「wafer-scaleでのWSe2を用いたp-type FETの検証」（2026年1月24日, 九州大学 筑紫ホール（福岡市）).
2025.9.25第68回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
若手奨励賞 金橋 魁利
「Predicting Dopant Ionization Energy in Substitutionally Doped 2D-TMDC: Impact of Dimensionality and Environmental Dielectric Effects」
会場：台湾師範大学
2025.9.25 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会
Nanoscale Horizon賞 金橋 魁利
「Predicting Dopant Ionization Energy in Substitutionally Doped 2D-TMDC: Impact of Dimensionality and Environmental Dielectric Effects」
会場：台湾師範大学
2025.9.7第58回（2025年春季）応用物理学会講演奨励賞 金橋 魁利
金橋 魁利, "次元性と環境の誘電率を考慮した置換ドープWSe2におけるドーパントのイオン化エネルギーの定量的考察"
会場, 名城大学天白キャンパス,(名古屋市)
2025.6.13 2.5次元物質科学 第9回領域会議 若手奨励賞 渥美 圭脩
「 MOCVD成⾧MoS₂単一粒・連続膜による極小チャネルデバイス評価」 （2025年6月12日, 東京科大学（東京））.
2024.12.9 2.5次元物質科学 第8回領域会議 若手奨励賞 MIAN Wei
「Effect of Nb Doping Concentration on the Characteristics of Monolayer MoS₂」 （2024年12月9日, 東京大学本郷キャンパス（東京））.
2024.3 第3回 マテリアル工学専攻 修士論文発表優秀賞 香崎飛竜
”CMOS実現に向けたp型二次元トンネルFETの単一ゲート動作実証”
2024.2.29 2023年度 矢崎学術賞（功績賞） 長汐 晃輔
loT利用を目指した2次元層状環境発電素子
2023.12.27 ２.5次元物質科学 第6回領域会議 若手奨励賞 來村 颯樹
「偏光顕微鏡法による強誘電SnS薄膜の面内90°ドメイン観察」 (2023年12月26日, 名古屋大学 研究所共同館
Ⅱ (名古屋)).
2023.9 第55回（2023年秋季）応用物理学会講演奨励賞 名苗 遼
名 苗遼，來村 颯樹，張 益仁，金橋 魁利，西村 知紀，長汐 晃輔, "ショットキー接合と明確に分離されたBPVEによるSnSの90°回転強誘電ドメインの確認", 2023年第55回応用物理学会秋季学術講演会, (2023年9月23日, 熊本大学(熊本)).
2023.7.3 ２.5次元物質科学 第5回領域会議 若手奨励賞 中島 隆一
「表面偏析による積層構造制御を利用した二次元p型FETの作製」 (2023年7月2日, 大阪大学豊中キャンパスΣホール(大阪)).
2023.9 第54回(2023年春期）応用物理学会講演奨励賞 中島 隆一
中島 隆一, 西村 知紀, 上野 啓司, 長汐 晃輔, " 偏析によるBi 薄膜化を利用したBi/Au コンタクトWSe2 FET のp型動作", 2023年第54回応用物理学会春季学術講演会, (2023年3月17日, 上智大学(東京)).
2023.3.14 ２.5次元物質科学 第４回領域会議 若手奨励賞 名苗 遼
「SnSにおける強誘電相同定とその振動モード取得」 (2023年3月17日, 筑波国際会議場(茨城)).
2022.3 第1回 マテリアル工学専攻 修士論文発表優秀賞 西山航
”PdSe2のバンドギャップは本当に遠赤外領域か？”
2022.3 第51回(2021年秋期）応用物理学会講演奨励賞 佐々木太郎
佐々木 太郎, 上野 啓司, 谷口 尚, 渡邉 賢司, 西村 知紀, 長汐 晃輔, "高速パルス電圧ストレス下におけるh-BNの強靭な絶縁破壊耐性による2Dメモリデバイスの超高速動作性", 2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会, (2021年9月13日, オンライン開催).
キオクシア奨励研究 2020年度デバイス部門 優秀研究賞 長汐晃輔
2Dメモリデバイス設計指針の構築
2021.9 SSDM Young Researcher award 佐々木太郎
Taro Sasaki, Keiji Ueno, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, "Understanding the Tunneling Behavior in 2D Based Floating Gate Type Memory Device by Measuring Floating Gate Voltage", International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 30, 2020, All-VIRTUAL conference).
2020.9 SSDM Young Researcher award 東垂水直樹
N. Higashitarumizu, H. Kawamoto, K. Nagashio, "Demonstration of Electromechanical Device Based on 2D Piezoelectric Materials for Nanogenerator Applications", International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 5, 2019, Nagoya University, Nagoya).
2020.3 第47回(2019年秋期）応用物理学会講演奨励賞 東垂水直樹
東垂水 直樹, 川元 颯巳, 西村 知紀, 張 文豪, 長汐 晃輔", 2次元層状SnSの室温強誘電特性", 2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会,（2019年9月19日, 北海道大学(札幌市)).
2019.2 東京大学 工学研究科長表彰（研究部門）長汐晃輔
2018.10 電子材料シンポジウム EMS賞 東垂水直樹
(2018年10月12日、ホテル＆リゾーツ長浜(滋賀県)).
2018.3 応用物理学会 講演奨励賞 方楠
Nan Fang, Kosuke Nagashio, “Bandtailinterface states and quantum capacitance in monolayer MoS2 FET", 2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会,（2017年9月7日, 福岡国際会議場(福岡県)).
2016 SSDM Young Researcher award Nan Fang
N. Fang, K. Nagashio, A. Toriumi, "Direct evidence of defect-defect correlation in atomically thin MoS2 layer by random telegraphic signals observed in back-gated FETs", 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM), (Sep. 29, 2015, Sapporo, Hokkaido).
2016.9 応用物理学会 講演奨励賞 服部吉晃
服部吉晃, 谷口尚，渡邊賢司，長汐晃輔,「単結晶六方晶ボロンナイトライドの絶縁破壊強度の異方性」, 2016年第63回応用物理学会春季学術講演会,（2016年3月19日, 東京工業大学大岡山キャンパス(東京)).
2015.3 日本金属学会・日本鉄鋼協会奨学賞 ウワンノー ティーラユット
2013.9 応用物理学会 講演奨励賞 井福亮太
井福亮太, 森山喬史, 長汐晃輔, 西村知紀, 鳥海明,「レジストフリープロセスによるグラフェン電子デバイスの作製」, 2013年第60回応用物理学会春季学術講演会,（2013年3月29日, 神奈川工科大学（神奈川））.
2011.9 応用物理学会 優秀論文賞 長汐晃輔
K. Nagashio, T. Nishimura, K. Kita, and A. Toriumi, "Systematic investigation of intrinsic channel properteis and contact resistance on mono- and multi-layered graphene FET", Jpn. J. Appl. Phys. 2010, 49, 051304.