Awards List

ー2009ー
Publication

• A.Toriumi and T.Nabatame
  "Anomalous VFB Shift in High-k Gate Stacks - Is its origin at the top or bottom interface?-"
  ECS Trans. 25 (6) pp.3-16 (2009).

• C. H. Lee, T. Tabata, T. Nishimura, K. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi,
  "Ge/GeO2 Interface Control with High-Pressure Oxidation for Improving Electrical Characteristics"
  Appl.Phys. Express 2 (2009) 071404.

• K. Nagashio, C. H. Lee, T. Nishimura, K. Kita, and A. Toriumi,
  "Thermodynamics and kinetics for suppression of GeO desorption by high pressure oxidation of Ge"
  Mater. Res. Soc. Symp. Proc., (2009) 1155, C06-02.

• T. Yokoyama, C. B. Park, K.Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi,
  ”Grain size increase in pentacene thin films prepared in low-pressure gas ambient”
  Thin Solid Films, Vol.518(2) pp. 507-509(2009)
  

• A.Dimoulas,A.Toriumi and S.E.Mohney
  "Source and Drain Contacts for Germanium and III-V FETs for Digital Logic"
  MRS BULLETIN,VOL.34,pp.522-529,(Jul.2009).

• A.Toriumi,T.Tabata,C.H.Lee,T.Nishimura,K.kita and K.Nagashio
  "Opportunities and challenges for Ge CMOS-Control of interfacing field on Ge is a key(Invited Paper)"
  Microelectronic Engineering86(2009)1571-1576.

• K.Kita,C.H.Lee,T.Nishimura,K.Nagashio and A.Toriumi
  "Control of Properties of GeO2 Films and Ge/ GeO2 Interfaces by the Suppression of GeO Volatilization"
  ECS Trans. 19 (2) pp.101-116 (2009).

• C.H.Lee,T.Tabata,T.Nishimura,K.Nagashio,K.Kita and A.Toriumi
  "Ge/GeO2 Interface Control with High Pressure Oxidation for Improving Electrical Characteristics"
  ECS Trans. 19 (1) pp.165-173 (2009).

• A.Toriumi andK.Kita
  "On the Origin of anomalous VTH shift in high-k MOSFETs"
  ECS Trans. 19 (1) pp.243-252 (2009).

• K.Nagashio, T. Nishimura, K. Kita, and A. Toriumi,
  "Mobility Variations in Mono- and Multi-Layer Graphene Films"
  Appl. Phys. Express 2, 025003 (2009).

• T. Nishimura, S. Sakata, K. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi,
  "Low Temperature Phosphorus Activation in Germanium through Nickel Germanidation for Shallow n+/p Junction"
  Appl. Phys. Express 2, 021202 (2009).

• K.Kita and A.Toriumi,
  "Origin of Electric Dipoles Formed at High-k/SiO2 Interface"
  Appl. Phys. Lett. 94, 132902 (2009).

• Y. Zhao, K. Kita, K.Kyuno,and A. Toriumi,
  "Dielectric and electrical properties of amorphous La1.xTaxOy films as higher-k gate insulators"
  J.Appl. Phys. 105 (2009) 034103.

• K.Nagashio, T. Nishimura, K. Kita, and A. Toriumi,
  "Mobility Variations in Mono- and Multi-Layer Graphene Films"
  Appl. Phys. Express 2, 025003 (2009).

• Y. Zhao, K. Kita, K.Kyuno,and A. Toriumi,
  "Band gap enhancement and electrical properties of La2O3 films doped with Y2O3 as high-k gate insulators"
  Appl. Phys.Letters 94 (2009) 042901.
  

• S.K. Wang, K. Kita, C.H. Lee, T. Tabata, K. Nagashio, T. Nishimura and A. Toriumi
  "Kinetic Study of GeO Desorption from Ge/GeO2 system,"
  40th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference International(SISC2009)（Dec. 3, 2009, Arlington)

• M. Yoshida, K. Kita, K. Nagashio, T. Nishimura and A. Toriumi
  "Sub-gap Formation and Its Annihilation in Energy Band Gap of GeO2 by Changing O2 Pressure in PDA Process"
  40th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference International(SISC2009)（Dec. 3, 2009, Arlington)

• T. Tabata, C.H. Lee, K. Kita and A. Toriumi
  "Local GeO2 Doping at LaLuO3/Ge Interface for Direct High-k/Ge Gate Stacks"
  40th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference International(SISC2009)（Dec. 3, 2009, Arlington)

• K. Nagashio, T. Nishimura, K. Kita and A. Toriumi
  "Metal dependent contact properties in graphene FETs"
  40th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference International(SISC2009)（Dec. 2009, Arlington)

• Y. Chikata, K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio and A. Toriumi
  "XPS Analysis of High-k/SiO2/Si Stacks through Grounded Gate Metal - Estimation of Energy Levels of Electronic Structures of High-k Dielectric Films"
  40th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference International(SISC2009)（Dec. 5, 2009, Arlington)

• C.H. Lee, T. Nishimura, N. Saido, K. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi
  " Record-high Electron Mobility in Ge n-MOSFETs Exceeding Si Universality"
  2009IEEE International Electron Device Meeting(IEDM),pp.457-460.(Dec. 8, 2009,Baltimore).

• K. Nagashio, T. Nishimura, K. Kita and A. Toriumi
  "Metal/Graphene Contact as a Performance Killer of Ultra-high Mobility Graphene - Analysis of IntrinsicMobility and Contact Resistance -"
  2009IEEE International Electron Device Meeting(IEDM),pp.565-568.(Dec.2009,Baltimore).

• K. Kita, S.K. Wang, M. Yoshida, C.H. Lee, K. Nagashio, T.Nishimura and A.Toriumi
  "Comprehensive Study of GeO2 Oxidation, GeO Desorption and GeO2-Metal Interaction . Understanding of Ge Processing Kinetics for Perfect Interface Control-"
  2009IEEE International Electron Device Meeting(IEDM),pp.693-696.(Dec. 9, 2009,Baltimore).

• A.Toriumi and T.Nabatame
  "Anomalous VFB Shift in High-k Gate Stacks - Is its origin at the top or bottom interface?-"
  216 th The Electrochemical Society Meeting,(Oct. 5, 2009, Vienna)(Invited)

• L. Q. Zhu, K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio, S. K. Wang and A. Toriumi,
  "X-ray photoelectron spectroscopy study of dipole effects at HfO2/SiO2/Si stacks"
  Int. conf. on Solid State Devices and Materials, (Oct.7, 2009,Sendai)
  

• T. Tabata, K. Kita and A. Toriumi,
  "Study of La-doped GeO2 Films from Defect Annihilation Viewpoint"
  Int. conf. on Solid State Devices and Materials, (Oct. 8, 2009,Sendai)
  

• C. H. Lee, T. Nishimura, T. Tabata, K. Nagashio, K. Kita and A. Toriumi,
  "High Electron Mobility Ge n-Channel MOSFETs with GeO2 grown by High Pressure Oxidation"
  Int. conf. on Solid State Devices and Materials, (Oct. 9, 2009,Sendai)

• S. Wang, K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio and A. Toriumi1
  "18O isotope tracing of GeO Desorption from GeO2/Ge Structure"
  Int. conf. on Solid State Devices and Materials, (Oct. 9, 2009,Sendai)

• T. Yokoyama, C. B. Park, K. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi
  "Enhancing mobility in pentacene TFTs using the film deposition in H2 on
  octadecyltrichlorosilane (OTS) treated SiO2"
  Int. conf. on Solid State Devices and Materials, (Oct. 2009,Sendai)
  

• K. Kita, M. Yoshida, T. Nishimura, K. Nagashio and A. Toriumi,
  "Spectroscopic Ellipsometry Study on Defects Generation in GeO2/Ge stacks",
  Int. conf. on Solid State Devices and Materials, (Oct. 9, 2009,Sendai)

• K. Nagashio, T. Nishimura, K. Kita and A. Toriumi
  "Study of metal/graphene contact with different electrode geometry"
  Int. conf. on Solid State Devices and Materials, (Oct. 2009,Sendai)

• A.Toriumi
  "Material Science of Metal/High-k Gate Stack for Advanced CMOS”
  1st International Workshop on Si based nano-electronics and -photonics (Sep.21, 2009, Vigo) (invited)
  

• A.Toriumi,T.Tabata,C.H.Lee,T.Nishimura,K.Kita and K.Nagashio,
  "Opportunities and Challenges for Ge CMOS -Control of interfacing fields on Ge is a key-",
  INFOS2009(Jun. 29, 2009,Cambridge)(Invited)

• K. Kita, C.H. Lee, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi,
  "Control of Properties of GeO2 Films and Ge/GeO2 Interfaces by the Suppression of GeO Volatilization",
  215 th Meeting, The Electrochemical Society (May 26, 2009, San Francisco)(Invited)

• C. H.Lee, T. Tabata, T. Nishimura, K.Nagashio, K. Kita and A. Toriumi ,
  "Ge/GeO2 Interface Control with High Pressure Oxidation for Improving Electrical Characteristics",
  215 th Meeting, The Electrochemical Society (May 26, 2009, San Francisco)

• A. Toriumi and K. Kita,
  "On the Origin of Anomalous VTH Shift in high-k MOSFETs",
  215 th Meeting, The Electrochemical Society (May 27, 2009, San Francisco)(Invited)

• A.Toriumi,
  "Materials Science in Metal/High-k Gate Stacks for Much More Moore CMOS",
  INC-5(May 2009,Los Angeles)(Invited)

• K. Nagashio, T. Nishimura, K. Kita, and A. Toriumi,
  "Thermodynamics and kinetics for suppression of GeO desorption by high pressure oxidation of Ge",
  MRS spring meeting, (Apr. 15, 2009, San Francisco)

• A.Toriumi,
  "On the Origin of anomalous VTH shift in high-k MOSFETs" ,
  Nonstoichiometric Compounds,(Mar. 9, 2009,Jeju)(Invited)

Domestic

• 長汐晃輔, 鳥海 明
  「グラファイトから単層グラフェンまでの系統的な電子輸送特性評価」
  　学振162委員会 （2009年12月21日, 熱海）

• 喜多浩之，吉田まほろ，西村知紀，長汐晃輔，鳥海　明
  「GeO2膜のサブギャップ光吸収とGeO脱離量の相関の考察」
  第70回応用物理学会学術講演会，11a-TD-11 （2009年9月11日, 富山）

• 王　盛凱，喜多浩之，李　忠賢，西村知紀，長汐晃輔，鳥海　明
  「Ge/GeO2からのGeO脱離における活性化エネルギーのTDSによる評価」
  第70回応用物理学会学術講演会，11a-TD-10 （2009年9月11日, 富山）

• 吉田まほろ，喜多浩之，西村知紀，長汐晃輔，鳥海　明
  「GeO2膜のアニール後に観測されるサブギャップ抑制のための高圧酸素圧力の定量化」
  第70回応用物理学会学術講演会，11a-TD-9 （2009年9月11日, 富山）

• 李　忠賢，西村知紀，長汐晃輔，喜多浩之，鳥海　明
  「Ge高圧酸化におけるGeO脱離抑制に対する全圧と分圧の違い」
  第70回応用物理学会学術講演会，11a-TD-8 （2009年9月11日, 富山）

• 鳥海　明，喜多浩之，西村知紀，長汐晃輔
  「Ge-CMOSをめざした固相界面場制御」
  第70回応用物理学会学術講演会
  シンポジウム 『シリコンナノエレクトロニクスの新展開』（2009年9月10日, 富山）

• 長汐晃輔，西村知紀，喜多浩之，鳥海　明
  「Graphene/Cr間のコンタクト抵抗の数桁に及ぶバラツキ」
  第70回応用物理学会学術講演会，10p-ZR-19 （2009年9月, 富山）

• 西村知紀，長汐晃輔，喜多浩之，鳥海　明
  「金属/Ge界面におけるショットキー障壁高さのGeO2導入効果　-膜厚及び金属による違い- 」
  第70回応用物理学会学術講演会，10p-TG-16 （2009年9月10日, 富山）

• 鳥海　明
  「Much More Mooreに向けたHigh-k技術 −振りかえるにはまだ早い−」
  第70回応用物理学会学術講演会
  シンポジウム『High-kゲートスタック研究を振り返り次のステップへ』（2009年9月9日, 富山）

• 長汐晃輔，鳥海明
  「グラファイトからグラフェンへ-バンドオーバーラップ減少に伴う電子輸送特性の連続的変化-」
  応用物理学会応用電子物性分科会（2009年7月, 東京）

• 西村知紀，長汐晃輔，喜多浩之，鳥海明
  「金属/ゲルマニウム界面のフェルミレベルピンニングとその制御性」
  ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、第113研究集会「ゲートスタック研究の進展−Ｇｅ系材料を中心に」との合同開催（2009年6月19日　東京）
  

• 近田侑吾，喜多浩之，長汐晃輔，鳥海明
  「HfLaOxへのTa2O5の導入によるMIS特性向上の検討」
  2009年春季応用物理学会講演会 (2009年3月31日, つくば）
  

• 横山孝理，朴昌範，長汐晃輔，喜多浩之，鳥海明
  「水素中の蒸着により形成されたペンタセン薄膜の粒径増大起源とOTS処理基板上への適応」
  2009年春季応用物理学会講演会 (2009年3月, つくば）

• 喜多浩之，鳥海明
  「High-k/SiO2界面ダイポールの形成機構 (1) -モデルの提案-」
  2009年春季応用物理学会講演会 (2009年3月31日, つくば）

• 喜多浩之，鳥海明
  「High-k/SiO2界面ダイポールの形成機構 (2) -電気陰性度による理解との違い-」
  2009年春季応用物理学会講演会 (2009年3月31日, つくば）

• 長汐晃輔，西村知紀，喜多浩之，鳥海明
  「多層グラフェンFETにおける層数の増加におる半導体から金属的挙動への連続的変化」
  2009年春季応用物理学会講演会 (2009年3月 つくば）

• 喜多浩之，李忠賢，西村知紀，長汐晃輔，鳥海明
  「高圧酸化によるGeO2膜中欠陥の抑制効果の分光エリプソメトリーによる観察」
  2009年春季応用物理学会講演会 (2009年3月31日, つくば）

• 李忠賢，西村知紀，長汐晃輔，喜多浩之，鳥海明
  「高圧酸化によるGe/GeO2界面特性の向上」
  2009年春季応用物理学会講演会 (2009年3月31日, つくば）

• 鷹本靖欣，西村知紀，長汐晃輔，喜多浩之，鳥海明
  「Internal Photoemission（IPE)測定を用いたGe/GeO2界面の電子構造の決定」
  2009年春季応用物理学会講演会 (2009年3月31日, つくば）

• 長汐晃輔，李忠賢，西村知紀，喜多浩之，鳥海明
  「Geの高圧酸化によるGeO脱離抑制に関する熱力学的・速度論的考察」
  2009年春季応用物理学会講演会 (2009年3月31日, つくば）

• 西村知紀，李忠賢，長汐晃輔，喜多浩之，鳥海明
  「高圧酸化を用いたGe/GeO2界面制御によるGe n-MOSFET電子移動度の向上」
  2009年春季応用物理学会講演会 (2009年3月31日, つくば）

• 田畑俊行，喜多浩之，鳥海明
  「添加元素によるGeO2膜物性の違い -Ge-CMOSに向けたHigh-k材料の選択指針-」
  2009年春季応用物理学会講演会 (2009年3月31日, つくば）
  

• 塚本武志，西村知紀，長汐晃輔，喜多浩之，鳥海明
  「Co/Ti/Ge基板の熱処理による平坦なCoGex/Ge界面形成の試み」
  2009年春季応用物理学会講演会 (2009年3月30日, つくば）
  

• 田畑 俊行, 李 忠賢, 喜多 浩之, 鳥海 明
  「Ge親和性High-kゲート絶縁膜LaLuO3のGe MISゲートスタックにおける有用性の実証」
  薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催特別研究会
  「ゲートスタック研究会 −材料・プロセス・評価の物理−」 第14回研究会 (2009年1月23日, 　三島）
  

• 李 忠賢, 田畑 俊之, 西村 知紀, 長汐 晃輔, 喜多 浩之, 鳥海 明
  「高圧酸化によるGe/GeO2界面の制御 」
  薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催特別研究会
  「ゲートスタック研究会 −材料・プロセス・評価の物理−」 第14回研究会 (2009年1月23日, 　三島）