▲JST未来社会創造事業　2022.10-2027.3
研究代表者　長汐晃輔
2D 材料 CMOS・デバイス集積化技術の開発

▲NICT B5G　2022.10-2025.3
研究代表者　 吹留博一
高出力THz帯増幅器の創出

▲基盤研究S　2022.4-2027.3
研究代表者　長汐晃輔
超低消費電力システム構築のための2次元トンネルFETの集積化

▲学術変革A「２.５次元物質科学」　2021.9-2026.3
領域代表　吾郷浩樹（九大）
HP: https://25d-materials.jp/

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終了したプロジェクト
▲三菱財団自然科学研究助成　2021.10-2022.9
研究代表者　長汐晃輔

▲基盤研究A　2022.4-2022.4
研究代表者　長汐晃輔
集積化可能な2次元トンネルFET構造の提案

▲基盤研究A　2019.4-2022.3
研究代表者　長汐晃輔
2Dヘテロ界面の理解に基づく2DトンネルFETの構築

▲キヤノン財団研究助成　2019.4-2022.3
研究代表者　長汐晃輔

▲科研費挑戦的萌芽　2019.7-2021.3
研究代表者　長汐晃輔
2D圧電材料の特性評価

▲基盤研究B　2016.4-2019.3
研究代表者　長汐晃輔
2Dチャネルにユニバーサルなゲートスタック技術

▲科研費挑戦的萌芽　2016.4-2018.3
研究代表者　長汐晃輔
グラフェン成長に関する研究

▲JST-さきがけ　2014.10-2018.3
研究代表者　長汐晃輔
2層グラフェンのギャップ内準位の低減

▲新学術領域研究　「原子層科学」2013.10-2018.3
領域代表　齋藤理一郎（東北大）
HP: http://flex.phys.tohoku.ac.jp/gensisou/
長汐は応用班の代表として、原子層のデバイス応用を目指して研究を進めています。


▲科研費挑戦的萌芽　2014.4-2016.3
研究代表者　長汐晃輔
グラフェンベーストランジスタの研究

▲科研費若手研究A　2012.4-2015.3
研究代表者　長汐晃輔
グラフェン/金属コンタクトに関する研究

▲科研費挑戦的萌芽　2012.4-2014.3
研究代表者　長汐晃輔
CVDグラフェンの高移動度化

▲最先端研究開発支援プログラム　2010.4-2014.3
研究代表者　横山直樹 (富士通研究所)
HP: http://www.yokoyama-gnc.jp/
委託研究として参画

▲STARC ISプログラム　2012.9-2013.8
研究代表者　長汐晃輔
グラフェンの状態密度向上によるコンタクト抵抗の低減に関する研究

▲A-STEP（探索タイプ）2010
研究代表者　長汐晃輔
グラフェンの転写技術の開発

▲科研費若手研究B　2009.4-2011.3
研究代表者　長汐晃輔
グラフェンのギャップ形成に関する研究

▲科研費若手研究A　2005.4-2008.3
研究代表者　長汐晃輔
赤外線高速カメラを用いた結晶成長のその場観察に関する研究

▲池谷科学技術振興財団　2006
研究代表者　長汐晃輔

▲科研費萌芽研究　2004.3-2006.4
研究代表者　長汐晃輔
光学材料の新規プロセスの提案