• 長汐晃輔，西村知紀，鳥海 明,
  「量子容量測定のためのY2O3トップゲート絶縁膜の形成」,
  2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会,
  （2012年9月12日,愛媛大学（愛媛））

• 永村直佳，堀場弘司，豊田智史，黒角翔大，篠原稔宏，出隆之，吹留博一，末光眞希，長汐晃輔，鳥海 明，尾嶋正治,
  「3次元nanoESCAによるグラフェンデバイスの界面電子状態解析」,
  2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会,
  （2012年9月12日,愛媛大学（愛媛））

• 金山 薫，長汐晃輔，西村知紀，鳥海 明,
  「デュアルゲート変調による3 層グラフェンの量子容量測定」,
  2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会,
  （2012年9月12日,愛媛大学（愛媛））

• 中村俊允，西村知紀，長汐晃輔，鳥海 明,
  「金属/Ge接合に及ぼす絶縁膜の挿入効果と実効電荷中性点の見かけ上のシフト」,
  2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会,
  （2012年9月12日,愛媛大学（愛媛））

• 岡村康平，李 忠賢，西村知紀，長汐晃輔，鳥海 明,
  「Geの低温高圧酸化における酸化レートの異常」,
  2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会,
  （2012年9月12日,愛媛大学（愛媛））

• 永田光大，岩井貴雅，田畑俊行，西村知紀，長汐晃輔，鳥海　明,
  「High-k/GeO2界面におけるダイポール層の実験的確認」,
  2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会,
  （2012年9月11日,愛媛大学（愛媛））

• 矢嶋赳彬，疋田育之，蓑原誠人，Christopher Bell，Harold Hwang , 招待講演,
  「酸化物ショットキー接合における界面ダイポール制御とメタルベーストランジスタの作製」,
  2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会,
  （2012年9月11日,愛媛大学（愛媛））

• 長汐晃輔
  「量子容量測定によるグラフェンの状態密度解析」,招待講演,
  フラーレンナノチューブグラフェン若手研究会,
  （2012年9月4日, 東北大学（仙台））

• 長汐晃輔,鳥海明,
  「金属電極直下のグラフェンは本当にグラフェンか？」,招待講演,
  筑波大学プレ戦略イニシアティブ講演会,
  （2012年8月7日, 筑波大学（つくば））

• 長汐晃輔, 鳥海明,
  「Is Graphene Contacting Metal Still Graphene?」,invited,
  新世代研究所ナノカーボン研究会,
  （2012年7月23日, 蔵王（山形））

• 長汐晃輔, 鳥海明,
  「メタル直下のグラフェン電子輸送特性の理解とコンタクト抵抗への影響 」, 招待講演,
  2012年春季　第59回応用物理学関係連合講演会,
  （2012年3月17日, 早稲田大学（東京））

• 中坪俊，西村知紀，長汐晃輔，喜多浩之，鳥海明,
  「速度論的考察に基づく良好なSiC/SiO2界面形成」,
  2012年春季　第59回応用物理学関係連合講演会,
  (2012年3月17日, 早稲田大学（東京））

• 日比野真也，西村知紀，長汐晃輔，喜多浩之，鳥海明,
  「SiO2/high-k/SiO2/Siゲートスタック構造による界面ダイポール効果の打ち消し -カウンターダイポール効果の実証」,
  2012年春季　第59回応用物理学関係連合講演会,
  (2012年3月17日, 早稲田大学（東京））

• 岩井貴雅，中嶋泰大，喜多浩之，西村知紀，長汐晃輔，鳥海明,
  「熱処理雰囲気の違いによる結晶化HfO2薄膜相変態速度への影響」,
  2012年春季　第59回応用物理学関係連合講演会,
  (2012年3月17日, 早稲田大学（東京））

• 中嶋泰大，岩井貴雅，喜多浩之，西村知紀，長汐晃輔，鳥海明,
  「HfO2のcubic相からmonoclinic相への相変態機構に及ぼす酸素の効果」,
  2012年春季　第59回応用物理学関係連合講演会,
  (2012年3月17日, 早稲田大学）

• 田畑俊行，李忠賢，長汐晃輔，喜多浩之，鳥海明,
  「AlN/Ge MISゲートスタックにおける高圧窒素アニールの効果」,
  2012年春季　第59回応用物理学関係連合講演会,
  (2012年3月16日, 早稲田大学（東京））

• 宋宇振，張文峰，西村知紀，長汐晃輔，喜多浩之，鳥海明,
  「低温ラジカル酸化によるGe/GeO2 ゲートスタックの形成とその特性」,
  2012年春季　第59回応用物理学関係連合講演会,
  (2012年3月16日, 早稲田大学（東京））

• 株柳翔一，西村知紀，長汐晃輔，鳥海明,
  「低温熱処理で形成した多結晶Ge薄膜トランジスタに及ぼす界面絶縁膜の効果」,
  2012年春季　第59回応用物理学関係連合講演会,
  (2012年3月16日, 早稲田大学（東京））

• 李忠賢，西村知紀，田畑俊行，長汐晃輔，喜多浩之，鳥海明,
  「UTB-GeOI MOSFETsにおける移動度劣化機構」,
  2012年春季　第59回応用物理学関係連合講演会,
  (2012年3月16日, 早稲田大学（東京））

• 趙丹丹，李忠賢，西村知紀，長汐晃輔, 鳥海明,
  「Ge Junction-less p-FETの作成と正孔の高移動度」,
  2012年春季　第59回応用物理学関係連合講演会,
  (2012年3月16日, 早稲田大学（東京））

• 趙丹丹，李忠賢，西村知紀，長汐晃輔，鳥海明,
  「高不純物濃度GermaniumにおけるRamanピークのソフト化の起源」,
  2012年春季　第59回応用物理学関係連合講演会,
  (2012年3月16日, 早稲田大学（東京））

• 森山喬史, 長汐晃輔, 西村知紀, 鳥海明,
  「グラフェン/SiO2/Si スタックにおける光応答」,
  2012年春季　第59回応用物理学関係連合講演会,
  （2012年3月16日, 早稲田大学（（東京））

• 井福亮太, 長汐晃輔, 西村知紀, 鳥海明,
  「Graphite/SiO2/Si キャパシタを用いたgraphite界面容量の抽出」,
  2012年春季　第59回応用物理学関係連合講演会,
  （2012年3月16日, 早稲田大学（（東京））

• 中嶋泰大, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
  「HfO2におけるcubic相からmonoclinic相への結晶相変態過程の速度論的解析」
  招待講演
  ゲートスタック研究会－材料・プロセス・評価の物理－（第17回研究会）, pp53-56
  （2012年1月21日, 三島）

• 李忠賢, 西村知紀, 田畑俊行, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明
  「DIWによるGe表面ラフネスの制御とGe/GeO2界面の電気特性における影響」
  ゲートスタック研究会－材料・プロセス・評価の物理－（第17回研究会）, pp209-212
  （2012年1月20日, 三島）

• 西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明
  「Ge ショットキー・MIS トンネル接合におけるフェルミレベルピンニング」
  ゲートスタック研究会－材料・プロセス・評価の物理－（第17回研究会）, pp213-216
  （2012年1月20日, 三島）