2024
International
[1][Invited] Kosuke Nagashio, “Shift current photovoltaics in ferroelectric SnS” JAIST International symposium on Nano-Materials for Novel Devices, (January 11, 2024, Kanazawa Chamber of Commerce and Industry Hall, Kanazawa, Ishikawa).

Domestic
[7]金橋 魁利、西村 知紀、上野 啓司、長汐 晃輔, "希薄NbドープWSe₂ FETにおける層数減少に伴うp+からn型への遷移", 2024年第71回応用物理学会春季学術講演会,（2024年3月23日, 東京都市大学 世田谷キャンパス(東京)).
[6]Supawan Ngamprapawat, Tomonori Nishimura, Kaito Kanahashi, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Kosuke Nagashio, "Rectifying properties of single-crystal h-BN-based vertical power devices", 2024年第71回応用物理学会春季学術講演会,（2024年3月23日, 東京都市大学 世田谷キャンパス(東京)).
[5]Li Shuhong, Keisuke Atsumi, Tomonori Nishimura, Kaito Kanahashi, Yoshiki Sakum, Kosuke Nagashio, "Why does everyone transfer MoS₂ grown on sapphire to a Si substrate?-Decoupling the interaction between MoS₂/sapphire-", 2024年第71回応用物理学会春季学術講演会,（2024年3月25日, 東京都市大学 世田谷キャンパス(東京)).
[4]渥美 圭脩、李 曙紅、西村 知紀、金橋 魁利、佐久間 芳樹、長汐 晃輔, "MOCVD成長によるウエハスケールMoS₂ FETの特性評価", 2024年第71回応用物理学会春季学術講演会,（2024年3月25日, 東京都市大学 世田谷キャンパス(東京)).
[3][第55回講演奨励賞受賞記念講演] 名苗 遼、來村 颯樹、Moqbe Redhwan、張 益仁、金橋 魁利、西村 知紀、林 宮玄、長汐 晃輔, "単一ドメインSnS結晶におけるシフト電流と歪印可による局所分極制御", 2024年第71回応用物理学会春季学術講演会,（2024年3月23日, 東京都市大学 世田谷キャンパス(東京)).
[2][招待講演] 長汐晃輔, " 2次元層状強誘電SnSにおけるバルク光起電力効果", Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Semiconductors (PASPS-27), (2024年3月16日, 東北大学片平キャンパス, 仙台)
[1][招待講演] 長汐晃輔, " 2次元層状材料トランジスタの発表から約10年 ー課題と将来展望ー", 日本学術振興会 R031　ハイブリッド量子ナノ技術委員会第14回研究会, (2024年1月16日, 東京大学, 文京区)．

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2023
International
[9][Invited]Kosuke Nagashio, “Shift current photovoltaics in ferroelectric SnS” International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023(ICMaSS), (December. 2, 2023, Nagoya University, Nagoya, Aichi).
[8][keynote]Kosuke Nagashio, “2D layered semiconductors: Challenge & Perspective” 36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC), (November. 14, 2023, Keio Plaza Hotel Sapporo,Japan).
[7][Invited]Kosuke Nagashio, “Inversion Symmetry Broken Bulk SnS Formed by Step-edge-induced
Spiral Growth for Energy Harvesting” 3rd Nucleation and Growth Research Conference (NGRC), (November. 10, 2023, Nippon Christian Academy Kansai Seminar House, Sakyo-ku, Kyoto).
[6]Ryo Nanae, Satsuki Kitamura, Yih-Ren Chang, Tomonori Nishimura, Keisuke Shinokita, Kazunari Matsuda, Kosuke Nagashio, “Growth and Characterization of SnS Ferroelectric Phase for BPVE Measurement” International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 6, 2023, Nagoya Congress Center, Aichi).
[5]Satsuki Kitamura, Ryo Nanae, Yih Ren Chang, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, “In-plane polarization domain of ferroelectric SnS thin film by PFM measurement”, International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 6, 2023, Nagoya Congress Center, Aichi).
[4]Shuhong Li, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, “Er₂O₃ top gate MoS₂ FET with EOT lower than 1 nm”, International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 6, 2023, Nagoya Congress Center, Aichi).
[3]Supawan Ngamprapawat, Jimpei Kawase, Tomonori Nishimura, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Kosuke Nagashio, “From h-BN to graphene: comprehensive structural characterizations of hybrid carbon-doped h-BN to understand its electrical conductivity”, International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 7, 2023, Nagoya Congress Center, Aichi).
[2]Ryuichi Nakajima, Tomonori Nishimura, Keiji Ueno, Yasumitsu Miyata, Kosuke Nagashio, “Stack control of Bi/Au bilayer electrodes toward p-type WSe₂ FET”, International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 8, 2023, Nagoya Congress Center, Aichi).
[1][Invited] Kosuke Nagashio, “Device Technology for 2D Layered Semiconductor FETs: Challenge & Perspective ”, 2023 Symposia on VLSI Technology and Circuits, (June 11-16, 2023, RIHGA Royal Hotel, Kyoto, Japan).

Domestic
[13][講演奨励賞受賞記念講演]中島 隆一, 西村 知紀, 金橋 魁利,上野 啓司,　宮田 耕充, 長汐 晃輔, “表面偏析による積層構造制御を利用したWSe₂ FETのp型動作”, 2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会”, (2023年9月21日, 熊本城ホール＋オンライン開催).
[12]河野 勇太, 荒井 俊人, 西村 知紀, 金橋 魁利, 長汐 晃輔, “乾式プロセスによるMoS₂/サイトップ絶縁膜界面の特性評価”, 2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会”, (2023年9月22日, 熊本城ホール＋オンライン開催).
[11]香崎 飛竜, 西村 知紀, 金橋 魁利, 上野 啓司, 長汐 晃輔, “ReドープMoSe₂同一結晶面内ヘテロ構造によるトンネルFET動作”, (2023年9月22日, 熊本城ホール＋オンライン開催).
[10]來村 颯樹, 名苗 遼, 西村 知紀, 金橋 魁利, 長汐 晃輔, “偏光顕微鏡法による強誘電SnS薄膜の面内90°ドメイン観察”, (2023年9月23日, 熊本城ホール＋オンライン開催).
[9][注目講演]名苗 遼, 來村 颯樹, 張 益仁, 金橋 魁利, 西村 知紀, 長汐 晃輔, “ショットキー接合と明確に分離されたBPVEによるSnSの90°回転強誘電ドメインの確認”, (2023年9月23日, 熊本城ホール＋オンライン開催).
[8][招待講演] 長汐晃輔, "二次元原子層材料デバイスの現状課題と開発展望", 2023年電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会, (2023年8月3日, 北海道大学, 札幌，ハイブリッド)．
[7][招待講演] 長汐晃輔, " 2次元層状材料トランジスタの発表から約10年 ー課題と将来展望ー", 第2回 NanoHubシンポジウム, (2023年6月20日, 東京大学山上会館, 文京区)．
[6][招待講演]長汐晃輔, "二次元物質による次世代デバイスの展望", 第6回koineミーティング, (2023年5月19日, 九州大学筑紫キャンパス, 春日)
[5][招待講演] 長汐晃輔, "MoS2トランジスタの発表から約10年 ー現状と将来展望ー", 研究会「一次元二次元物質科学の展望と課題」, (2023年3月10日, 東北大学青葉山キャンパス, 仙台)
[4]Li Shuhong, Tomonori Nishimura, KosukeNagashio, "EOT scaling of top-gate MoS2 FET below 1 nm", 2023年第70回応用物理学会春季学術講演会,（2023年3月17日, 上智大学(東京)).
[3]中島 隆一, 西村 知紀, 上野 啓司, 長汐 晃輔, "表面偏析によるBi 薄膜化を利用したBi/Au コンタクトWSe2 FET のp型動作", 2023年第70回]応用物理学会春季学術講演会,（2023年3月17日, 上智大学(東京)).
[2]川瀬 仁平, ナーンプラパーワット スパワン, 西村 知紀, 谷口 尚, 渡邊 賢司, 長汐 晃輔, "コンダクティブAFMによるCドープ単層h-BN内のグラフェンドメイン観察", 2023年第70回応用物理学会春季学術講演会,（2023年3月16日, 上智大学(東京)).
[1]來村 颯樹, 名苗 遼, 張 益仁, 西村 知紀, 長汐晃輔, "圧電応答顕微鏡による強誘電SnS薄膜の面内分極ドメインの観察", 2023年第70回応用物理学会春季学術講演会,（2023年3月16日, 上智大学(東京)).

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2022
International
[15][Invited]Kosuke Nagashio, “Consider the S vacancy formation in MoS₂”, A3 Foresight International Symposium 2022, (Dec. 9, 2022, Rusutsu, Hokkaido, Japan).
[14]S. Ngamprapawat, T. Nishimura, K. Watanabe, T. Taniguchi and K. Nagashio, “Application of single-crystal carbon-doped h-BN to electrically-driven devices”, A3 Foresight International Symposium 2022, (Dec. 9, 2022, Rusutsu, Hokkaido, Japan).
[13]T. Fukui, T. Taniguchi, K. Watanabe, T. Nishimura, & K. Nagashio, “Demonstration of single-gate MoS₂ TFET with natural in-plane heterojunction”, A3 Foresight International Symposium 2022, (Dec. 9, 2022, Rusutsu, Hokkaido, Japan).
[12]S. Ngamprapawat, “Ohmic current injection into single-crystal h-BN toward electrically-driven device applications”, The 10th International Workshop on 2D Materials, (July. 5. 2022, Online).
[11]H. Uchiyama, “Giant Stark effect in Bilayer MoS₂ Field-Effect Transistors”, 9th International Workshop on 2D Materials, (Feb. 17. 2022, Online).
[10][Invited]Kosuke Nagashio, “Novel high-k insulator deposition on 2D materials for future electronics”, International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 29, 2022, Makuhari Mess Chiba).
[9]Supawan Ngamprapawat, Tomonori Nishimura, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Kosuke Nagashio“Ohmic current injection into single-crystal carbon-doped h-BN toward two-dimensional power device application”, International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 29, 2022, Makuhari Mess Chiba).
[8]Tomohiro Fukui, Tomonori Nishimura, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Kosuke Nagashio, “Demonstration of Single-gate MoS₂ Tunnel FET　with Natural In-plane Heterojunction”, International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 29, 2022, Makuhari Mess Chiba).
[7]Ryuichi Nakajima, Tomonori Nishimura, Keiji Ueno, Kosuke Nagashio,“Work function modulation of Au/Bi bilayer system toward p-type WSe₂ FET”, International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 28, 2022, Makuhari Messe, Chiba).
[6]Shuhong Li, Tomonori Nishimura, Mina Maruyama, Susumu Okada, Kosuke Nagashio, “Revealing the role of oxygen on defect formation of MoS₂ by combining thermal desorption spectroscopy and atomic layer deposition”, International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 27, 2022, Makuhari Messe, Chiba).
[5][Invited] K. Nagashio, “Ultrafast Memory Operation in 2D Heterostructured Non-Volatile Memory Device”, The 22nd Int. Conf. on Sci & Appl. of Nanotubes and Low-dimensional Materials (NT22), (June, 21, 2022, online).
[4][Invited] K. Nagashio, “50 Ns Ultrafast Memory Operation in 2D Heterostructured Non-Volatile Memory Device”, 241st ECS Meeting, (June, 3, 2022, online).
[3]Haruki Uchiyama, Mina Maruyama, Susumu Okada, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, “Mobility Enhancement in Bilayer 2D Material Field-Effect Transistors by the Giant Stark Effect”, 2022 (virtual) Materials Research Society (MRS) spring meeting, (May, 23, 2022, online).
[2]Yih-Ren Chang, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, “Thermodynamics Perspective on 2D Materials Oxide Formation and Amelioration”, 2022 Materials Research Society (MRS) spring meeting, (May, 9, 2022, Hawaii) (Poster)
[1]S. Ngamprapawat, T. Nishimura, K. Watanabe, T. Taniguchi, and K. Nagashio, “Current Injection into Single-Crystalline h-BN Towards 2D Power Device Application”, 2022 MRS spring meeting & exhibit, (May 23, 2022, online).

Domestic
[20]Supawan Ngamprapawat, Tomonori NishimuraKenji, WatanabeTakashi, Taniguchi, Kosuke Nagashio,“Ohmic conduction of single-crystalline carbon-doped h-BN”, 2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会”, (2022年9月22日, 東北大学 川内北キャンパス＋オンライン開催).
[19]福井 智博, 西村 知紀, 長汐 晃輔,“同一結晶トンネル FET における S.S.劣化要因の考察”, 2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会”, (2022年9月22日, 東北大学 川内北キャンパス＋オンライン開催).
[18]中島 隆一, 西村 知, 紀上野 啓司, 長汐 晃輔,“極薄Bi/Au蒸着がWSe₂に及ぼす影響のXPSによる評価”, 2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会”, (2022年9月22日, 東北大学 川内北キャンパス＋オンライン開催).
[17]YihRen Chang, Tomonori Nishimura, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Kosuke Nagashio,“Shift current photovoltaic effect originated from non-centrosymmetric β’-SnS”, 2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会”, (2022年9月21日, 東北大学 川内北キャンパス＋オンライン開催).
[16]名苗 遼, 張 益仁, 篠北 啓介, 松田 一成, 長汐 晃輔,“良質で非中心対称なβ’-SnS の成長及びその評価”, 2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会”, (2022年9月21日, 東北大学 川内北キャンパス＋オンライン開催).
[15][招待講演] 長汐晃輔，”２次元層状SnSの強誘電特性と自発起電力発電への展開”，日本セラミックス協会第35回秋季シンポジウム，(2022年9月14日，ハイブリッド開催)．
[14][招待講演] 長汐晃輔，”超高速 2D フラッシュメモリーの実証”，第86回半導体・集積回路技術シンポジウム，(2022年8月31日，オンライン開催)．
[13][招待講演] 長汐晃輔，” 2次元層状物質の新機能デバイスへの展開”，光電相互変換第125委員会第260回研究会， (2022年7月22日，オンライン開催)．
[12][招待講演] 長汐晃輔，”MoS₂ FETから10年：何が解決して何が未解決なのか？”，2022年第69回応用物理学会春季学術講演会, (2022年3月24日, オンライン開催).
[11][講演奨励賞受賞記念講演]佐々木 太郎, 上野 啓司, 谷口 尚, 渡邉 賢司, 西村 知紀, 長汐 晃輔, “2D メモリデバイス超高速動作の物理的起源”, 2022年第69回応用物理学会春季学術講演会, (2022年3月23日, オンライン開催).
[10]加藤 諒一, 西村 知紀, 上野 啓司, 谷口 尚, 渡邊 賢司, 長汐 晃輔, “ショットキー障壁制御によるn型WSe₂ FETのp型動作”, 2022年第69回応用物理学会春季学術講演会”, (2022年3月23日, オンライン開催).
[9]中島 隆一, 西村 知紀, 上野 啓司, 長汐 晃輔, “WSe₂の p型動作に向けた Au/Bi薄膜の仕事関数変調効果”, 2022年第69回応用物理学会春季学術講演会, (2022年3月23日, オンライン開催).
[8][注目講演]内山 晴貴, 西村 知紀, 長汐 晃輔, “1-nm EOTの実現に向けた高誘電率絶縁膜Er₂O₃を用いたトップゲート型2次元材料電界効果トランジスタの創製”, 2022年第69回応用物理学会春季学術講演会, (2022年3月23日, オンライン開催).
[7]Li Shuhong, Tomonori Nishimura, Mina, Maruyama, Susumu Okada, Kosuke Nagashio, "High temperature stability of MoS₂ probed by combining thermal desorption spectroscopy and atomic layer deposition", 2022年第69回応用物理学会春季学術講演会, (2022年3月22日, オンライン開催).
[6]西山 航，西村 知紀, 西岡 政雄, 上野 啓司, 岩本敏, 長汐 晃輔, “光電流測定によるバルクPdSe₂のバンドギャップ値評価と光応答機構の考察” , 2022年第69回応用物理学会春季学術講演会, (2022年3月22日, オンライン開催).
[5]Supawan Ngamprapawat, Tomonori Nishimura, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Kosuke Nagashio, “Characterization of single-crystalline carbon-doped h-BN/metal contact for current injection”, 2022年第69回応用物理学会春季学術講演会, (2022年3月22日, オンライン開催).
[4]西村 知紀, 中島 隆一, 張 益仁, 内山 晴貴, 長汐晃輔, 金属/Si界面のフェルミレベルピンニング機構の理解に向けた残渣フリーの大面積グラフェン転写，2022年第69回応用物理学会春季学術講演会, (2022年3月22日, オンライン開催).
[3]張 益仁，名苗 遼，篠北 啓介，松田 一成，長汐 晃輔，”ステップ端誘起スパイラル成長による空間反転対称性の破れたバルクSnS形成”，2022年第170回日本金属学会講演大会， (2022年3月16日, オンライン開催).
[2][招待講演] 長汐晃輔，”2次元層状物質の新機能デバイスへの展開”，電子デバイス界面テクノロジー研究会，第27回研究会， (2022年1月28日, オンライン開催)．
[1][招待講演] 長汐晃輔，”グラフェン&2Dデバイスの現状と将来展望”，システムデバイスロードマップ委員会，2021年度第5回BC, MtM合同委員会
，(2022年1月17日, オンライン開催)．

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2021
International
[9][Invited] K. Nagashio, "Room temperature in-plane ferroelectricity in SnS", International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2021),(Oct. 27th, Online, 2021).
[8][Invited] K. Nagashio, "Two-dimensional tunnel FET", International Conference on Materials and Systems for Sustainability (ICMaSS),(Nov. 5th, Online, 2021).
[7]R. Kato, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, T. Nishimura, and K. Nagashio, Polarity transition from n-type to p-type WS₂ FET by controlling Schottky barrier, International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 8, 2021, All-VIRTUAL conference).
[6]Taro Sasaki, Keiji Ueno, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Tomonori Nishimura,Kosuke Nagashio, "50 ns Ultrafast P/E Operation in 2D Heterostructured Non-Volatile Memory Device", International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 8, 2021, All-VIRTUAL conference).
[5]Yih-Ren Chang, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, "High performance SnS/h-BN heterostructure p-FET via Ti contact reaction", International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 8, 2021, All-VIRTUAL conference).
[4]Wataru Nishiyama, Keiji Ueno, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, "Qualitative Judgement of Inconsistent Band Gap Values for Bulk PdSe₂ from Electrical Transport Properties" International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 8, 2021, All-VIRTUAL conference).
[3]Yih-Ren Chang, Chien-Ju Lee, Tomonori Nishimura, Wen-Hao Chang, Kosuke Nagashio,” Atomic-Step-Induced Screw-Dislocation-Driven Spiral Growth of PVD SnS”, 2021 virtual Materials Research Society (MRS) spring meeting, (April, 19, 2021, online).
[2][Invited] K. Nagashio, "All 2D Heterostructure Tunnel Field Effect Transistors", 5th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing conference 2021 (EDTM), (April, 9, 2021, Chengdu, China, Online).
[1][Invited] K. Nagashio, "2D layered semiconductors: Challenge & Perspective", 2021 International Symposium n VLSI Technology, System and Applications (VLSI-TSA), (April, 21, Hsinchu,Taiwan, Online).

Domestic
[13][招待講演] 長汐晃輔，”2次元層状物質のデバイス応用の現状と将来展望”，化学工学会エレクトロニクス部会 先端技術シンポジウム，(2021年12月7日, オンライン開催)．
[12]福井 智博, 谷口 尚, 渡邊 賢司, 西村 知紀, 長汐晃輔, "MoS₂ 同一結晶面内ヘテロを利用した単一ゲート TFET の動作実証", 2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会, (2021年9月13日, オンライン開催).
[11]佐々木 太郎, 上野 啓司, 谷口 尚, 渡邉 賢司, 西村 知紀, 長汐 晃輔, "高速パルス電圧ストレス下におけるh-BNの強靭な絶縁破壊耐性による2Dメモリデバイスの超高速動作", 2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会, (2021年9月13日, オンライン開催).
[10]内山 晴貴, 丸山 実那, 岡田 晋, 西村 知紀, 長汐晃輔, "巨大シュタルク効果による2次元材料電界効果トランジスタの移動度変調", 2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会, (2021年9月13日, オンライン開催).
[9]YihRen Chang, Tomonori Nishimura,Kosuke Nagashio, "Thermodynamics perspective to surface oxide amelioration in 2D devices", 2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会, (2021年9月13日, オンライン開催).
[8]Supawan Ngamprapawat, Takashi Taniguchi,Kenji Watanabe, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, "Current injection into single-crystalline carbon-doped h-BN", 2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会, (2021年9月12日, オンライン開催).
[7]西山 航, 上野 啓司, 谷口 尚, 渡邊 賢司, 西村 知紀, 長汐 晃輔，"バルクPdSe2 のバンドギャップ値に対する電気伝導特性からの定量的評価", 2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会, (2021年9月11日, オンライン開催).
[6][招待講演]長汐晃輔，”２次元層状物質の新機能デバイスへの展開”，グラフェンコンソーシアム第26回研究講演会，(2021年8月3日, オンライン開催)．
[5][招待講演]長汐 晃輔, "グラフェン＆2Dデバイスの現状と将来展望", 2021年第68回応用物理学会春季学術講演会, (2021年3月17日, オンライン開催).
[4][注目講演]佐々木 太郎, 上野 啓司, 谷口 尚, 渡邉 賢司, 西村 知紀, 長汐 晃輔, 2Dメモリデバイスにおける1μs以下の高速書き込み動作", 2021年第68回応用物理学会春季学術講演会, (2021年3月19日, オンライン開催).
[3]YihRen Chang, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, "Mobility enhancement of p-SnS/h-BN heterostructure FET by Ti contact reaction", 2021年第68回応用物理学会春季学術講演会, (2021年3月19日, オンライン開催).
[2]梅田 雅也, 東垂水 直樹, 北浦 良, 西村 知紀, 長汐 晃輔, "MoS2/金属界面での圧電分極形成位置の特定", 2021年第68回応用物理学会春季学術講演会, (2021年3月19日, オンライン開催).
[1]加藤 諒一, 上野 啓司, 谷口 尚, 渡辺 賢司, 西村 知紀, 長汐 晃輔, "ショットキー障壁制御によるn型WS2-FETのp型動作の実現", 2021年第68回応用物理学会春季学術講演会, (2021年3月19日, オンライン開催).

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2020
International
[9]N. Higashitarumizu, H. Kawamoto, C.-J. Lee, B.-H. Lin, F.-H. Chu, I. Yonemori, T. Nishimura, K. Wakabayashi, W.-H. Chang, K. Nagashio, "Experimental Demonstration of In-Plane Ferroelectricity in SnS Down to Monolayer", 2020 Virtual MRS Spring/Fall meeting, (Nov./Dec. 2020, online, USA).
[8][Invited] K. Nagashio, "Interface engineering for 2D layered semiconductors", 2020 Virtual MRS Spring/Fall meeting, (Nov./Dec. 2020, online, USA).
[7]K. Nakamura, N. Nagamura, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, Kosuke Nagashio, "The demonstration of SS below 60 mV/dec at RT in all 2D heterostructure TFET", International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 30, 2020, All-VIRTUAL conference).
[6]Taro Sasaki, Keiji Ueno, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, "Understanding the Tunneling Behavior in 2D Based Floating Gate Type Memory Device by Measuring Floating Gate Voltage", International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 30, 2020, All-VIRTUAL conference).
[5]Yuichiro Sato, Keiji Ueno, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, "Carrier Density of Apparently Degenerated PtS2 Determined by Hall Measurement", International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 29, 2020, All-VIRTUAL conference).
[4]Tomonori Nishimura, Toshiya Kojima, Kosuke Nagashio, Masaaki Niwa, "Ion conductivity of low-Y2O3-content yttria-stabilized zirconia", International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 28, 2020, All-VIRTUAL conference).
[3]Yih-Ren Chang, Naoki Higashitarumizu, Hayami Kawamoto, Fu-Hsien Chu, Chien-Ju Lee, Tomonori Nishimura, Wen-Hao Chang, Kosuke Nagashio, "Screw dislocation driven spiral growth in SnS initiated by atomic graphene steps", International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 28, 2020, All-VIRTUAL conference).
[2][Invited] K. Nagshio, "In-plane ferroelectricity in monolayer SnS", 6th international Workshop on 2D Materials 2020, supported by A3 Foresight Program, (Sep. 24-25, 2030, Online).
[1]T. Sasaki, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, T. Nishimura, and K. Nagashio, "Understanding the device operation of ambipolar channel based 2D memory devices by trajectory of floating gate voltage", 78th Device Research Conference, (June 23, 2020, Online).

Domestic
[12][依頼講演] 長汐晃輔，”２次元電子デバイス”，応用物理学会東海支部55周年記念講演，東海ニューフロンティアリサーチワークショップ，(2020年12月-1月，online on-demand)．
[11]佐々木 太郎, 上野 啓司, 谷口 尚, 渡邊 賢司, 西村 知紀, 長汐 晃輔, 浮遊ゲート電位（VFG）のトラジェクトリを用いた2Dメモリデバイスの動作理解, 2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会, (2020年9月11日, オンライン開催).
[10]中村 圭吾, 永村 直佳, 上野 啓司, 谷口 尚, 渡邊 賢司, 長汐 晃輔, 完全2次元ヘテロTFETによる室温での60mV/dec以下のSS実現, 2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会, (2020年9月11日, オンライン開催).
[9]佐々木 太郎, 上野 啓司, 谷口 尚, 渡邊 賢司, 西村 知紀, 長汐 晃輔, 浮遊ゲート電位の測定による2DメモリデバイスのMemory window過大評価の理解, 2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会, (2020年9月11日, オンライン開催).
[8]YihRen Chang, Naoki Higashitarumizu, Hayami Kawamoto, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, Atomic step induced spiral growth in PVD SnS, 2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会, (2020年9月10日, オンライン開催).
[7]西山 航, Solis-Fernandez Pablo, 寺尾 友里, 河原 憲治, 吾郷 浩樹, 西村 知紀, 長汐 晃輔, CVD-2層グラフェンのh-BNヘテロFET動作解析による結晶性評価, 2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会, (2020年9月9日, オンライン開催).
[6][依頼講演] 長汐晃輔, "2次元材料の電子デバイス応用", FNTG学会リレーウェビナー, (2020年6月30日, zoom webinar).
[5]西村 知紀, 小島 俊哉, 長汐 晃輔, 丹羽 正昭, "YSZ極薄膜の高温インピーダンス解析", 2020年第67回応用物理学会春季学術講演会, (2020年3月15日, 上智大学（東京都千代田区)).
[4]YihRen Chang, Hayami Kawamoto, Naoki Higashitarumizu, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, "PVD growth of AA stacking SnS through screw dislocation induced by substrate edge steps", 2020年第67回応用物理学会春季学術講演会, (2020年3月15日, 上智大学（東京都千代田区))
[3]中村 圭吾, 永村 直佳, 上野 啓司, 谷口 尚, 渡邊 賢司, 長汐 晃輔, "p⁺-MoS₂/n-MoS₂ 2D-TFETにおける60 mV/dec以下のS.S.実現", 2020年第67回応用物理学会春季学術講演会, (2020年3月13日, 上智大学（東京都千代田区)).
[2][講演奨励賞受賞記念講演]東垂水 直樹, 川元 颯巳, 梅田 雅也, 北浦 良, 長汐 晃輔, "層状マイカ基板上の 2 次元ピエゾ材料を用いたナノ発電素子", 2020年第67回応用物理学会春季学術講演会, (2020年3月12日, 上智大学（東京都千代田区)).
[1]佐々木 太郎, 谷口 尚, 渡邊 賢司, 西村 知紀, 長汐 晃輔, "浮遊ゲート電位の測定による2Dメモリデバイス動作の理解", 2020年第67回応用物理学会春季学術講演会, (2020年3月12日, 上智大学（東京都千代田区)).

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2019
International
[24]K. Nagashio, K. Taniguchi, and N. Fang, ”Direct observation of electron capture & emission processes by the time domain charge pumping measurement of MoS₂ FET”, Materials Research Meeting 2019, (Dec. 13, 2019, Yokohama Symposia, Yokohama).
[23]T. Uwanno, T. Taniguchi, K. Watanabe, K. Nagashio, ”Photoresponse in h-BN encapsulated bilayer graphene field-effect phototransistor”, Materials Research Meeting 2019, (Dec. 13, 2019, Yokohama Symposia, Yokohama).
[22]K. Nagashio, "Ferroelectricity in monolayer SnS", JSPS/EPSRC C2C meeting, (Nov. 22, 2019, Tohoku univ., Sendai).
[21]T. Nishimura, “Fermi level pinning at metal/germanium interface”,JSPS/EPSRC/CNRS Core-to-core Seminar, (Nov. 22, 2019, Tohoku Univ., Sendai,Japan).
[20][Invited] K. Nagashio, "Understanding interface properties in 2D heterostructure FETs", 2019 Int. Workshop on Dielectric thin films for future electron devices -science and technology -, (Nov. 19, 2019, Tokyo Tech. Tokyo, Japan).
[19][Invited] T. Nishimura and A. Toriumi, “Thermal oxidation of germanium”,2019 Int. Workshop on Dielectric thin films for future electron devices-science and technology-, (Nov. 19, 2019, Tokyo Tech. Tokyo, Japan).
[18][Invited] K. Nagashio, "Full energy spectra of interface states density for n– and p-type MoS₂ field effect transistors", Recent Progress in Graphene Research(RPGR), (October10, 2019, Kunibiki Messe, Matsue, Shimane, Japan).
[17]N. Higashitarumizu, "All-2D Flexible Device with Piezoelectric Layered Materials for Highly Sensitive Sensor and Generator Applications", Recent Progress in Graphene Research(RPGR), (October8, 2019, Kunibiki Messe, Matsue, Shimane, Japan).（Oral）
[16]T. Sasaki, "High Temperature Retention Study of MoS₂/h-BN/MoS₂ Hetero-Stack Based Non-Volatile Memory", Recent Progress in Graphene Research(RPGR), (October9, 2019, Kunibiki Messe, Matsue, Shimane, Japan).（Poster）
[15]H. Kawamoto, "Growth and Characterization of High Quality Monolayer SnS", Recent Progress in Graphene Research(RPGR), (October7, 2019, Kunibiki Messe, Matsue, Shimane, Japan).（Poster）
[14]K. Nakamura, "Selection Mechanism of Band Alignment in 2D p⁺/n Tunnel FET", Recent Progress in Graphene Research(RPGR), (October8, 2019, Kunibiki Messe, Matsue, Shimane, Japan).（Oral）
[13]N. Higashitarumizu, H. Kawamoto, K. Nagashio, "Demonstration of Electromechanical Device Based on 2D Piezoelectric Materials for Nanogenerator Applications", International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 5, 2019, Nagoya University, Nagoya).
[12]T. Sasaki, T. Taniguchi, K. Watanabe, K. Nagashio, "388 K High Temperature Retention Study of 2D Hetero-stack Based Non- Volatile Memory", International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 5, 2019, Nagoya University, Nagoya).
[11]K. Nakamura, N. Nagamura, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, K. Nagashio, "Band Alignment in Charge- Transfer-Type p⁺-WSe₂/MoS₂ Tunnel FET", International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 4, 2019, Nagoya University, Nagoya).
[10]H. Kawamoto, N. Higashitarumizu, M. Nakamura, I. Yonemori, K. Wakabayashi, K. Nagashio, "PVD growth of monolayer SnS under S-rich condition toward piezoelectric application", International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 4, 2019, Nagoya University, Nagoya).
[9]][Invited] K. Nagashio, "2D heterostructure FETs", PKU-UTokyo Nanocarbon summer camp, (Aug. 2, 2019, UTokyo, Tokyo).
[8]][Invited] K. Nagashio, "2D layered semiconductors", 7th International symposium on organic and inorganic electronic materials and related nanotechnology, (June 19-22, 2019, Shinshu Univ. Nagano, Japan).
[7][Invited] K. Nagashio, "How to understand interface properties in 2D heterostructure FETs", 2019 Symposia on VLSI Technology and Circuits, (June 19-14, 2019, RIHGA Royal Hotel, Kyoto, Japan).
[6][Invited] T. Nishimura, X. Luo, T. Yajima, and A. Toriumi, “Understanding and control of Fermi level pinning at metal/germanium interface”, IEEE Int.Interconnect Technology Conference and Materials for Advanced Metallization Conference, (Jun. 5, 2019, Brussels, Belgium).
[5]K. Nagashio, "All solid-state 2D tunnel FET", Compound semiconductor week 2019 (CSW2019), (May 19-23, 2019, Kasugano International Forum, Nara, Japan).
[4]N. Higashitarumizu, H. Kawamoto, K. Nagashio, "Electromechanical Response of Few-to-monolayer SnS PVD-grown on Flexible Mica", 2019 MRS Spring Meeting, (April, 26, 2019, Phoenix Convention Center, Phoenix, USA).
[3]T. Uwanno, T. Taniguchi, K. Watanabe, & K. Nagashio, "Photoresponse in h-BN encapsulated bilayer graphene field-effect phototransistor", 2019 MRS Spring Meeting, (April, 26, 2019, Phoenix Convention Center, Phoenix, USA).
[2][Invited] K. Nagashio, "Interface engineering for 2D layered semiconductors", 2019 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (2019 VLSI-TSA), (March, 22-25, 2019, Ambassador Hotel Hsinchu,Taiwan).
[1][Invited] K. Nagashio, "Interface engineering in 2D heterostructure devices", A3 joint seminar 2019, (Jan. 18-20, 2019, Atami, Japan).

Domestic
[11][招待講演] 長汐 晃輔, "2次元層状トランジスタの界面の理解と制御", 2019年電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会 ,（2019年10月7日, 機械振興会館 (東京)).
[10][招待講演] 長汐 晃輔, "2次元層状SnSの圧電・強誘電特性", 第23回VBLシンポジウム ,（2019年10月6日, 名古屋大学 (愛知)).
[9]東垂水 直樹, 川元 颯巳, 西村 知紀, 張 文豪, 長汐 晃輔", 2次元層状SnSの室温強誘電特性", 2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会,（2019年9月19日, 北海道大学(札幌市)).
[8]東垂水 直樹, 川元 颯巳, 梅田 雅也, 北浦 良, 長汐 晃輔, "中心対称性の破れた2次元層状物質の圧電特性", 2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会,（2019年9月19日, 北海道大学(札幌市)).
[7]佐々木 太郎, 谷口 尚, 渡邊 賢司, 西村 知紀, 長汐 晃輔, "MoS₂/h-BN/Graphite積層構造による不揮発性メモリデバイスの動作解析", 2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会,（2019年9月20日, 北海道大学(札幌市)).
[6]佐藤 雄一朗，中村 圭吾，上野 啓司，長汐 晃輔, "PtS₂/WSe₂によるp型2D-TFETにおけるBTBT電流の観測", 2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会,（2019年9月19日, 北海道大学(札幌市)).
[5]川元 颯巳，東垂水 直樹，中村 優，若林 克法，長汐 晃輔, "出発材料比較による高品質SnS薄膜の作製", 2019年第66回応用物理学会春季学術講演会,（2019年3月11日, 東工大(東京)).
[4]N. Fang and K. Nagashio, "Quantum-mechanical effects in atomically thin MoS₂ FET", 2019年第66回応用物理学会春季学術講演会,（2019年3月11日, 東工大(東京)).
[3]中村圭吾，永村直佳，上野啓司，谷口尚，渡邊健司，長汐晃輔, "p⁺-WSe₂/MoS₂ TFETにおけるMoS2厚さによるバンドアライメント制御", 2019年第66回応用物理学会春季学術講演会,（2019年3月11日, 東工大(東京)).
[2]豊田哲史，方楠，谷口尚，渡邊健司，長汐晃輔, "単層MoS₂/h-BN/Graphiteへの絶縁膜堆積による界面準位の増加", 2019年第66回応用物理学会春季学術講演会,（2019年3月11日, 東工大(東京)).
[1]N. Fang and K. Nagashio, "Sulfur vacancies degrade interface at valence band side in MoS₂ FET", 2019年第66回応用物理学会春季学術講演会,（2019年3月11日, 東工大(東京)).

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2018
International
[14]K. Nagashio, "Interface engineering for 2D layered semiconductors", UTokyo-NTU joint conference at NUT 2018, (Dec. 12-13, 2018, NTU, Taiwan).
[13]N. Higashitarumizu, H. Kawamoto, K. Nagashio, "Interface engineering for 2D layered semiconductors", UTokyo-NTU joint conference at NUT 2018, (Dec. 12-13, 2018, NTU, Taiwan).
[12][Invited]K. Nagashio, "Electrically Inert Interface in 2D Heterostructure FETs", Workshop on innovative nanoscale devices and systems (WINDS2018), (Nov. 28, 2018, The Westin Hapuna Beach Resort, Kohala, Hawaii, USA).
[11][Invited]K. Nagashio, "Electrically inert interface in 2D heterostructure FETs", 3rd Japan-EU flagship workshop on graphene and related 2D materials, (2018, Nov. 19, Sendai, Japan.)
[10]K. Nagashio, "Pinpoint pick up and bubble free transfer in 2D heterostructure fabrication", JSPS/EPSRC C2C meeting, (Oct. 30, 2018, Tohoku univ., Sendai).
[9]N. Fang, K. Nagashio, "Interface Traps“Extrinsically” Deliver MIT in Monolayer MoS₂ FET", International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 12, 2018, Univ. of Tokyo, Tokyo)
[8]N. Higashitarumizu, H. Kawamoto, K. Maruyama, M. Nakamura, K. Shimamura, N. Ohashi, K. Ueno, K. Nagashio, "Strong p-type SnS FETs: From Bulk to Monolayer", International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 13, 2018, Univ. of Tokyo, Tokyo)
[7]S. Toyoda, T. Taniguchi, K.Watanabe, K. Nagashio. "Study on origin for D_it through SS in monolayer MoS₂/h-BN/graphite FET", International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 13, 2018, Univ. of Tokyo, Tokyo)
[6]K. Maruyama, K. Nagashio. "High-k Er₂O₃ top gate deposition on 2D channel at room temperature by PO₂ controlled thermal evaporation", International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 13, 2018, Univ. of Tokyo, Tokyo)
[5][Invited] K. Nagashio, Interface engineering for 2D layered semiconductors, IUMRS-ICEM2018, (August, 23, 2018, Daejeon, Korea).
[4][Invited] K. Nagashio, Electrically inert interface in 2D heterostructure FETs, AWAD2018, (July, 3, 2018, Kitakyusyu, Japan).
[3]K. Nagashio, "Interface engineerign for 2D electronics", Core to core program, (April, 16-17, 2018, Cambridge university, UK).
[2] N. Higashitarumizu, H. Kawamoto, K. Ueno, K. Nagashio, "Fabrication and Surface Engineering of Two-dimensional SnS toward Piezoelectric Nanogenerator Application", 2018 MRS Spring Meeting, (April, 4, 2018, Phoenix Convention Center, Phoenix, USA).
[1][Invited] K. Nagashio, "Understanding of layered heterointerfaces in 2D semiconductors", 10th anniversary international symposium on advanced Plasma science (ISPlamsa2018), (March, 5, 2018, Meijyo univ., Nagoya).

Domestic
[17]豊田哲史，谷口尚，渡邊賢司，長汐晃輔， ”SS による MoS₂/h-BN 界面品質の評価”， 第37回電子材料シンポジウム, (2018年10月12日，長浜ロイヤルホテル，(滋賀県長浜市)).
[16]丸山航平，長汐晃輔，”酸素分離型蒸着装置を用いた 2D FET 上の室温High-k 堆積” 第37回電子材料シンポジウム, (2018年10月12日，長浜ロイヤルホテル，(滋賀県長浜市)).
[15]中村圭吾，上野啓司，谷口尚，渡邊健司，長汐晃輔，”p⁺-WSe₂/MoS₂ 二次元トンネル電界効果トランジスタ”， 第37回電子材料シンポジウム, (2018年10月12日，長浜ロイヤルホテル，(滋賀県長浜市)).
[14]川元颯巳，東垂水直樹，長汐晃輔， ”圧電応用に向けた単層硫化スズの成長”，第37回電子材料シンポジウム, (2018年10月12日，長浜ロイヤルホテル，(滋賀県長浜市)).
[13]東垂水直樹，川元颯巳，長汐晃輔，”マイカ基板上極薄 SnS を用いたフレキシブルデバイスの電気特性ひずみ応答 ”， 第37回電子材料シンポジウム, (2018年10月12日，長浜ロイヤルホテル，(滋賀県長浜市)).
[12][招待講演]長汐 晃輔, "ファンデルワールス積層ヘテロ構造のエレクトロニクスー層状ヘテロ界面の容量解析ー", 2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会,（2018年9月19日, 名古屋国際会議場(名古屋市)).
[11]ウワンノー ティーラユット, 谷口 尚, 渡邊 賢司, 長汐 晃輔, "h-BN/2層グラフェンヘテロ構造における光応答", 2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会,（2018年9月20日, 名古屋国際会議場(名古屋市)).
[10]東垂水 直樹, 川元 颯巳, 長汐 晃輔, "マイカ上極薄SnSの電気特性のひずみ応答", 2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会, (2018年9月19日, 名古屋国際会議場(名古屋市)).
[9][招待講演] 長汐晃輔, "２次元層状ヘテロFETの電子輸送特性及び界面特性", 電気学会ナノエレクトロニクス新機能創出・集積化技術専門員会, (2018年3月16日, 早稲田大(東京)).
[8]中村 圭吾, 何 俊陽, 上野 啓司, 谷口 尚, 渡邊 賢司, 長汐 晃輔, "p⁺-WSe₂/MoS₂ヘテロ構造におけるキャリア移動のPLによる評価", 2018年第65回応用物理学会春季学術講演会,（2018年3月19日, 早稲田大(東京)).
[7]豊田 哲史, 谷口 尚, 渡邉 健司, 長汐 晃輔, ”単層MoS₂/h-BN/GraphiteヘテロFETにおけるSSの温度依存性", 2018年第65回応用物理学会春季学術講演会,（2018年3月19日, 早稲田大(東京)).
[6][奨励賞受賞講演] Nan Fang, Kosuke Nagashio, "Interface traps “extrinsically” deliver MIT in monolayer MoS₂ FET", 2018年第65回応用物理学会春季学術講演会,（2018年3月19日, 早稲田大(東京)).
[5]谷口 功起, 長汐 晃輔, "高速時間分解能計測によるMoS₂-FETにおける過渡応答からのギャップ内準位の抽出", 2018年第65回応用物理学会春季学術講演会,（2018年3月19日, 早稲田大(東京)).
[4]何 俊陽, 方 楠, 中村 圭吾, 上野 啓司, 谷口 尚, 渡邊 健司, 長汐 晃輔, "TypeⅢ p⁺-WSe₂/WSe₂ヘテロ構造におけるバンド間トンネル", 2018年第65回応用物理学会春季学術講演会,（2018年3月19日, 早稲田大(東京)).
[3]丸山 航平, 長汐 晃輔, "酸素分離型蒸着装置による2次元層状チャネル上へのHigh-k 絶縁膜堆積", 2018年第65回応用物理学会春季学術講演会,（2018年3月19日, 早稲田大(東京)).
[2]川元 颯巳, 東垂水 直樹, 長汐 晃輔, "供給・脱離制御による単層SnS成⻑の実現", 2018年第65回応用物理学会春季学術講演会,（2018年3月20日, 早稲田大(東京)).
[1]東垂水 直樹, 川元 颯⺒, 上野 啓司, 長汐 晃輔, "酸化プロセスによる自己保護膜を持った極薄SnS層の作製", 2018年第65回応用物理学会春季学術講演会,（2018年3月20日, 早稲田大(東京)).

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2017
International
[9][Invited] K. Nagashio, "Interface engineering for 2D electonics", 2017 NEA Symposium of Emerging Materials Innovation, (October, 18, 2017, Lotte hotel, Soul, Korea).
[8]Y. Hattori, T. Taniguchi, K. Watanabe, and K. Nagashio, "Random Telegraph Noise in h-BN under Constant-Voltage Stress Test", International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 21, 2017, Sendai International Center, Sendai)
[7]N. Fang and K. Nagashio, "Quantitative study of interfacial properties in monolayer MoS₂ FET", International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 21, 2017, Sendai International Center, Sendai)
[6]K. Taniguchi, and K. Nagashio, "Detection of electron trapping/detrapping in MoS₂ FET by high time-resolved I-V measurement", International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 21, 2017, Sendai International Center, Sendai)
[5][Invited] K. Nagashio, "Interface engineering for 2D layered semiconductors", 2017 PKU-UTokyo nano-carbon summer camp, (July, 27, 2017, Hongo, UTokyo (Tokyo))
[4][Invited]K. Nagashio, "Gap engineering and reliability study for 2Delectronics", 6th Int. Conf. on Semiconductor Technology for ULSI & TFT,(May. 23, 2017, Schloss Hernstein, Hernstein, Austria).
[3]T. Uwanno, T. Taniguchi, K. Watanabe, and K. Nagashio, "Improvement ofIon/Ioff for h-BN encapsulated bilayer graphene by graphite local back gateelectrode", APS March meeting 2017, (March 17, 2017, New Orleans).
[2]N. Fang and K. Nagashio, "Interface states analysis in atomically thin MoS₂ FET", APS March meeting 2017, (March 16, 2017, New Orleans).
[1][Invited] K. Nagashio, "Interface engineering for 2D electonics",Nippon-Taiwan Workshop, (Feb. 18, 2017, Kwansei Gakuin Univ. Sanda, Hyogo).

Domestic
[13][招待講演] 長汐晃輔, ２次元原子層半導体における層状ヘテロ界面の理解と制御, 第36回電子材料シンポジウム, (2017年11月9日，長浜ロイヤルホテル，(滋賀県長浜市)).
[12][招待講演] 長汐晃輔, "2次元層状チャネルFETの電子輸送特性及び界面特性", 応用電子物性分科会研究例会, (2017年10月19日，東工大，(東京都目黒区)).
[11]服部吉晃,谷口尚,渡邉健司,長汐晃輔, "金属電極とのバリアハイトを考慮した極薄h-BNの絶縁性評価", 2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会,（2017年9月7日, 福岡国際会議場,(福岡県)).
[10]Nan Fang, Kosuke Nagashio, "Bandtailinterface states and quantum capacitance in monolayer MoS₂ FET", 2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会,（2017年9月7日, 福岡国際会議場(福岡県)).
[9]ウワンノーティーラユット,谷口尚,渡邊賢司,長汐晃輔, "石英基板上h-BN/2層グラフェンヘテロFETの容量計測", 2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会,（2017年9月7日, 福岡国際会議場(福岡県)).
[8]東垂水直樹,川元颯巳,上野啓司,長汐晃輔,"薄層SnSの機械的剥離と化学的安定性", 2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会,（2017年9月7日, 福岡国際会議場(福岡県)).
[7]何俊陽,方楠,中村圭吾,上野啓司,長汐晃輔, "WSe2/SnS2ヘテロ構造におけるバンド間トンネル", 2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会,（2017年9月7日, 福岡国際会議場(福岡県)).
[6][招待講演] 長汐晃輔, "2次元原子膜応用のためのゲートスタック形成", 2017真空・表面科学合同講演会, (2017年8月17日，横浜市立大，(横浜市)).
[5]豊田哲史, ウワンノーティーラユット, 長汐晃輔, "レンズ形状のPMMA/PDMSを用いた二次元結晶のピンポイントピックアップとバブルフリー積層", 2017年第64回応用物理学会春季学術講演会,（2017年3月16日, パシフィコ横浜(横浜)).
[4]倉林 空, 長汐 晃輔, "基板と相互作用したCVD-MoS2の表裏面の結晶性評価", 2017年第64回応用物理学会春季学術講演会,（2017年3月16日, パシフィコ横浜(横浜)).
[3]服部吉晃, 谷口尚, 渡邊賢司, 長汐晃輔, "六方晶ボロンナイトライドの経時絶縁破壊におけるランダムテレグラフノイズ", 2017年第64回応用物理学会春季学術講演会,（2017年3月16日, パシフィコ横浜(横浜)).
[2][招待講演] 長汐晃輔, "グラフェンの伝導特性", 日本化学会第97春季年会「特別企画」二次元物質の科学, (2017年３月16日， 慶応大学, 日吉, ( 神奈川)).
[1]長汐晃輔, "2次元ヘテロ構造作製のための転写プロセス", 新世代研究所2016年度第2回ナノカーボン研究会, (2017年1月16日, (福島)).

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2016
International
[13] K. Nagashio, "Dielectric breakdown of hexiagonal boronitride", UTokyo-NTU joint conference at NUT 2016, (Nov. 31-Dec.1, 2016, NTU, Taiwan)
[12] [Invited] K. Nagashio, "Graphene transistor application" Core to core program, (November, 16-17, 2016, Tohoku university, Sendai).
[11] [Invited] K. Nagashio, "Reliability study on layered 2D insulator", 230th Electrochemical Society Meeting, (Oct. 2-7, 2016, Honolulu, Hawaii).
[10]S. Sekizaki, M. Osada, K. Nagashio, "Field Effect Transistor of Thin Anatase Obtained through Solid-State Transformation of Ti_0.87O₂ Nanosheet", International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 28, 2016, Tsukuba International Congress Center).
[9]Y. Hattori, T. Taniguchi, K. Watanabe, K. Nagashio,"Measurement of Anisotropic Dielectric Strength of Hexagonal Boron Nitride", International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 27, 2016, Tsukuba International Congress Center).
[8]T. Uwanno, T. Taniguchi, K.Watanabe, K. Nagashio, "Improvement of Ion/Ioff for Bilayer Graphene by Encapsulation with h-BN", International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 27, 2016, Tsukuba International Congress Center).
[7] Y. Hattori, T. Taniguchi, K. Watanabe, K. Nagashio, "Dielectric breakdown of layered insulator", 43rd International Symposium on Compound semiconductors (ISCS), (June 26-30, 2016, Toyama int. Conf. Center, Toyama).
[6] K. Nagashio, "Gap state analysis and reliability study on 2D electronics", Core to core program, (July, 18-19, 2016, Cambridge university, UK).
[5] [Invited] K. Nagashio, "Gap engineering & reliability study for 2D electronics", Graphene week (June 13-17, 2016, Warsaw, Poland).
[4] [Invited] K. Nagashio, "Dielectric breakdown of hexagonal Boron Nitride", International conference on graphene and related materials: properties and applications, (May 23-27, 2016, Paestum, Italy).
[3]Y. Hattori, T. Taniguchi, K. Watanabe, and K. Nagashio, "Anisotropic Dielectric Breakdown of Hexagonal Boron Nitride Film", APS March meeting 2016, (March 14, 2016, Baltimore).
[2]K. Nagashio, "Dielectric Breakdown of Hexagonal Boron Nitride", Nano Carbon Workshop, (Feb. 19, 2016, Advanced Technology Institute, Tokyo).
[1]K. Nagashio, "Layer-by-layer dielectric breakdown of hexagonal Boron Nitride", SNU-UTokyo Workshop on Advanced Materials Science and Engineering, (Feb. 1, 2016, Tokyo univ. Tokyo).

Domestic
[9]長汐晃輔, "2次元電子デバイスのギャップエンジニアリングと信頼性評価", 物性研究所短期研究会「原子層上の活性サイトで発現する局所機能物性」(2016年12月21日, 東大物性研 (千葉県)).
[8][講演奨励賞受賞記念講演] 服部 吉晃, 谷口 尚, 渡邊 賢司, 長汐 晃輔, "h-BN の絶縁破壊電界はなぜダイアモンドより高いのか？", 2016年第77回応用物理学会秋学術講演会,（2016年9月16日, 新潟コンベンションセンター(新潟県)).
[7]谷口 功起, 長汐 晃輔, "高速パルスIV 計測による2層グラフェンのギャップ内準位の時定数に関する考察", 2016年第77回応用物理学会秋学術講演会,（2016年9月15日, 新潟コンベンションセンター(新潟県)).
[6]服部吉晃, 谷口尚, 渡邊賢司, 長汐晃輔, "単結晶六方晶ボロンナイトライドの絶縁破壊強度の異方性", 2016年第63回応用物理学会春季学術講演会,（2016年3月19日, 東京工業大学大岡山キャンパス(東京)).
[5]関崎舜也, 長田実, 佐々木高義, 長汐晃輔, "Ti_0.87O₂ナノシートの固相変態による極薄TiOxアナターゼFET", 2016年第63回応用物理学会春季学術講演会,（2016年3月19日, 東京工業大学大岡山キャンパス(東京)).
[4]Fang Nan, 長汐晃輔, 鳥海明, "Defect position analysis in MoS₂ FETs by random telegraphic signals", 2016年第63回応用物理学会春季学術講演会,（2016年3月19日, 東京工業大学大岡山キャンパス(東京)).
[3]ウワンノー ティーラユット, 谷口尚, 渡邊賢司, 長汐晃輔, "h-BN/2層グラフェン/h-BNゲートスタック構造でのIon/Ioff向上", 2016年第63回応用物理学会春季学術講演会,（2016年3月19日, 東京工業大学大岡山キャンパス(東京)).
[2]倉林空, 長汐晃輔, "CVD-MoS₂/SiO₂相互作用評価と完全被覆TGによるデュアルゲート変調", 2016年第63回応用物理学会春季学術講演会,（2016年3月19日, 東京工業大学大岡山キャンパス(東京)).
[1]服部吉晃, 谷口尚, 渡邊賢司, 長汐晃輔, "層状絶縁体h-BNの電気的絶縁破壊特性", 第21回電子デバイス界面テクノロジー研究会,（2016年1月22日, 東レ研修センター（静岡県)).

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2015
International
[12][Invited] K. Nagashio, "Graphene field effect transistors", UTokyo-NTU joint conference at UTokyo 2015, (Dec. 9, 2015, Tokyo univ, Tokyo).
[11][Invited] K. Nagashio, "Graphene field effect transistor application", 1st Japan-EU workshop on graphene and related 2D materials, (Nov. 2, 2015, Sapia tower, Tokyo).
[10]N. Fang, K. Nagashio and A. Toriumi, "Direct Evidence of Defect-defect Correlation in Atomically Thin MoS₂ Layer by Random Telegraphic Signals Observed in Back-gated FETs", 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM), (Sep. 29, 2015, Sapporo, Hokkaido).
[9]T. Uwanno, K. Watanabe, T. Taniguchi and K. Nagashio, "PMMA Dry Transfer of Graphene on h-BN using Heating/Cooling System", 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM), (Sep. 29, 2015, Sapporo, Hokkaido).
[8]S. Kurabayashi and K. Nagashio, "Tolerance to UV-O₃ Exposure of CVD and Mechanically Exfoliated MoS₂ & Fabrication of Top-Gated CVD MoS₂ FETs", 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM), (Sep. 28, 2015, Sapporo, Hokkaido).
[7][Invited] K. Nagashio, "Layer-by-layer dielectric breakdown of hexagonal Boron Nitride", 11th Topical workshop on Heterostructure Microelectronics, (August 26, 2015, Hida Hotel Plaza, Takayama).
[6][Invited] K. Nagashio, “Layer-by-layer dielectric breakdown of hexagonal Boron Nitride”, NanoCarbon workshop of PKU-UTokyo, (July 21, 2015, Tokyo univ., Tokyo).
[5]Y. Hattori, T. Taniguchi, K. Watanabe, & K. Nagashio, "Anisotropic Dielectric Breakdown of Hexagonal Boron Nitride Film", International Conference on the Science and Application of Nanotubes（NT15), (June 29, 2015, Nagoya, Aichi, Japan).
[4]K. Nagashio, "Bilayer graphene field-effect transistors", International Conference on the Science and Application of Nanotubes（NT15), (June 28, 2015, Nagoya, Aichi, Japan).
[3][Invited] K. Nagashio, "Bilayer graphene field-effect transistors", US/Japan 2D Materials Workshop, (March, 23, 2015, Tokyo Institute of Technology, Tokyo).
[2]K. Kanayama, and K. Nagashio, "Energy gap formation and gap states analysis in bilayer graphene", APS March meeting 2015, (March 5, 2015, SanAntonio).
[1]Y. Hattori, T. Taniguchi, K. Watanabe, & K. Nagashio, "Layer-by-layer Dielectric Breakdown of Hexagonal Boron Nitride Film in Conductive AFM Measurement", APS March meeting 2015, (March 4, 2015, SanAntonio).

Domestic
[11][招待講演] 長汐晃輔, "グラフェンの電子デバイス応用 -グラフェン・金属接合の理解と制御-", 第112回マイクロ接合研究委員会, (2015年11月13日, 阪大東京ブランチ（東京））.
[10][招待講演] 長汐晃輔, "トランジスタを作る！グラフェン電界効果トランジスタ", 第5回CSJ化学フェスタ2015, (2015年10月15日, タワーホール船堀（東京））.
[9]服部吉晃, 谷口尚, 渡邊賢司, 長汐晃輔, "六方晶ボロンナイトライドの絶縁破壊プロセス", 第34回電子材料シンポジウム, 滋賀, 2015, 7, 15.
[8][招待講演] 長汐晃輔, "FET応用の可能性", ナノカーボンの技術開発動向に係るワークショップ, 東京, 2015, 6, 17.
[7][招待講演] 長汐晃輔, "グラフェンの電子デバイス応用へ向けた基礎知識 ～デバイス作製・電子輸送特性・ゲート絶縁膜・コンタクト抵抗～", サイエンス&テクノロジーセミナー, 東京, 2015, 4, 22.
[6]服部吉晃, 谷口尚, 渡邊賢司, 長汐晃輔, "h-BNのLayer-by-Layer絶縁破壊", 2015年第62回応用物理学会春季学術講演会,（2015年3月13日, 東海大学湘南キャンパス(神奈川)).
[5]金山薫, 長汐晃輔, "コンダクタンス法による2層グラフェンのギャップ内準位解析", 2015年第62回応用物理学会春季学術講演会,（2015年3月13日, 東海大学湘南キャンパス(神奈川)).
[4]高橋伸尭, 長汐晃輔, "グラフェン上ALD-Y₂O₃堆積におけるバッファー層への高圧酸素アニールによる容量向上", 2015年第62回応用物理学会春季学術講演会,（2015年3月13日, 東海大 学湘南キャンパス(神奈川)).
[3]ウワンノー ティーラユット, 谷口尚, 渡邊賢司, 長汐晃輔, "加熱/冷却系を用いたh-BN上へのグラフェンのPMMA乾式転写", 2015年第62回応用物理学会春季学術講演会,（2015年3月13日, 東海 大学湘南キャンパス(神奈川)).
[2]倉林空, 長汐晃輔, "CVDにより成膜した単層MoS₂の結晶性評価", 2015年第62回応用物理学会春季学術講演会,（2015年3月11日, 東海大学湘南キャンパス(神奈川)).
[1][招待講演] 長汐晃輔, "グラフェンFET -コンダクタンス法によるギャップ内準位解析-", 第48回フラーレン ・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム, (2015年２月, 東京, 東大).

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2014
International
[9][Invited] K. Nagashio, "Carrier response in electric-field-induced bandgap of bilayer graphene", 45th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference, (December 2014, Bahia Resort Hotel, SaDiego).
[8][Invited] K. Nagashio, "Energy gap formation & gap states analysis in bilayer graphene", Indo-Japan program on Graphene and related materials, (November, 5, 2014, JNCASR, Bangalore, India).
[7][Invited] K. Nagashio, "Energy gap formation and gap states analysis in bilayer graphene under the ultra-high displacement", Japan-Korea Joint Symposium on Semiconductor Physics and Technology, (September 17, 2014, Sapporo).
[6]N. Fang, K. Nagashio, and A. Toriumi, "Subthreshold transport in mono- and multi-layered MoS2 FETs", 2014 International conference on solid state devices and materials (SSDM), (Sep. 11, 2014, Tsukuba International Congress Center, Ibaraki).
[5]N,Takahashi, K. Watanabe, T. Taniguchi, and K. Nagashio, "Direct deposition of high-k Y2O3 on h-BN by atomic layer deposition", 2014 International conference on solid state devices and materials (SSDM), (Sep. 10, 2014, Tsukuba International Congress Center, Ibaraki).
[4][Invited] K. Nagashio, "semiconducting properties in bilayer graphene under the ultara-high displacement", IEEE INEC2014, (July, Sapporo).
[3][Invited] K. Nagashio, K. Kanayama, T. Nishimura, and A. Toriumi, "Quantum capacitance measurement of bilayer graphene", 225rd ECS meeting, (May 12, 2014, Orlando).
[2] K. Nagashio, K. Kanayama, T. Nishimura, and A. Toriumi, "Electrical quality improvement of thin Y2O3 topgates in graphene FETs by high-pressure O2 post-deposition annealing", APS March meeting 2014, (March 6, 2014, Colorado).
[1] K. Kanayama, K. Nagashio, T. Nishimura, and A. Toriumi, "’Direct observation of asymmetric band structure of bilayer graphene through quantum capacitance measurements", APS March meeting 2014, (March 3, 2014, Colorado).

Domestic
[10][招待講演] 長汐晃輔, "グラフェンFETの実現へ向けて –コンダクタンス法によるギャップ内準位解析-", 第9回ATI合同研究会, 東京, 2014, 11, 26.
[9][招待講演] 長汐晃輔, "h-BN層状絶縁物質における電気的絶縁破壊挙動", 新世代研究所2014年度第2回ナノカーボン研究会, 東京, 2014, 11, 17.
[8]服部吉晃, 谷口尚, 渡邊賢司, 長汐晃輔, "h-BN 層状絶縁物質における電気的絶縁破壊挙動", 2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会,（2014年9月18日, 北大(北海道).
[7][招待講演] 長汐晃輔, "2層グラフェンにおけるギャップ内のキャリア応答と高キャリア密度下でのサブバンド散乱", 日本表面科学会,　第82回表面科学研究会 (2014年7月25日, 東工大(東 京)).
[6][招待講演] 長汐晃輔, "電界印加による2層グラフェンのギャップ形成", 第78回半導体・集積回路技術シンポジウム, (2014年7月17日, 東京理科大(東京)).
[5][招待講演] 長汐晃輔, "2層グラフェンの外部電界印加によるギャップ形成とギャップ内準位の評価", 学振専門委員会(2014,6,10東大(東京)).
[4] 高橋伸尭, 長汐晃輔, 西村知紀, 鳥海明, 谷口尚, 渡邊堅司, "ALDによるh-BN上へのhigh-k Y₂O₃絶縁膜の直接堆積",　2014年第61回応用物理学会春季学術講演会,（2014年3月19日, 青山学院大学(神奈川)).
[3] 金山薫, 長汐晃輔, 西村知紀, 鳥海明, "容量測定による2層グラフェンにおけるギャップ内準位の解析", 2014年第61回応用物理学会春季学術講演会,（2014年3月19日, 青山学院大学(神奈川)).
[2] 金山薫, 長汐晃輔, 西村知紀, 鳥海明, "高圧O₂アニールによる2層グラフェン上Y₂O₃ゲート絶縁膜の電気的絶縁性の向上", 2014年第61回応用物理学会春季学術講演会,（2014年3月19日, 青山学院大学(神奈川).
[1][招待講演] 長汐晃輔, 金山薫, 西村知紀, 鳥海明, "2層グラフェンにおけるギャップ内のキャリア応答と高電界でのサブバンド散乱", 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会, IEDM特集, 機械振興会館, 東京, 2014, 1, 29.

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2013
International
[13] K. Nagashio, K. Kanayama, T. Nishimura, and A. Toriumi, "Carrier response in band gap and multiband transport in bilayer graphene under the ultra-high displancement", 2013 IEEE International Electron Device Meeting (IEDM2013), pp.503-506, (Dec. 10, 2013, Washington DC).
[12][Invited] K. Nagashio, "Metal/graphene contact", 4th A3 symposium on Emerging materials, (Nov. 12, 2013, Jeju, Korea).
[11] K. Kanayama, K. Nagashio, T. Nishimura, and A. Toriumi, "Asymmetry of conduction and valence bands in bilayer graphene estimated by the quantum capacitance measurement", 2013 International conference on solid state devices and materials (SSDM), (Sep. 27, 2013, Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka).
[10] J. L. Qi, K. Nagashio, W. Liu, T. Nishimura, and A. Toriumi, "Epitaxial CVD graphene growth on Cu/mica for gate stack research", 2013 International conference on solid state devices and materials (SSDM), (Sep. 27, 2013, Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka).
[9] K. Nagashio, K. Kanayama, T. Nishimura, and A. Toriumi, "Quantum capacitance measurements in monolayer and bilayer graphene", 2013 JSAP-MRS joint symposia, (Sep. 19, 2013, Kyotanabe campus, Doshisha Univ., Kyoto).
[8] K. Kanayama, K. Nagashio, T. Nishimura, and A. Toriumi, "Asymmetric upper sub-band structure in conduction and valence bands for bilayer graphene elucidated by quantum capacitance measurement", RPGR2013, (Sep. 12, 2013, Tokyo Tech Front, Tokyo).
[7] K. Nagashio, R. Ifuku, T. Nishimura, and A. Toriumi, "DOS estimation of graphene in the contact structure by qunatum capacitance measurement", PRGR2013, (Sep. 12, 2013, Tokyo Tech Front, Tokyo).
[6] A. Toriumi, T. Moriyama, R. Ifuku, and K. Nagashio, "Graphene in contact with metals", E-MRS 2013 Spring meeting, (May 30, 2013, Strasbourg, France).
[5] K. Nagashio, R. Ifuku, T. Nishimura, and A. Toriumi, "Estimation of DOS in graphene in contact with metals by quantum capacitance measurement", The 40th int. symp. on compound semiconductors, (May 22, 2013, Kobe convention center, Hyogo).
[4][Invited] A. Toriumi, K. Nagashio, T. Moriyama, R. Ifuku, "Graphene underneath metals", 223rd ECS meeting, (May 15, 2013, Toronto).
[3] K. Nagashio, T. Nishimura, and A Toriumi, "Band gap estimation in bilayer grpahene through quantum capacitance measurement", APS March meeting 2013, (March 18, 2013, Baltimore).
[2] R. Ifuku, K. Nagashio, T. Nishimura, and A. Torimi, "Resist-free graphene/metal interaction extracted through quantum capacitance measurement", APS March meeting 2013, (March 18, 2013, Baltimore).
[1] K. Nagashio, and A. Toriumi, "Extraction of quantum capacitance in monolayer graphene", ISPlasma 2013, (Jan. 29, 2013, Nagoya univ., Aichi).

Domestic
[11][招待講演] 長汐晃輔,「グラフェン/金属コンタクトの理解と制御」,グラフェンコンソーシアム第2回研究講演会,（2013年10月16日, 秋葉原(東京)).
[10][招待講演] 長汐晃輔,「Si集積化の限界を超える–グラフェンFET実現へ向けて-」,SEMI FORUM JAPAN 2013,（2013年5月21日, グランキューブ大阪(大阪)).
[9] 井福亮太, 森山喬史, 長汐晃輔, 西村知紀, 鳥海明,「レジストフリープロセスによるグラフェン電子デバイスの作製」,2013年第60回応用物理学会春季学術講演会,（2013年3月29日, 神奈川工科大学（神奈川））.
[8] 長汐晃輔, 井福亮太, 森山喬史, 西村知紀, 鳥海明,「レジストフリーコンタクト形成プロセスに基づくグラフェン/金属界面の理解」, 2013年第60回応用物理学会春季学術講演会,（2013年3月29日, 神奈川工科大学（神奈川）).
[7] 金山薫, 長汐晃輔, 西村知紀, 鳥海明,「量子容量測定による2層グラフェンにおける分散関係の非対称性の解析」,2013年第60回応用物理学会春季学術講演会,（2013年3月29日, 神奈川工科大学（神奈川））.
[6] 斉鈞雷, 長汐晃輔, 西村知紀, 鳥海明,「CH4-CVD単層グラフェン成長におけるH2流量効果」,2013年第60回応用物理学会春季学術講演会,（2013年3月27日, 神奈川工科大学（神奈川））.
[5][招待講演 長汐晃輔, 井福亮太, 森山喬史, 西村知紀, 鳥海明,「グラフェン/金属コンタクト形成に対する理解と制御」,  応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会　第158回研究集会, （2013年3月7日, 早稲田大学（東京））.]
[4][招待講演] 長汐晃輔, 井福亮太, 森山喬史, 西村知紀, 鳥海 明,「本質的なグラフェン/金属界面特性」, 応用物理学会分科会, 電子情報通信学会（IEDM特集）,（2013年1月30日, 東京）.
[3] 長汐晃輔, 西村知紀, 鳥海明,「量子容量測定によるグラフェンの状態密度抽出」,ゲートスタック研究会－材料・プロセス・評価の物理－（第18回研究会）, pp115-118,（2013年1月26日, 湯河原）
[2][招待講演] 長汐晃輔,「量子容量測定によるグラフェンの状態密度解析」,新世代研究所2012年度第3回ナノカーボン研究会，(2013,1,25, 東京）.
[1][招待講演] 長汐晃輔,「グラフェントランジスタ技術」,JEITA第６回ポストSiスケーリング材料・デバイス技術分科会，(2013,1,10, 東京）.